标准解读
《YS/T 1011-2014 高纯钴化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》是一项专门针对高纯度钴材料中杂质元素进行定量分析的标准。该标准规定了使用辉光放电质谱(Glow Discharge Mass Spectrometry, GDMS)技术来检测高纯钴样品中的多种痕量杂质元素的方法。适用于高纯钴及其合金材料的质量控制与科学研究领域。
根据此标准,首先需要对样品进行适当的预处理,包括但不限于切割成适合GDMS分析的尺寸和形状。然后,在特定条件下通过辉光源激发样品表面产生等离子体,使待测元素从固态转变为气态,并进一步电离形成正离子。这些正离子经过质量分析器分离后被检测器记录下来,从而实现对不同元素的定性及定量分析。
该标准详细描述了实验操作流程、仪器参数设置以及数据处理方法等内容。例如,对于仪器条件的选择,包括工作气体种类、压力、功率等都有明确指示;而对于数据处理,则提供了如何校正背景信号干扰、计算检测限值等方面的指导。此外,还列出了常见杂质元素如铁、镍、铜等的推荐测试条件,帮助用户更准确地完成分析任务。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2014-10-14 颁布
- 2015-04-01 实施
©正版授权



文档简介
ICS7712070 H 13 . . 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T10112014 高纯钴化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 Methodsforchemicalanalysisofhighpuritycobalt Determinationofimpurityelementscontent Glowdischargemassspectrometry2014-10-14发布 2015-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发 布 YS/T10112014 前 言 本标准按照 给出的规则起草 GB/T1.12009 。本标准由全国有色金属标准化技术委员会 归口 (SAC/TC243) 。本标准负责起草单位 金川集团股份有限公司 : 。本标准参加起草单位 北京有色金属研究总院 昆明冶金研究院 峨嵋半导体材料研究所 : 、 、 。本标准主要起草人 邱平 秦芳林 王长华 杨海岸 孙平 墨淑敏 罗舜 李继东 胡芳菲 : 、 、 、 、 、 、 、 、 。 YS/T10112014 高纯钴化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法1 范围 本标准规定了高纯钴中杂质元素的测定方法 测定元素见表 , 1。 本标准适 用 于 高 纯 钴 中 杂 质 元 素 含 量 的 测 定 各 元 素 质 量 分 数 测 定 范 围 为 , 0.1 g/kg20000g/kg。 2 方法原理 在氩气气氛下 试样作为阴极进行辉光放电 其表面原子被溅射而脱离试样进入辉光放电等离子体 , , 中 在等离子体中离子化后被导入质谱仪 在每一元素同位素质量数处以预设的扫描点数和积分时间对 , , 相应谱峰积分 所得面积即为谱峰强度 无标样时 计算机根据仪器软件中的 典型相对灵敏度因子 自 , 。 , “ ” 动计算出各待测元素的质量分数 有标样时 需通过在与被测样品相同的分析条件 离子源结构以及测 ; , 、 试条件下对标准样品进行独立测定获得灵敏度因子 应用该灵敏度因子计算出各元素的质量分数 , 。 通过应用每个杂质元素 X 与基体元素 M 的比值即相对灵敏度因子 可以从质谱图中计算 (RSF), 出试验样品的组分含量 相对灵敏度因子 是通过在与试验样品相同的分析条件 离子源结构以 。 (RSF) 、 及测试方案下对标准样品进行独立分析得到的 。 选择适当的同位素丰度因子 A Xi A Yj 和相对灵敏度因子 并根据质谱图中的相关同 ( )、 ( ) (RSF), 位素离子强度I Xi 和I Yj 计算离子束比 并 对 元 素 X 和 Y 的 相 对 质 量 分 数 进 行 计 算 ( ) ( ) (IBR), “ ” “ ” 。I Xi 和I Yj 是指根据元素种类 X 和 Y 的同位素 Xi 和Yj 分别测量的离子强度 具体如下 ( ) ( ) “ ” “ ” , : X X M A Yj I Xi ( )=RSF( / ) ( ) ( ) Y Y M A Xi I Yj ( ) RSF(/ ) ( ) ( ) 式中 X Y 为元素种类 X 与种类 Y 的质量分数比 如果种类 Y 是基体 M M :( )/( ) “ ” “ ” 。 “ ” RSF( / )= 则 X 为 X 的绝对杂质质量分数 对于纯元素基体 仅有非常小的误差1.0, ( ) “ ” ( , )。3 试剂与材料 除非另有说明 试验中所用的试剂均为分析纯 所用的水为三级水 , ; 。31 冰醋酸 纯度不小于 . ( 99.5%)。32 硝酸 . (1+1)。33 无水乙醇 纯度不小于 .
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