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联 茂 电 子 股 份 有 限 公 司8文件标题:CAM制作规范页数: 37文件编号:W-M2-071版本/版次:A-2XX电子股份有限公司制订日期: 94年01 月17日制订部门:制二部 工程课页数:共37页文件标题:CAM制作规范文件编号:W-M2-071版本版次:A2制订 核准审查修订记录版本/版次修订内容生效日期A-1新增”CAM作业程序检查表”及”CAM覆检表”91/08/29A-2详增订94/01/191.1 Bacher&CBT(川宝)自动曝光机边框机构图:1.1.1 Bacher边框说明:1.1.1.1 Bacher自动曝光机底片边框为610*674mm与CBT(川宝)共享。1.1.1.2 在边框短边中心线各加一个底片靶标,两靶标点距离为638.45mm。1.1.1.3 在边框长边中心线各加一个底片靶标,两靶标点距离为592mm。1.1.1.4 上底片靶标为15.25*15.25mm正方形遮光区,中心有一直径为5mm透光区。1.1.1.5 下底片靶标为15.5*15.5mm正方形透光区中心有一直径为3mm遮光区。1.1.1.6 上下底片迭合环距为1mm。1.1.2 CBT(川宝)边框说明:1.1.2.1 川宝自动曝光机底片边框为610*674mm与Bacher共享。1.1.2.2 在边框短边距Y轴中心线15.24mm加一个底片靶标,两靶标点距离为633.1mm。1.1.2.3 上底片靶标为一外环15*15mm内环14.5*14.5mm之方框所围成,中心有一内圆直径为1.6mm外圆直径为2.2mm的donut环性圆,内圆为透光区。1.1.2.4 下底片之靶标方框与上底片相同,中心有一内圆直径为1mm且为遮光区。1.1.2.5 上下底片迭合环距为0.3mm。1.2 志圣(C-SUN)自动曝光机边框机构图:1.2.1 志圣边框说明:1.2.1.1 志圣自动曝光机分新旧机型,其对位mark不同,但作于同张底片边框。1.2.1.2 根据志圣自动曝光机的特性在底片上添加与其适应的对位靶标和破真空mark。1.2.1.3 边框尺寸为672mm*597mm,在边框短边双边各加一组对位靶标。1.2.1.4 以边框左下角为零点,对位mark分上下底片。1.2.1.5 新志胜上底片对位mark为外框15*15mm内框14.5*14.5mm方框围成,中有直径1mm遮光圆,下底片同上底片之方框所围成,中间内圆直径为1.4mm外圆直径为2.0mm的donut环性圆,内圆为透光区,上下底片迭合后单边有0.2mm之环距。1.2.1.6 旧志胜上底片对位mark为1.397*1.397mm(55*55mil)遮光方框围成,中间有一线宽0.127mm(5mil)之透光十字,下底片之对位mark为外框1.397*1.397mm(55*55mil)内框1.143*1.143mm(40*40mil)方框围成之方框,中间有一线宽0.0762mm(3mil)之遮光十字,上下底片迭合后单边有0.0254mm(1mil)之间距。1.2.1.7 破真空mark无分上下底片,新旧机型形状不同但位置皆相同。1.3 ADTEC自动曝光机边框机构图:1.3.1 ADTEC边框说明:1.3.1.1 ADTEC自动曝光机底片边框为685*595 mm。1.3.1.2 ADTEC对位mark之symbol为Iteq_adtec_ccd。1.3.1.3 在四个角落的A、B、C虚线方框区域各添加1个对位mark,D区虚线方框添加2个,其中一个为防呆孔。1.3.1.4 四个角落的虚线方框区域皆为对位mark可放置之区域,最大为500*600mm,最小为260*290mm。1.3.1.5 A B区的对位mark在Y轴方向有10mm之高低差。1.3.1.6 C区的对位mark与D区同高度。1.3.1.7 D区之对位mark与防呆Mark,在Y轴方向有10mm之高低差。1.3.1.8 遇与其他Tooling重迭时可适度位移调整,但须对称位移:1.3.1.9 例如:A B区两孔向下移20mm,则C D区两孔需同时向上位移20mm(向中心零点位移,且A B与C D两组孔需同时位移,不可单孔位移)。1.3.1.10 例如:A C区两孔向右(中心零点)位移,则B D区两孔亦须同时向左(中心零点)。1.3.1.11 以ADTEC曝光时,内层板须先于对位mark处钻5个直径3.175的孔(通称AD孔),所以需输出钻孔程序,以.ad为扩展名,例如:ta12-8012.ad。1.3.1.12 因以内层板钻孔方式对位,所以上下底片之图形相同。1.3.1.13 AD孔之中心距离开料线
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