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模拟电子技术 1 模拟电子技术复习资料答案 一、填空题 1. 半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 掺杂性 、 热敏性 、 光敏性 ； 其电阻率分别受 杂 质 、 温度 、 光照 的增加而 下降 。 2. 用于制造半导体器件的材料通常是 硅 、 锗 和砷化镓。 3. 当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 导电 能力会发生很大的变化。 4. 纯净的、不含杂质的半导体，称为 本征半导体 。 5. 在 N 型半导体中如果掺入足够量的 三 价元素，可将其改型为 P 型半导体。 6. 本征半导体中掺入 III 族元素，例如 B、Al ，得到 P 型半导体。 7. 本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越_ 多 ，而 少数载流子应是_ 空穴 _，掺杂越多，则其数量一定越 少 。 8. 半导体中存在着两种载流子：带正电的_ 空穴 _和带负电的 _电子 。 9. N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。 10. 杂质半导体分 N 型（电子） 和 P 型（空穴） 两大类。 11. N 型半导体多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。P 型半导体多数载流子是 空穴 ， 少数载流子是 电子 。 12. 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 掺杂浓度 ，而少数载流子则与 温度 有很大关系。 13. PN 结的主要特性是 单向导电性 。 14. PN 结是多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的 漂移 运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称 为 空间电荷区（势垒区） 或 耗尽区（阻挡层） 。 15. PN 结加正向电压时，空间电荷区变 窄 ；PN 结加反向电压时，空间电荷区变 宽 。 16. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为 零 。 17. PN 结两端电压变化时，会引起 PN 结内电荷的变化，这说明 PN 结存在 电容效应 。 18. 二极管是由 一 个 PN 结构成，因而它同样具有 PN 结的 单向导电 特性。 19. 二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述，其数学式是 I=IS(eU/UT- 1) ，其曲线又可分三部分： 正 向特性 、 反向特性 、 击穿特性 。 20. 晶体二极管的正向电阻比其反向电阻 小 ，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的 低 ，击 穿区的交流电阻又比正向区的 小 。 21. 有两个晶体二极管 A 管的=200，ICEO=200A；B 管的=50，ICEO=10A，其他参数大致相同，相比 之下 B 管的性能较好。 22. 点接触二极管的主要优点是 结电容 小，多用于 高频检波、小电流整流及小功率开关电路 。 23. 稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在 击穿区 ，所以当 反向电压 大于稳定电压 UZ时， 它才能产生稳压作用。 24. 变容二极管是利用 PN 结的 势垒电容 随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。 25. 双极型三极管有 两 种极性的载流子参与导电；场效应管有 一 种极性的载流子参与导电。 26. 三极管有两个 PN 结，即 发射 结和 集电 结，在放大电路中 发射 结必须正偏， 集电 结必 须反偏。 27. 三极管个电极电流的分配关系是 IE= IB+IC 。 28. 三极管有_NPN_型和_PNP_型，前者在电路中使用的符号是_，后者在电路中使用的符号是 _。 29. 晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需 重 掺杂，基区宽度要 窄 ；外部条件 是：发射结要 正向 偏置，集电结要 反向 偏置。 30. 处于放大状态的三极管 IC与 IB的关系是_IC= IB _，处于饱和状态的三极管 IC不受 IB的控制，_失去_ 了放大作用，处在截止状态的三极管 IC0_。 模拟电子技术 2 31. 电流放大系数的定义是 IC/IB 。 32. 当 NPN 锗管工作在放大区时，在 E、B、C 三个电极中，以 集电极 电位最高，_发射极_的电位最低； UBEQ约等于 0.2V 。 33. 当 PNP 型硅三极管处于放大状态时，在 E、B、C 三个电极中，以_发射_极电位最高，_集电_极的电 位最低。 34. 三极管的反向饱和电流 ICBO随温度的升高而_升高_，穿透电流 ICEO随温度升高而_增加_，UBE随 温度的升高而_下降_，值随温度的升高而_增加_。 35. 三极管的三个主要极限参数是_PCM_、_ICM_和_反向击穿电压_。 36. 从三极管的输出特性曲线看，三极管可分成 放大区 、 饱和区 、_截止区_和击穿区四个工作 区域。 当三极管工作在_放大_区时， 关系式 IC=IB才成立； 当三极管工作在_截止_区时， IC0； 当三极管工作在_饱和_区时，UCE0。 37. 三极管有三个电极，分别是 集电极 、 发射极 和 基极 。 38. 用直流电压表测得某放大器中 NPN 型三极管的三个极对地的电位分别为 VB=+10.7V, VC=+10.3V, VE=+10V，则该管工作在_饱和_区。 39. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+3.1V, VB=+2.9V, VC=- 2V，则 从材料看为 锗 管，从结构上看为 PNP 型管，且 A 为 发射 极，B 为 基 极，C 为 集 电 极。 40. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+6.3V，则 从材料看为 硅 管， 从结构上看为 PNP 型管， 且 A 为 发射 极， B 为 集电 极， C 为 基 极 极。 41. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+2.5V，则 从材料看为 硅 管， 从结构上看为 NPN 型管， 且 A 为 集电 极， B 为 发射 极， C 为 基 极 极。 42. 在放大状态下，三极管的 1，2，3 三个电极的电流分别为 I1=1.5mA，I2=30A，I3=1.53mA，则电极 1 为集电极，电极 2 为基极，电极 3 为发射极。= 50 ，= 0.98 。 43. 从输出特性上分析单级 PNP 管组成的放大电路， 如果静态工作点在负载线上设置偏高， 有可能导致_ 饱和_失真，从示波器上看输出电压波形是 顶部 失真；工作点设置偏低，则有可能导致_截止_ 失真。 44. 交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的变化（或交流）量，而放大电路设置静态工作点的目的 是为了使输出信号的变化线性地跟随输入信号而变化（如输入信号为正弦波，输出信号也为正弦波） 。 45. 如图一(a)是 NPN 管共射放大电路。若其输出波形如图一(b)、(c)所示，则图一(b)是_饱和_失真，解 决办法是将基极偏置电流调 小 ； 图一(c)是 截止 失真， 解决办法是将基极偏置电流调 大 。 46. 放大电路有两种工作状态，Ui=0 时的直流状态称为_静_态；当有交流信号 Ui输入时，放大电路的 工作状态称为_动_态，此时，三极管各极电压、电流均有_直流_分量和_交流_分量两部分 叠加而成。 47. 在画低频放大电路的交流通路时，通常将电路中的_电容 和 直流电源_视为短路。 (b) 图一 +VCC Rb RC RL UO Ui (a) t UO 0 t UO 0 (c) 模拟电子技术 3 48. 交流放大电路的基本分析方法有_图解法 和 微变等效电路法_两种。 49. 对于电压放大电路，输入电阻越_大_，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越_小_， 放大电路带负载的能力越强。 50. 影响放大电路工作点稳定的主要因素是 温度 的变化，稳定工作点常用的措施是在电路中引入 直流负反馈 。 51. 在单级共射放大电路中，如果静态工作点在负载线上设置偏高，容易出现_饱和 失真，常通过调 整 基极偏置电阻 元件来消除失真。 52. 在单级共射放大电路中（如图一(a)电路所示） ，如果输出信号的波形产生了截止失真，常通过调整_ 基极偏置电阻 Rb 元件来消除失真，且应_减小_其阻值。 53. 在单级共射放大电路中，无论是 NPN 型还是 PNP 型晶体三极管，当静态工作点在负载线上设置偏高 时，容易出现_饱和 失真，过低时容易产生 截止 失真。若采用基极上偏置电阻 Rb来消除失真， 对于前者应使 Rb 增大 ，对于后者应使 Rb 减小 。 54. 反映双极型晶体三极管（BJT 管）放大能力的参数是 ，反映场效应管（FET 管）放大能力的参 数是 跨导 gm 。 55. BJT 管是 电流 控制器件，而 FET 管则是 电压 控制器件。 56. 当 BJT 管发射结正偏，集电结反偏时，放大电路工作在 放大 区；当 BJT 管发射结和集电结均正偏 时，放大电路工作在 饱和 区；当 BJT 管发射结和集电结均反偏时，放大电路工作在 截止 区。 57. 双极型晶体三极管放大电路有 共基 、 共集 和 共射 三种连接方式。 58. 放大电路中的三极管有_共基 、 共集 和 共射 _三种接法，其中电压、电流放大倍数都比 较大的是_共射_接法。所谓共射放大电路，是指在电路的交流通路中，以_发射_极作为输入输 出信号的共同参考点。 59. 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中， 共射 放大电路同时具有较大的电压放大倍数和电流 放大倍数； 共集 放大电路的电压放大倍数最低。 60. 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中， 共射 放大电路既有电压放大，又有电流放大； 共 集 放大电路只有电流放大，而无电压放大； 共基 放大电路只有电压放大，而无电流放大。 61. 在共射、共基和共集三种组态的单管放大电路中，欲要带负载能力强的应选 共集 电路，欲要电压 放大且频率响应好的应选 共基 电路。 62. 共集电极电路的特点是：输入电阻 很大 ，输出电阻 很小 ，电压放大倍数 小于近似等于 1 ， 动态范围 较大 。 63. 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中， 共集 放大电路的输入电阻最高；_共集_放大电路 的输出电阻最低。 64. 在共射、 共基和共集三种组态单管放大电路中， 共集和共基 电路输入输出电压同相， 共射 电 路输入输出电压反相。 65. 在共射、 共基和共集三种组态单管放大电路中， 当待处理的信号是电流时， 可采用 共基 放大电路， 利用的是该电路的 输入电阻小、输出电阻大 的特点。 66. 直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路比较，存在着三个主要特殊问题是： 各级静态工作点相互影 响 、 需要电平配置 和 零点漂移 。 67. 零点漂移一般都是折合到 输入 端来衡量的。若 Au=1000，输出端最大漂移为 50mV，则该放大电 路的漂移为 50V 。 68. 多级放大器的耦合方式有：直接耦合、 阻容耦合 和 变压器耦合 三种。 69. 多级交流放大电路的极间耦合方式有_直接耦合_、_阻容耦合 和 变压器耦合_三种，在低频 电压放大电路中常采用_阻容_耦合方式，_直接_耦合电路存在零点漂移问题。 70. 多级放大电路中，第一级电压增益为 40dB，第二级电压增益为 20dB，则总电压增益为 60dB ， 折算为电压放大倍数为 1000 倍。 71. 多级放大电路中，第一级电压放大倍数为 100 倍，第二级电压放大倍数为 1000 倍，则总电压放大倍 数为 105 倍，折算为电压增益为 100 dB。 模拟电子技术 4 72. 一般而言， 多级放大电路的输入电阻等于 第一级的输入电阻 ； 输出电阻等于 末级的输出电阻 。 73. 场效应管从结构上可分为 结型场效应管 和 绝缘栅场效应管 两大类；从其导电沟道上可分为 N 沟道和 P 沟道两大类。 74. 场效应管在其输出特性上可分为 饱和（或线性放大，或恒流） 区、 截止 区、 可变电阻 区和 击穿 区四个区域。 75. 场效应管放大电路中，其输入电阻 很高 ，故栅流 IG 0 。 76. 场效应管的共漏组态电路通常称为 源极跟随器 ，它和双极型晶体三极管的共集组态电路具有相似 的特性，即输入电阻 很高 ，输出电阻 很低 ，电压放大倍数 小于近似等于 1，且输入电出电 压的相位 相同 。 77. 场效应管放大电路有_共栅_、_共源_和_共漏_三种连接方式。 78. 在如图二所示的电路中，VT1、VT2组成两级_阻容_耦合放大电路。其中 VT1管组成_共射_电路， VT2管组成_共集_电路，又称_射随器_电路；电路中 C1、C3、C4称为_隔直耦合_电容，其作 用是_隔断晶体三极管与信号源或负载之间的直流联系，并使信号能顺利通过，即起到耦合信号（传 送交流）的作用_，C2称为_旁路_电容，其作用是_为发射极电流中的交流成分提供通路，使发射 极电阻（如图二中的 R4）两端的交流压降为零_。 79. 在晶体三极管放大电路中， 当 f=f时， |值为0（低频时的数值） 的 2倍； 当 f=fT时， |值为 =1 ， fT称为 特征频率 ，f称为 共射截止频率 。 80. 单级共射放大电路高频特性的斜率为 - 20 dB/十倍频程，若中频区的|Au|=100，折合 40 dB；当 f=fh时，折合为 37 dB，其附加相移为 - 45 度。 81. *含有两个极点频率的放大电路，其高频区对数幅频特性的最大斜率（指绝对值）为 40 dB/十倍 频程。 82. *由两级相同的放大器组成的多级放大电路，已知每级电压增益为 20dB，上限频率为 10kHz，下限频 率为 50Hz，则多级放大电路总电压增益为 40 dB，总上限频率 fh 10/21/2 kHz，总下限频率 fL 21/250 Hz，总的带宽 fbw fh10/21/2 kHz。 83. 为了使输出电流稳定，应引入_交流电流负_反馈，其输出电阻将_增大_。 84. 为了使输出电压稳定，应引入_交流电压负_反馈，其输出电阻将_减小_。 85. 若希望负载变化时，放大器的输出电压稳定，应引入 交流电压负 反馈，此时输出电阻将 减小 。 86. 为了使放大器的输入电阻提高，应引入_交流串联负_反馈。 87. 为了使放大器的静态工作点稳定，应引入_直流电流负_反馈。 88. 若要减小放大器从信号源索取电流，应引入_交流串联负_反馈。 89. 若要提高放大器的带负载能力，应引入_交流电压负_反馈。 90. 若信号源的内阻大，应引入_交流并联负_反馈，效果才显著。 R1 R3 C3 C1 Uo Ui + + +Vcc - R4C2 R2 R5 VT1VT2 R6R C4 L 图二 模拟电子技术 5 91. 交流串联负反馈只有信号源内阻 较小 时，效果才显著。 92. 负反馈有四种类型： 电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、_电压并联_负反馈和_电流并联 _负反馈。 93. 电路引入负反馈可以改善放大电路的性能，如_提高增益的稳定性_、_展宽通频带_、_减小非线性 失真_、_根据需要改变输入输出电阻_等等。 94. 某放大器无反馈时，输入信号为 20mV，输出电压为 10V。而引入负反馈后，欲使输出电压不变，则 输入信号应增大为 200mV，故所引入的反馈深度为_10_。 95. 负反馈放大器产生自激振荡的条件为开环增益与反馈系数的乘积FA & =_- 1_。 96. 某放大器的闭环增益为 40dB，当基本放大器的增益的相对变化量变化了 10%时，闭环增益的相对变 化量变化 1%，则开环增益为_60_dB。 97. *欲使负反馈放大电路稳定可靠地工作，应要求增益裕度 Gm - 10dB ，相位裕度m 45 度 。 98. 在低频功率放大器中， 集电极电流的导通角= 180 为甲类； 导通角= 90 为乙类； 90 uGS- UGS(th)放大区（或恒流区） ； uDS=uGS- UGS(th)预夹断； uDSuGS- UGS(th) 放大区； uDS=uGS- UGS(th) 预夹断； uDSUGS(th)时才有 Id。 图(c)，uiBS=- 5VUGS(th)，沟道已开启，管子导通；但 uDSUGS(th)，沟道已开启，管子导通；且 uDSuGS- UGS(th)，18(18- 3)，所以工作在放大区。 14. 对于单管 CE 电路，测得电源电压 UCC=12V，集电极对地电位为 0.2V，则该管处于（ 1 ） 。 （1）饱和区 （2）放大区 （3）截止区 （4）击穿区 15. 一共发射极放大电路，UCC=9V，UC（集电极对地）=0.2V，则其管子处于（ 2 ） 。 （1）放大区 （2）饱和区 （3）截止区 （4）击穿区 16. 对于单管 CE 电路，若输出电压出现饱和失真，消除它应使（ 1 ） 。 （1）Rb （2）Rb （3）选大的管 （4）RL 17. 由输出特性分析单级 PNP 型管组成的放大电路， 若从示波器上看输出电压波形的顶部被削波这属 于（ 2 ）失真。 （1）截止 （2）饱和 （3）线性 （4）交越 18. 为使放大器输出电压动态范围最大，应调整工作点 Q 位于（ 3 ） 。 （1）直流负载线的中点 （2）直流负载线的最低点 （3）交流负载线的中点 （4）交流负载线的最低点 19. 放大电路的图解分析方法（ B ） 。 A 只能分析直流状态 B 既能分析直流状态，也能分析交流状态 C 只能分析交流状态 D 只能分析小信号交流状态 20. 在放大电路中，适当使 ICQ减小，则晶体管的（ C ）将会明显增加。 (hfe) ICEO rbe(hie) BUCEO 21. 在放大电路中，适当使 ICQ增大，则放大器的（ D ） 。 Ri Ro fh |Au| 22. 基本共射放大电路中，ICQ=1mA，当更换晶体三极管时，从 50 增大为 100，则该放大器的电压 模拟电子技术 8 放大倍数|Au|（ D ） 。 约为原来的 1/2 约为原来的 2 倍 约为原来的 4 倍 基本不变 23. 对于电压放大电路的输入电阻、输出电阻，说法正确的是（ C ） A 输入电阻愈小愈好，输出电阻愈小愈好 B 输入电阻愈大愈好，输出电阻愈大愈好 C 输入电阻愈大愈好，输出电阻愈小愈好 D 输入电阻愈小愈好，输出电阻愈大愈好 24. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ C ） 。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 电源电压不稳定 25. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ C ） 。 A 便于设计 B 放大交流信号 C 不易制作大容量电容 D 克服温漂 26. 直接耦合放大电路（ A ） 。 既能放大直流信号也能放大交流信号 只能放大直流信号 只能放大小信号交流信号 只能放大交流信号 27. 一个多级放大器的电压放大倍数为（ B ） 。 A 各级电压放大倍数之代数和 B 各级对数放大倍数之代数和 C 各级电压放大倍数之差 D 各级对数放大倍数之乘积 28. 两级级联放大电路，其后级的输入电阻是前级的（ D ） A 输出电阻 B 输入电阻 C 信号源内阻 D 负载电阻 29. 单级放大器的增益带宽积比多级放大器的增益带宽积（ ） 。 大 小 相等 不能确定 30. 某放大器输出端开路电压为 4V，接入 3k负载电阻后，输出电压为 3V，则放大器的输出电阻为 （ C ） 。 A 10 k B 2 k C 1 k D 0.5 k 31. 为了使高阻信号源于低阻负载能很好地匹配，可以在二者之间接入（ C ） 。 A 共射放大电路 B 共基放大电路 C 共集放大电路 D 共射共基级联放大电路 32. 为了使信号电压能有效地放大，且带负载能力强，在信号源与负载间接入（ D ） 。 A 共射放大电路 B 共基放大电路 C 共集放大电路 D 共射共集级联放大电路 33. 为了把一个内阻小的电压源转变为内阻尽可能大的电流源，可以在信号源后接入（ B ） 。 A 共射放大电路 B 共基放大电路 C 共集放大电路 D 共射共集级联放大电路 34. 在放大电路中，既要能放大电压，由要能放大电流，应选用（ 2 ） （1）共集电路 （2）共射电路 （3）共基电路 （4）不能确定 35. 对于单管放大器，若输入耦合电容 C1增大，其他参数不变，则下限频率 fL（ B ） 。 A 变大 B 变小 C 基本不变 D 不能确定 36. 对于单管 CE 放大器，若发射极旁路电容 Ce增大，其他参数不变，则下限频率 fL（ B ） 。 A 变大 B 变小 C 基本不变 D 不能确定 37. 对于单管 CE 放大器，若集电极电阻 RC减小，其他参数不变，则上限频率 fH（ A ） 。 A 变大 B 变小 C 基本不变 D 不能确定 38. 为了提高放大器的上限频率，除了减小中频电压放大倍数外，还应选发射结等效电容（C或 Cbe） 和集电结等效电容（C或 Cbc） （ B ） 。 A 大 B 小 C 任意 D 不能确定 模拟电子技术 9 39. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频响应（ 1 ） （1）好 （2）差 （3）差不多 （4）从差到好 40. 当一级放大器的 f=fL时，其 uo的附加相移要比中频区（ B ） 。 A 超前 90 B 超前 45 C 滞后 45 D 滞后 90 41. 当一级放大器的 f=fh时，其 uo的附加相移要比中频区（ C ） 。 A 超前 90 B 超前 45 C 滞后 45 D 滞后 90 42. 由三级 fh相同的放大器组成多级电路时，则在 f=fh处，uo的附加相移要比中频区时（ C ） 。 A 超前 270 B 超前 135 C 滞后 135 D 滞后 270 43. 由三级 fh相同的放大器组成多级电路时，则在 f=fh处，其 Au要比中频区时（ B ） 。 A 高 9 dB B 低 9 dB C 高 3 dB D 低 3dB 44. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ） ，则说明引入的反馈是负反馈。 A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 45. 与无反馈放大电路相比，负反馈放大电路的（ B ） 。 A |Auf|，fbw B |Auf|，fbw C |Auf|，fbw D |Auf|，fbw 46. 为稳定放大电路的输出电流，提高输入电阻，应在电路中引入以下哪种类型的负反馈（ D ） A 电压并联 B 电压串联 C 电流并联 D 电流串联 47. 为了使放大电路的输出电压稳定，且输入电阻提高，应引入（ A ） 。 A 电压串联负反馈 B 电流串联负反馈 C 电压并联负反馈 D 电流并联负反馈 48. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ B ） 。 A 电流串联正反馈 B 电流串联负反馈 C 电流并联正反馈 D 电流并联负反馈 49. 欲得到电流电压转换电路，应在放大电路中引入（ C ） 。 A 电压串联负反馈 B 电流串联负反馈 C 电压并联负反馈 D 电流并联负反馈 50. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（ A ） 。 A 电压串联负反馈 B 电流串联负反馈 C 电压并联负反馈 D 电流并联负反馈 51. 欲从信号源得到更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ D ） 。 A 电压串联负反馈 B 电流串联负反馈 C 电压并联负反馈 D 电流并联负反馈 52. 引入负反馈后，说法正确的是（ 1 ） （1） 放大倍数为原来的 1/(1+AF)，通频带变宽 （2） 放大倍数为原来的（1+AF） ，通频带变宽 （3） 放大倍数为原来的 1/(1+AF)，通频带变窄 （4） 放大倍数为原来的（1+AF） ，通频带变窄 53. 串联负反馈放大器的输入端的比较环节具有（ C ） 。 A I+If=Ii B Ii +If= I C U+Uf=Ui D Ui +Uf= U 注意：下标中“i”原输入； “”净输入； “f”反馈。 （下同） 54. 并联负反馈放大器的输入端的比较环节具有（ A ） 。 A I+If=Ii B Ii +If= I C U+Uf=Ui D Ui +Uf= U 55. 负反馈放大器的闭环增益为 40dB，要求 Uo=1V，则 Ui应为（ A ） 。 A 10mV B 20mV C 25mV D 100mV 56. 某深负反馈放大电路，若开环放大倍数 A 增大一倍，则闭环放大倍数|Auf|（ D ） 。 约增大一倍 约增大二倍 约减小一半 基本不变 模拟电子技术 10 57. 某深负反馈放大电路中，其反馈深度|1+FA & |应（ A ） 。 1 1 1 1 58. 在深负反馈放大电路中，闭环放大倍数 Af （ C ） 。 1/ (1+FA & ) 1+FA & 1/F & F & 59. 在深度串联负反馈放大电路中，其输入回路应具有（ C ） 。 A If Ii B If I C Uf Ui D Uf U 60. 在深度串联负反馈放大电路中，其输入回路应具有（ A ） 。 A If Ii B If I C Uf Ui D Uf U 61. 在深负反馈放大电路中，理论上两级负反馈放大电路（ B ）产生自激振荡。 A 很容易 B 较容易 C 不会 D 不能确定 62. 放大电路产生零点漂移的原因，主要是由于温度变化对电路中的（ D ）有影响。 A 电阻 B 电容 C 电感 D 晶体管参数 63. 理想情况下，双端输出方式的差分放大器的共模抑制比 KCMR应（ B ） 。 A 等于零 B 等于无穷大 C 等于 1 D 小于 1 64. 理想情况下，双端输出方式的差分放大器的共模电压放大倍数应（ A ） 。 A 等于零 B 等于无穷大 C 等于 1 D 小于 1 65. 选用差分放大电路的原因是（ A ） 。 A 克服温漂 B 提高输入电阻 C 稳定放大倍数 D 便于设计 66. 差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（ A ） ，共模信号是两个输入端信号的（ C ） 。 A 差 B 和 C 平均值 D 比值 67. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的公共发射极电阻 Re，将使单端输出电路的（ B ） 。 A 差模放大倍数数值增大 B 抑制共模信号能力增强 C 差模输入电阻增大 D 共模输出电阻减小 68. 差分放大器的差模输入是指两输入端信号（ D ） A 大小不等，相位相同 B 大小不等，相位相反 C 大小相等，相位相同 D 大小相等，相位相反 69. 差分放大器的共模输入是指两输入端信号（ C ） A 大小不等，相位相同 B 大小不等，相位相反 C 大小相等，相位相同 D 大小相等，相位相反 70. 差分放大电路中，用恒流源替代长尾电阻 Re的好处是对共模信号而言（ B ） 。 A 直流电阻大，交流电阻小 B 直流电阻小，交流电阻大 C 直流电阻大，交流电阻大 D 直流电阻小，交流电阻小 71. 理想运算放大器工作在线性区的特点是：同相和反相输入端的电压及同相和反相端的电流 分别是（ 3 ） （1）等于零；相等 （2）等于零；等于零 （3）相等；等于零 （4）相等；不等于零 72. 电路如图四所示，最大输出功率为（ 3 ） （1）1W (2)2W (3)4W (4)8W 73. 欲要使互补推挽功率放大电路的输出功率为 50W，则需选