[课件资料]第四章 三极管10-7

1,4.1BJT,4.2基本共射极放大电路,4.3放大电路的分析方法,4.4放大电路静态工作点的稳定问题,4.5共集电极放大电路和共基极放大电路,4.6组合放大电路,4.7放大电路的频率响应,第四章双极结型三极管及其放大电路基础,2,4.1.1BJT的结构简介,4.1BJT,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,4.1.3BJT的V-I特性曲线,4.1.4BJT的主要参数,4.1.5温度对BJT参数及特性的影响,4.1.1BJT的结构简介,3,4.1.1BJT的结构简介,4,5,NPN型,PNP型,4.1.1BJT的结构简介,6,三极管符号,4.1.1BJT的结构简介,7,基区(base)：很薄，一般在几个微米至几十个微米，掺杂浓度最低,集电区(collector)：掺杂浓度低于发射区，面积较大,发射区(emitter)：掺杂浓度最高,4.1.1BJT的结构简介,三极管具备放大能力的内部条件！,8,发射结,集电结,B,E,C,N,N,P,基极,发射极,集电极,+,_,_,+,4.1.1BJT的结构简介,9,发射结正偏,集电结反偏,B,E,C,N,N,P,基极,发射极,集电极,+,_,_,+,4.1.1BJT的结构简介,三极管具备放大能力的外部条件,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,10,11,集电结外加反压,发射结外加正压,VBB,RB,VCC,由于基区掺杂浓度很低，基区空穴向发射区的扩散电流可忽略。,进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN，多数扩散到集电结。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,BJT起放大作用的条件：内部条件和外部条件,1.BJT内部载流子的传输过程,12,VBB,RB,VCC,集电结反偏，有少子形成反向电流ICBO。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,13,IB=IBN-ICBOIBN,反向饱和电流ICBO，这个电流对放大没有贡献,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,IE=IEN+IEPIEN=ICN+IBN=IC+IB,内部载流子的传输过程,三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。,发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT(BipolarJunctionTransistor)。,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,15,BJT的三种组态,共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;,共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。,共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；,BJT的三种组态,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,16,17,对于正向偏置的发射结：,集电结收集的电子流是发射结的总电子流的一部分：,共基极直流电流放大倍数一般在0.98以上，共射极直流电流放大倍数一般为10100,2.BJT的电流分配关系,IC与IB之比称为共射极直流电流放大倍数：,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,18,3.BJT在电压放大电路中的应用举例,若vI=20mV，,电压放大倍数,使iE=1mA，,则iC=iE=0.98mA，,当=0.98时，,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,4.共射放大,VBB,VCC,VBE,IB,IE,IC,vI,+vBE,+iC,+iE,+iB,vI=20mV,设,若,则,电压放大倍数,iB=20uA,vO=-iCRL=-0.98V，,=0.98,使,4.1.2放大状态下BJT的工作原理,19,20,1.共射极连接时的IV特性曲线,4.1.3BJT的特性曲线,IC,vCE=0V,iB=f(vBE)vCE=const,(2)当vCE1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。,(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。,1.输入特性曲线,（以共射极放大电路为例）,4.1.3BJT的特性曲线,(3)输入特性曲线的三个部分,死区,非线性区,线性区,1.输入特性曲线,4.1.3BJT的特性曲线,22,输出特性曲线,23,24,IC(mA),Q,Q,=IC/IB=(3-2)mA/(60-40)A=50,（2）输出特性(outputcharacteristic),iC=f(vCE)iB=常数,4.1.3BJT的特性曲线,25,（2）输出特性(outputcharacteristic),对共射极电路有：,vBE不变，vCEvCB反压集电结的空间电荷区宽度基区的有效宽度基区内的载流子复合的机会稍有增大,在基极电流不变的情况下，集电极电流将随vCE的增大而增大，输出特性比较平坦的部分随着vCE的增加略向上倾斜，称为Early效应,基区宽度调制效应,4.1.3BJT的特性曲线,集电结厚了,26,（2）输出特性(outputcharacteristic),饱和区特点：iC不再随iB的增加而线性增加，即,此时,截止区特点：iB=0，iC=ICEO,vCE=VCES，典型值为0.3V,放大区特点：iC随iB的增加而线性增加，即,4.1.3BJT的特性曲线,27,输出特性三个区域的特点：,a.放大区(amplifierregion)发射结正偏，集电结反偏，IC=IB,且IC=IB。,b.饱和区(saturationregion)发射结正偏，集电结正偏，即VCEVBE，IBIC，VCE0.3V。,c.截止区(cut-offregion)VBE死区电压，IB=0，IC=ICEO0。,（2）输出特性(outputcharacteristic),4.1.3BJT的特性曲线,28,iE=f(vBE)vCB=const,iC=f(vCB)iE=const,2.共基极电路的特性曲线,4.1.3BJT的特性曲线,(1)共发射极直流电流放大系数=（ICICEO）/IBIC/IBvCE=const,1.电流放大系数,4.1.4BJT的主要参数,29,(2)共发射极交流电流放大系数=IC/IBvCE=const,1.电流放大系数,4.1.4BJT的主要参数,30,(3)共基极直流电流放大系数=（ICICBO）/IEIC/IE,(4)共基极交流电流放大系数=IC/IEVCB=const,当ICBO和ICEO很小时，、，可以不加区分。,1.电流放大系数,4.1.4BJT的主要参数,31,32,（1）集-基极反向饱和电流ICBO,ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度变化的影响。,2.极间反向电流,4.1.4BJT的主要参数,33,E,C,N,N,P,IB=0,B,由BJT的电流分配规律，此处电流为ICBO,集电结反偏，空穴漂移到基区。,发射结正偏，电子扩散到基区。,复合形成ICBO,（1）ICBO,（2）集-射极反向饱和电流ICEO,2.极间反向电流,4.1.4BJT的主要参数,34,（1）集电极最大允许电流ICM,BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流即为ICM。当电流超过时，管子的性能将显著下降，甚至有烧坏管子的可能。,3.极限参数,4.1.4BJT的主要参数,35,集电结上允许损耗功率的最大值。,PCPCM,ICVCE=PCM,安全工作区,（2）集电极最大允许功耗PCM,3.极限参数,练习：P1864.1.3,4.1.4BJT的主要参数,36,（3）反向击穿电压,3.极限参数,V(BR)EBO，集电极开路时，发射极基极间的反向击穿电压。,V(BR)CBO，发射极开路时，集电极基极间的反向击穿电压。,V(BR)CEO，基极开路时，集电极发射极间的反向击穿电压。,4.1.4BJT的主要参数,几个击穿电压有如下关系V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR)EBO,37,当VCE,ICEO,集电结出现雪崩击穿,V(BR)CEOV(BR)CERV(BR)CEO,射基间有电阻时,射基间短路时,基极开路时,（3）反向击穿电压,3.极限参数,V(BR)CEO与ICEO的大小有关：,4.1.4BJT的主要参数,38,4.1.5温度对BJT参数及特性的影响,（1）温度对ICBO的影响,（2）温度对的影响,温度每升高1oC，增加0.5%1%,1.温度对BJT参数的影响,温度每升高10oC，ICBO约增加一倍,（3）温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响,集电结的反向击穿为雪崩击穿，具有正的温度系数，温度升高，反向击穿电压提高,39,2.温度对BJT特性曲线的影响,温度T输出特性曲线上移，曲线族间距增大,温度T输入特性曲线左移,温度每升高1oC，vBE减小2mV2.5mV,4.1.5温度对BJT参数及特性的影响,1.既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。,思考题,2.能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？,3.为什么说BJT是电流控制器件？,思考题,？,40,41,4.2基本共射极放大电路,电路组成,工作原理,42,1.电路组成,4.2共射极放大电路,放大元件iC=iB，工作在放大区，要保证集电结反偏，发射结正偏。,+,+,+,iB,iC,iE,commonemitterconfiguration,43,1.电路组成,基极电源与基极电阻,使发射结正偏，并提供适当的静态IB和VBE。,集电极电阻RC，将变化的电流转变为变化的电压。,集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。,4.2共射极放大电路,共射电路组成,输入回路（基极回路）,输出回路（集电极回路）,1.电路组成,4.2共射极放大电路,习惯画法,共射极基本放大电路,简化电路及习惯画法,4.2共射极放大电路,47,2.基本共射极放大电路的工作原理,根据直流通路可知：,采用该方法，必须已知三极管的值。,一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.2V。,a.静态(直流工作状态),4.2共射极放大电路,48,放大电路如图所示。已知BJT的=80，Rb=300k，Rc=2k，VCC=+12V，求：,（1）放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？,（2）当Rb=100k时，放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？（忽略BJT的饱和压降）,解：（1）,（2）当Rb=100k时，,静态工作点为Q（40uA，3.2mA，5.6V），BJT工作在放大区。,其最小值也只能为0，即IC的最大电流为：,所以BJT工作在饱和区。,VCE不可能为负值，,此时，Q（120uA，6mA，0V），,例题,49,2.基本共射极放大电路的工作原理,b.动态,输入信号不为零时，放大电路的工作状态，即交流工作状态,耦合电容：通交流、隔直流,直流电源：内阻为零,直流电源和耦合电容对交流相当于短路,4.2共射极放大电路,交流通路,2.基本共射极放大电路的工作原理,4.2共射极放大电路,51,vi=0,vi=Vsint,先静态：确定静态工作点Q（IBQ、ICQ、VCEQ）,后动态：确定性能指标（AV、Ri、Ro等）,放大电路为什么要建立正确的静态？,2.基本共射极放大电路的工作原理,4.2共射极放大电路,52,2.基本共射极放大电路的工作原理,工作点合适,工作点偏低,合适的静态工作点,保证Je正偏，Jc反偏,保证有较大的线性工作范围,4.2共射极放大电路,？,思考题,下列af电路哪些具有放大作用？,54,4.3放大电路的分析方法,静态工作点的图解分析,动态工作情况的图解分析,BJT的H参数及小信号模型,用小信号模型分析共射极放大电路,小信号模型分析法的适用范围,4.3.1图解分析法,4.3.2小信号模型分析法,静态工作点对波形失真的影响,55,4.3放大电路的分析方法,放大电路分析,静态分析,动态分析,估算法,图解法,微变等效电路法,图解法,计算机仿真,放大电路性能指标的定义放大电路中各个元件的作用,放大电路的直流通路与交流通路,本节重点,56,采用该方法分析静态工作点，必须已知三极管的输入输出特性曲线。,1.静态工作点的图解分析,4.3.1图解分析法,57,1.静态工作点的图解分析,VCE=VCCICRC,直流负载线,由估算法求出IB，IB对应的输出特性与直流负载线的交点就是工作点Q,4.3.1图解分析法,由交流通路得纯交流负载线：,共射极放大电路,vce=-ic(Rc/RL),因为交流负载线必过Q点，即vce=vCE-VCEQic=iC-ICQ同时，令RL=Rc/RL,交流负载线,则交流负载线为,vCE-VCEQ=-(iC-ICQ)RL,即iC=(-1/RL)vCE+(1/RL)VCEQ+ICQ,58,4.3.1图解分析法,59,2.动态工作情况的图解分析,通过图解分析，可得如下结论：1.vo与vi相位相反；2.可以测量出放大电路的电压放大倍数；3.可以确定最大不失真输出幅度。,4.3.1图解分析法,60,3.静态工作点对波形失真的影响,在放大电路中，输出信号应该成比例地放大输入信号（即线性放大）；如果两者不成比例，则输出信号不能反映输入信号的情况，放大电路产生非线性失真。,为了得到尽量大的输出信号，要把Q设置在交流负载线的中间部分。如果Q设置不合适，信号进入截止区或饱和区，则造成非线性失真。,4.3.1图解分析法,3.静态工作点对波形失真的影响,4.3.1图解分析法,放大电路产生非线性失真,3.静态工作点对波形失真的影响,4.3.1图解分析法,饱和失真与截止失真,63,3.静态工作点对波形失真的影响,iC,vCE,iC,vCE,对于PNP管，由于是负电源供电，失真的表现形式，与NPN管正好相反。即饱和失真在波峰，截止失真在波谷。,Vom=ICQRc,Vom=VCEQ-VCES,4.3.1图解分析法,64,放大电路的动态范围,可输出的最大不失真信号,工作点Q要设置在输出特性曲线放大区的中间部位,要有合适的交流负载线,信号幅度不大，不产生失真和保证一定的电压增益，Q可选得低些,4.3.1图解分析法,放大电路的动态范围,4.3.1图解分析法,66,？,思考题,1.试分析下列问题：,共射极放大电路,（1）增大Rc时，负载线将如何变化？Q点怎样变化？,（2）增大Rb时，负载线将如何变化？Q点怎样变化？,（3）减小VCC时，负载线将如何变化？Q点怎样变化？,（4）减小RL时，负载线将如何变化？Q点怎样变化？,67,共射极放大电路,？,思考题,2.放大电路如图所示。当测得BJT的VCE接近VCC=的值时，问管子处于什么工作状态？可能的故障原因有哪些？,截止状态,答：,故障原因可能有：,Rb支路可能开路，IB=0，IC=0，VCE=VCC-ICRc=VCC。,C1可能短路，VBE=0，IB=0，IC=0，VCE=VCC-ICRc=VCC。,68,4.图解分析法的适用范围,特别适用于分析信号幅度较大而工作频率不太高的情况,直观、形象，有助于一些重要概念的建立和理解，如交直流共存、静态和动态等,能全面分析放大电路的静态、动态工作情况，有助于理解正确选择电路参数、合理设置静态工作点的重要性,不能分析信号幅值太小或工作频率较高时的电路工作状态，也不能用来分析放大电路的输入电阻、输出电阻等动态性能指标,4.3.1图解分析法,69,4.3.2小信号模型分析法,BJT的H参数及小信号建模,共射极放大电路的小信号模型分析,H参数的引出,H参数小信号模型,小信号模型的简化,利用直流通路确定Q点,画小信号等效电路,H参数的确定,求放大电路动态指标,小信号模型分析法的适用范围,70,BJT的H参数及小信号建模,建立小信号模型(smallsignalmodel)的意义,建立小信号模型(smallsignalmodel)的思路,当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。,由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件作线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。,71,1.H参数的引出,在小信号情况下，对上两式取全微分得,用小信号交流分量表示,vbe=hieib+hrevce,ic=hfeib+hoevce,对于BJT双口网络，我们已经知道输入输出特性曲线如下：,iB=f(vBE)vCE=const,iC=f(vCE)iB=const,可以写成：,72,输出端交流短路时的输入电阻，用rbe表示。,输入端开路时的电压反馈系数，用uT表示。,1.H参数的引出,73,输出端交流短路时的电流放大系数，用表示。,输入端开路时的输出电导，用1/rce表示。,1.H参数的引出,74,2.H参数小信号模型,根据,可得小信号模型,vbe=hieib+hrevce,ic=hfeib+hoevce,H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。H参数与工作点有关，在放大区基本不变。H参数都是微变参数，所以只适合对交流信号的分析。,75,即rbe=hie=hfeuT=hrerce=1/hoe,一般采用习惯符号,则BJT的H参数模型为,uT很小，一般为10-310-4，rce很大，约100k。故一般可忽略它们的影响，得到简化电路,3.小信号模型的简化,76,4.H参数的确定,一般用万用表测出；,rbe与Q点有关，可用示波器测出。,一般也用公式估算rbe,rbe=rb+(1+)re,其中对于低频小功率管rb200,则,77,用H参数小信号模型分析共射极基本放大电路,1.利用直流通路求Q点,一般硅管VBE=0.7V，锗管VBE=0.2V，已知。,78,2.画小信号等效电路,共射极放大电路,79,3.求放大电路动态指标,根据,则电压增益为,.,.,80,对于为放大电路提供信号的信号源来说，放大电路是负载，这个负载的大小可以用输入电阻来表示。,电路的输入电阻越大，从信号源取得的电压越大。共射电路具有较大的输入电阻的特点。,3.求放大电路动态指标,81,3.求放大电路动态指标,对于负载而言，放大电路相当于信号源，可以将它进行戴维南等效，戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。,计算输出电阻的方法：所有独立电源置零，保留受控源，加压求电流法。,82,小信号模型分析法的适用范围,用图解法定出静态工作点,当输入电压幅度较小或BJT基本工作在线性区，放大电路较复杂，可用小信号模型分析,当输入电压幅度较大，BJT的工作点延伸到特性曲线的非线性部分，需要采用图解法。分析放大电路输出电压的最大幅值等应用图解法较方便,83,例题,放大电路如图所示。试求：（1）Q点；（2）,（已知=40）,84,空载时的电压放大系数：,有载时的电压放大系数：,例题,85,4.4放大电路工作点的稳定问题,温度变化对ICBO的影响,温度变化对输入特性曲线的影响,温度变化对的影响,基极分压式射极偏置电路,含有双电源的射极偏置电路,4.4.1温度对工作点的影响,4.4.2射极偏置电路,含有恒流源的射极偏置电路,温度对Q点的影响,87,4.4.1温度对工作点的影响,1.温度变化对ICBO的影响,2.温度变化对输入特性曲线的影响,温度T输出特性曲线上移,温度T输入特性曲线左移,3.温度变化对的影响,温度每升高1C，要增加0.5%1.0%,温度T输出特性曲线族间距增大,88,小结：,固定偏置电路的Q点是不稳定的。Q点不稳定可能会导致静态工作点靠近饱和区或截止区，从而导致失真。为此，需要改进偏置电路，当温度升高、IC增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化。保持Q点基本稳定。,常采用分压式偏置电路来稳定静态工作点。电路见下页。,ICBOICEO,TVBEIBIC,4.4.1温度对工作点的影响,89,4.4.2射极偏置电路,（1）稳定工作点原理,目标：温度变化时，使IC维持恒定。,如果温度变化时，b点电位能基本不变，则射极偏置电路(four-resistorcircuit)可实现静态工作点的稳定。,T,IC,IE,IC,VE、VB不变,VBE,IB,（反馈控制）,1.基极分压式射极偏置电路,90,（2）放大电路指标分析,静态工作点,4.4.2射极偏置电路,4.4.2射极偏置电路,电压增益,小信号等效电路图,91,92,电压增益,4.4.2射极偏置电路,93,输入电阻,根据定义,则输入电阻,放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻,4.4.2射极偏置电路,4.4.2射极偏置电路,输出电阻,95,输出电阻,输出电阻,其中,当,时，,可见三极管电流源的内阻比三极管的输出电阻rce还要大。,4.4.2射极偏置电路,设计一个三极管射极偏置电路，静态工作点IcQ=12mA，电压增益1020，输入电阻为35K，输出电阻大于1K，带宽满足音频信号放大范围20Hz20KHz或以上。,4.4.2射极偏置电路,4.4.2射极偏置电路,静态工作点设计IC=2mA：,IB2,IBQ,IB1,当,时，IB1IB2,用万用表测量的大小，,初步设计IB2的大小。并得到关系式：,根据增益设计可以得到的Rc和Re1，确定Re2的大小,空载时，,根据要求：电压增益1020，输入电阻为35K，输出电阻大于1K。初步设定它们的大小：,由IC求，,初步确定Rc和Re1的大小,得到Rb1和Rb2的比例关系1,IB2,IBQ,IB1,设计了Re1和Re2的大小后,确定VB的大小,就会得到Rb1和Rb2的比例关系2。由两个Rb1和Rb2的比例关系联立，设计出Rb1和Rb2的大小。,根据下限频率的要求，Cb1和Cb2采用10uF以上电解电容。根据下限频率的要求，Ce采用100uF以上的电解电容。,100,2.含有双电源的射极偏置电路,4.4.2射极偏置电路,101,3.含有恒流源的射极偏置电路,4.4.2射极偏置电路,102,4.5共集电极电路和共基极电路,静态分析,动态分析,静态分析,动态分析,4.5.1共集电极电路,4.5.2共基极电路,4.5.3三种组态的比较,4.5.1共集电极放大电路,共集电极交流通路,104,4.5.1共集电极放大电路,1.静态分析,该电路也称为射极跟随器(emitterfollower)。,由,得,105,2.动态分析,4.5.1共集电极放大电路,4.5.1共集电极放大电路,2.动态分析,共集电极小信号等效电路,107,电压增益,其中,一般,，则电压增益接近于1，,即,电压跟随器,4.5.1共集电极放大电路,4.5.1共集电极放大电路,输入、出电阻,109,输入电阻,根据定义,由电路列出方程,则输入电阻,当,，,时，,输入电阻大,4.5.1共集电极放大电路,110,输出电阻,由电路列出方程,其中,则输出电阻,4.5.1共集电极放大电路,111,射极输出器的输入输出同相，电压增益小于1而近似于1，输出电压跟随输入电压，故称电压跟随器。没有电压放大能力，仍具有电流和功率放大能力输入电阻大，作为前一级的负载，对前一级的放大倍数影响较小且取得的信号大。常用作放大器的输入级输出电阻很小，带负载能力强，用于输出级用于中间级起阻抗变换的作用，隔离前后级间的影响,4.5.1共集电极放大电路,112,4.5.2共基极放大电路,共基极放大电路(common-baseamplifier)如图所示。,113,电流分配关系,当,=0.98时，,4.5.2共基极放大电路,114,直流通路：,1.静态分析,4.5.2共基极放大电路,115,2.动态分析,电压增益,4.5.2共基极放大电路,116,输入电阻,输出电阻,4.5.2共基极放大电路,117,4.5.3三种组态的比较,例题,解：,118,P82,119,4.6组合放大电路,复合管的主要特征,共集共集放大电路的动态分析,4.6.1共射共基放大电路,4.6.2共集共集放大电路,120,4.6.1共射共基极放大电路,串接放大电路,高频特性好，具有较宽的频带,Ri=Rb11|Rb21|rbe1,RoRc2,121,在计算各级电压增益时，必须考虑级间的相互影响，前一级的输出电压是后一级的输入电压，后一级的输入电阻是前一级的负载电阻,4.6.1共射共基极放大电路,122,作用：提高电流放大系数，增大电阻rbe。,复合管（darlingdonconnection）也称为达林顿管。,4.6.2共集共集放大电路,T1,T2,T,T1,T2,T,T1,T2,T,T1,T2,T,必须保证两只管子均工作在放大状态,1.复合管的主要特征,123,IC=IC1+IC2=1IB+2(1+1)IB=1+2(1+1)IB,=IC/IB=1+2(1+1)12,IC,IB,IE,1,2,IC1,IC2,IB2,4.6.2共集共集放大电路,124,2.动态分析,4.6.2共集共集放大电路,125,4.7.1单时间常数RC电路的频率响应,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,RC低通电路的频率响应,RC高通电路的频率响应,4.7放大电路的频率响应,4.7.3单极共射极放大电路的频率响应,4.7.4单级共基极和共集电极放大电路的频率响应,4.7.5多级放大电路的频率响应,126,（1）频率响应表达式：,幅频响应：,相频响应：,4.7.1单时间常数RC电路的频率响应,1.RC低通电路频率响应(frequencyresponse),127,（2）RC低通电路的波特图(bodeplot),最大误差-3dB,0分贝水平线,斜率为-20dB/十倍频程的直线,幅频响应：,4.7.1单时间常数RC电路的频率响应,128,相频响应,其中fH是一个重要的频率点，称为上限截止频率。,这种对数频率特性曲线称为波特图(bodeplot)，,4.7.1单时间常数RC电路的频率响应,4.7.1单时间常数RC电路的频率响应,（2）RC低通电路的波特图,130,（1）频率响应表达式：,幅频响应：,相频响应：,2.RC高通电路频率响应,4.7.1单时间常数RC电路的频率响应,131,其中，fL是一个重要的频率点，称为下限截止频率。,幅频响应：,相频响应：,（2）RC高通电路的波特图,4.7.1单时间常数RC电路的频率响应,4.7.1单时间常数RC电路的频率响应,（2）RC高通电路的波特图,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,1.BJT高频小信号模型,133,134,基区电阻50300,发射结参数，结电容几十几百pF,集电结参数，由于反偏，结电阻约100k10M；结电容210pF,约为100k,关于受控电流源：高频时发射结电容分流的影响，IC与Ib不能保持比例关系；因而用发射结电压表示控制量，该电压直接决定发射极电流和集电极电流。,.,.,.,.,.,.,受控电流源，gm称为互导，几十mS,1.BJT高频小信号模型,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,模型的简化,135,136,rbc很大，可以忽略。rce很大，也可以忽略。,模型的简化,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,2.BJT高频小信号模型中元件参数值的获得,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,138,低频时，忽略电容，混合模型与H参数模型等效,所以,由：,.,.,.,.,2.BJT高频小信号模型中元件参数值的获得,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,139,又因为,从手册中查出,所以,+,+,+,+,I,V,b,c,c,+,b,be,+,I,r,ce,be,V,e,i,b,.,.,.,.,2.BJT高频小信号模型中元件参数值的获得,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,3.BJT的频率参数,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,140,输出端交流短路时的电流放大系数，用表示。,141,3.BJT的频率参数,根据定义：,将c、e短路。,得:,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,I,bc,.,其中：,142,做出的幅频特性曲线：,当=1时对应的频率,当20lg下降3dB时对应的频率,f,0,fT,f共发射极截止频(3-dBfrequency)fT特征频率(transitionfrequency),其中：,3.BJT的频率参数,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,3.BJT的频率参数,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,的幅频特性曲线,143,144,f并非是BJT具有电流放大作用的最高极限频率。定义当下降到1时对应的频率为BJT的特征频率fT，显然fTf,3.BJT的频率参数,4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数,145,4.7.3单极共射极放大电路的频率响应,1.高频响应,求密勒电容,高频响应与上限频率,增益-带宽积,2.低频响应,146,1.共射极放大电路的高频响应,共射放大电路的中频响应,在中频段，耦合电容的容抗远小于串联回路中的其它阻抗值，故视其为交流短路；BJT的发射结电容的容纳远小于发射结的电导，视其为交流开路；结电容的容抗很大，视其为开路；(忽略Rb和RL),中频电压放大倍数：,147,1.共射极放大电路的高频响应,在高频段，耦合电容的容抗远小于串联回路中的其它阻抗值，故视其为交流短路；BJT的发射结电容的容纳和结电容的容抗不能忽略。（1）求密勒电容高频等效电路如图所示。用“密勒定理”将集电结电容单向化。,b,c,R,s,V,s,r,be,C,V,be,V,be,g,m,i,V,e,b,V,o,r,bb,+,+,+,C,bc,.,.,.,.,.,+,be,1.共射极放大电路的高频响应,（1）求密勒电容,149,1.共射极放大电路的高频响应,用“密勒定理”将集电结电容单向化：,其中：,忽略CN，并将两个电容合并成一个电容:得简化的高频等效电路。,1.共射极放大电路的高频响应,（2）高频响应与上限频率,150,151,1.共射极放大电路的高频响应,用戴维南定理将C左端的电路进行变换：,（2）高频响应与上限频率,152,1.共射极放大电路的高频响应,153,例题,解：,模型参数为,中频电压增益为,又因为,所以上限频率为,154,1.共射极放大电路的高频响应,3.增益带宽积,中频电压增益与通频带相乘所得的乘积称