【毕业学位论文】细微间距球栅阵列锡球的快速疲劳寿命分析

國高雄大學土木與環境工程學系 碩士文 細微間距球柵陣錫球之快速疲壽命分析 究生：宏明 指導教授：俞肇球 中華民國九十七七月 指導教授：俞肇球 博士 國高雄大學土木與環境工程系 學生：宏明 國高雄大學土木與環境工程系碩士班 摘要 似於通常在地震之結構設計的過程中所應用的一種反應譜分析，此種快速之分析方法用執對於承受振動下之細微間距球柵陣的錫球，其疲壽命的評估；在期間，建三個值模型以用逐步分析計算錫球內部的應變與應場。這個值模型和其材性質透過彎曲的試驗及修改之 振動試驗做驗證。為考慮未可能應用於分析材非線性與系統阻尼的影響，本文採用顯性暫態分析。值分析上，目前暫以個同階段的模型執，分別是 (1) 整體主系統 與 (2) 錫球子系統，模擬的結果與實驗的結果比對，是相當一致的。 本研究主要針對 裝體以有限元素分析與實驗的相互配合，探討封裝體錫球於共振頻下之振動疲壽命；值模擬方面，採用有限元素分析，對裝體在實際振動測試條件下，進振動模擬分析，進而計算錫球內部之應與應變。在值分析中，可以觀察到，封裝體與測試電板之整體主系統的分析結果相當受楊氏係及阻尼係之影響。而實 驗部分，對測試片施加正弦函之負載，進由低頻到高頻的掃頻振動測試，以得知其第一共振頻。疲測試則採用固定頻、固定輸入振幅，續振動直到封裝體因錫球產生疲破壞而失效，以此取得封裝體錫球之振動疲壽命。透過高倍光學顯微鏡及掃描式電子顯微鏡 察錫球細部疲破壞縫，結果發現錫球之疲破壞位置在靠近晶片封裝體的接合介面附近，與相關文獻中所述之破壞位置吻合。本研究對於電子元件封裝體錫球之疲破壞分析，提供快速 範修訂的值分析方法，將可成為一種快速疲評估的工具。 關鍵字 ：時域分析、細微間距球柵陣、錫球、疲實驗 u to a in a is to of to a to of as as a In to of in an is As a on at (1) 2) In 5 of (1) 2) is EM in in in 謝 感謝指導教授俞肇球師這二於 課業上與研究上的指導，師以愛的教育代替責罰、以寬容和藹的教育代替 嚴厲，以及嚴謹的治學態與努懈的研究，教導學生於學習期 間逐步完成文內容，使學生受多。同時，在整段艱辛的過程中， 也由於齡微師母時時關心問，讓學生倍感溫馨。感激系上各 位師專業知的教導與啟發。 感謝賴少博士與蔡宗岳學長的指導 ，使得研究過程加順，心中甚是感激。也感謝日月光楊秉豐學長、陳燦 賢學長對於實驗上的協助與資的提供。試驗室的學長姐們：雀君、效 銓、靜君、俊弘、建銘、英志、小碧、阿達、秀美、靜宜與小玉 ，感謝你們在實驗方面的支持與幫忙。研究室的同學們：政佑、建琦、英智、耀增、政宇、佳民、証耀、佳靜、琬、君傑、京澤、琨焯等，於 生活上及學業上的相互扶持及學弟們的幫忙、表弟志傑的支持與胡琳的鼓、在此特別表示感激。 最後，謹將本碩士文獻給父母、恩 師與百忙中抽空為我口試的委員：賴少博士與鄭錦銅教授。再次感謝日 月光公司提供儀器設備、試驗材與研究上的所有相關 資，使得本文得以順完成。 宏明 於高雄大學工學院 501 中華民國 97 7 月 文摘要 .文摘要 謝 目 .目 . 1 章 緒 .前言 .研究動機與目的 .文獻回顧 研究方法 . 2 章 封裝技術與分析原 .積體電 (裝 .球柵陣 (裝 .封裝型式與種 結構振動的分析方法 有限元素法原 章 值分析 .值分析工具簡介 . 前處 . 主程式 . 後處 .有限元素模型的建 . 模型建 . 材性質 .負載與邊界條件 .快速掃頻模擬分析 . 4 章 實驗 .結構振動特性 . 共振頻 . 阻尼 .振動實驗裝置 .實驗依據、材與設備 . 準振動規範 . 實驗試片 .掃頻疲振動試驗 .實驗程序 . 振動機掃頻速測試 .定頻振動疲實驗 . 實驗架構程序與測試 . 疲試驗與破壞損傷 . 失效結果與分析 .結果與討 . 5 章 結 .結語 .未研究方向 .考文獻 . 1整體研究架構 . 3範標準測試板 . 3測試片相同尺寸值模型板 . 3空板之勁測試裝置 . 3無封裝體之測試用印刷電板 . 3對稱之剛性支座 . 3位移測計 . 3磁性機械手臂 . 3測水準器 . 3加重負載器 . 3板勁試驗之值模擬 . 3片封裝體示意圖 . 3體元素與殼元素間的轉換 . 3值上固體元素封裝體之勁測試 . 3效之殼元素封裝體 . 3動條件之加速 . 3動條件之振幅 .3動台實驗配置示意圖 . 3頻 的時間與頻關係曲線 . 3動負載輸入之位移 . 3速反應譜 (模擬上 ). 4振動實驗設備 . 4試驗測試片 . 4固定測試片輔助平台與扭板手 . 4電磁式振動試驗機 . 4微型加速規 . 4栓與蜜 . 4動控制器主機 . 4制軟體 . 4範標準振動試驗封裝體測試板尺寸示意圖 . 4動條件 (a)頻與加速 (b)頻與振幅 . 4驗用測試板幾何尺寸為 132 77 1 . 496L 晶片封裝體 . 4銀銅合 g u 無鉛錫膏 4密之定位鋼板 57 圖 4自動錫膏印刷機 57 4學定位儀器 58 圖 4風式回焊 58 圖 4上錫膏之測試板 60 圖 4勻塗抹錫膏於定位鋼板上 61 圖 4視錫膏是否有與測試板上之焊墊對準 61 圖 4片封裝體鑲於測試板上之定位動作 61 圖 4段式溫差之回焊作業 62 圖 4焊溫曲線 62 圖 4驗試片內部電阻值之檢測 63 圖 4動掃頻速測試實驗之設置 65 圖 420 G 掃描速 1 譜響應分析程 66 圖 420 G 掃描速 7.5 譜響應分析程 420 G 掃描速 26 譜響應分析程 . 4同速下掃頻的頻譜響應 68 圖 4接電線測試板之疲實驗 69 圖 4測控制台 70 圖 4接線測試板疲試驗之加速值 71 圖 4接線測試板疲試驗之加速值 (電線未固定 ) 4接線測試板疲試驗之加速值 (電線黏於振動台 )420 G 定頻振動下 時各封裝體失效時間與位置 . 43 G 定頻振動下 1小時各封裝體失效時間與位置 . 41 G 定頻振動下 70 小時各封裝體失效時間與位置 420 G 定頻振動下 時各封裝體失效區域分佈 . 43 G 定頻振動下 1 小時各封裝體失效區域分佈 . 41 G 定頻振動下 70 小時各封裝體失效區域分佈 4鏈 78 圖 4裝體紅染觀察 79 圖 4裝體紅染觀察 79 圖 4裝體紅染觀察 80 圖 4裝體錫球破壞位置分佈 80 圖 4裝體錫球破壞平面圖 81 圖 4裝體錫球疲破壞斷位置示意圖 82 圖 4裝體錫球破壞位置分佈 82 圖 4裝體錫球破壞平面圖 83 圖 4裝體錫球疲破壞斷位置示意圖 83 圖 4裝體垂直斷面觀察 . 4同強振動下 裝體角 球破壞情形 . 4 20G 振動下 裝體錫球破壞斷位置分佈圖 .4 3G 振動下 裝體錫球破壞斷位置分佈圖 87 圖 4 1G 振動下 裝體錫球破壞斷位置分佈圖 88 圖 4 1G 下之 裝體 球破壞斷剖面圖 4 1G 下之 裝體 球破壞斷剖面圖 . 3正反面測試電板勁試驗之位移平均值 32 表 3電板勁實驗與值模擬之位移值比較表 33 表 3晶片封裝體各層之厚 34 表 3修正主系統元件之材性質 36 表 4準正弦振動試驗條 . 4測試板之複合層板詳細材成份 55 表 4振動試驗裝置之架構內容 64 表 4同速下掃頻的鋒値位置與大小 68 表 4中間封裝體在同強下的失效時間與週期 77 表 4裝體在同強下的失效時間與週期 77 1第 1 章 緒 前言 在二十世紀，半導體封裝技術的快速進展與產品的應用主要以輕、薄、短、小、功能佳為主要，以至於快速 地成就一的技術改進與突破；但是，在 21 世紀的現在，所期望的是穩定、功能好、價錢低、外表美觀、輕薄短小地於攜帶 等特性，而導致封裝技術的再變革與封裝產品穩定性的加應用發展； 以色科學家已把聖經的希伯語版本，裝進一個點五平方公厘的晶 片中。近幾，因為改用無鉛銲的問題，美國工業組織 達成共，將以錫銀銅系銲取代錫鉛銲的應用，日本焊接協會則 加緊探討無鉛銲錫的標準和評測方法，希望能制定 標準規格，歐盟提議在 2008 起全面禁用含鉛銲(詹, 2000)，希望能夠達成無鉛電子工業的目標。 封裝技術由 1970 代起以針插孔( 式為主的雙邊引腳( n 變到表面黏著技術( 提升其功能；由單晶片演變到三空間的堆疊模組( 多晶片封裝( 系統封裝( 以進一步地縮小化及高性能化；由周邊引腳( 進到面陣引腳( 增加其腳；晶片和基板的接合，也由打線接合演變到目前的覆晶接合 (邱, 2005)。 2球柵陣的應用技術已是相當普遍， 在電子系統應用的範圍內，對於所有封裝等級的相互繫中錫一直擔當主 要接的材，除提供彼此相互接材之外，對於元件與板，錫也作為表面的塗層。先前，因為錫鉛合具有低成本，好的可焊性和 好的機械性，因此應用在電子產業已有很長的一段時間。無鉛的材一 般包括在傳統前導框型式採用錫銅和錫鉍，而在矽基板型式是使用錫銀和錫銀銅( 2002)；然而，由於人健康與環境保護的考，無鉛 已是必然，沒有含鉛的錫之機械性質優對於產品可靠是相當重要的。 電子封裝在頻範圍和加速級上 承受許多同的振動形式，這些全部電子在其壽命中的一些時間會 承受一些型的振動或許是安全的，非由於一機器或移動輛的主因，也由 於運送的過程，在這種運輸和搬移的過程中遭遇振動會造成許多同的破壞型式( 1999)。然而封裝元件在製程、運輸及 操作等過程，可能對電子元件造成衝擊及振動負載影響，或是在長期的使用下； 衝擊負載往往造成封裝元件產生脫而振動負載則造成元件發生疲破 壞，進而影響封裝之可靠，因此衝擊及振動負載的影響是可忽的 ，此外，封裝元件承受振動負載之受損程與電板的彎曲幅有關係 ，其彎曲幅過大，將造成錫點可能產生應集中現象(陳, 2003)，進而造成材間的脫，而低封裝元件壽命且影響其可靠。 電子產品除在封裝製造過程中受熱 效應影響其性能外，大多電子系統則處於振動和機械疲的環境，振動發 生在運輸期間，而疲透過對於攜帶式電子在重複使用下發生。當系統 受到任何環境外而導致 3錫點失效，產品品質的穩定性會受到極大的 影響，換言之在任何大小的電子系統中，接材所扮演的角色就相對 的加重要，也因此，錫點的可靠探討是目前最重要的議題之一。 研究動機與目的 分析整個電子元件結構，發現當振動 產生時，所受應應變最大的區域為電子元件的錫點接部份，而 破壞也最從這個區域發生(莊, 2001)。當含有錫點的電子元件被裝配在動態機 械，由於機械的運作會使得這些元件處於振動態而產 生提早破壞失效的情形( 1995)。由於封裝體在製作期間的整個過程，大多最 初的缺陷是自因熱膨脹的差，也因此熱效應對於可靠上一直以 扮演著重要的主題，然而另一方面，封裝體在應用上通常承受著同振 幅大小及頻的振動；所以，在產品耐久上能夠處這問題的動態特 性分析顯得重要。如電子元件在振動中的內部應應變，像是 由於體電子元件承受自體結構之振動；依測試板與 晶片之大小，振動可以有只一種型式，一般，晶片與板之間的垂 直法向相對運動為主要之振動型式，其他尚有彎曲、剪等型式，對晶 片及錫球皆可造成某程之損傷，各型式之振動對系統究竟可造成何程 之傷害，則有待進一步之定分析。 錫鉛已被取代如無鉛的錫銀銅等材 ，在電子封裝產業錫點可靠是重要的問題，為使封裝技術的效能 為增長，對於密集半導體裝置球陣( 佈錫點是解決的辦法之一，而且細間距錫點 4變得為普遍。對於高性能電子元件的整體設 計，錫點可靠性與疲壽命預測勢必要被發展而確， 著書到： 在此產業許多人聲稱電子元件的可靠性等於錫點的可靠性， 在整個過程中錫點是相當重要的。電子封裝設計隨著機電科技進步而 日新月，除重視因日縮小體積所帶的高溫破壞外，隨著組裝、 運輸、使用環境等各因素所帶的振動破壞也是極重要的設計關鍵，在 未，能夠在設計過程中採用快速有效的分析與設計方法就顯得特別重要 (Sc et 2003； et 2004； 2006)。 振動問題一直是動態分析設計中很重 要的一部分，除傳統的熱應控制外，動態載重控制也是重要的關鍵，尤 其是振動快速破壞，當外加的頻到達元件結構系統的自然頻，即 進入共振態，此時的振動振幅將達到最大，破壞將快速的產生。本 文將用實驗分析之結果與值分析資作比較，以驗證所建之封裝 結構有限元模型等效於實際結構體，並進而以模型執錫點分析預測。 換言之，預期初步結果將是獲得一與實驗比對的值上等效模型，再者 從實際上疲試驗中，除可以瞭解其破壞型式與元件材疲壽命， 也可以得知振動負載下的可靠，而後續則希望對於電子封裝體與錫點 建出一新穎且快速的疲分析方法。 文獻回顧 人( 1996)分析 裝體承受熱循環負載及振動負載之錫點可靠，並分析錫點破之縫延伸。 人( 1997)以有限元 5素法分析建封裝體與錫球平面應應變的模 型，在低週期溫負載下分析錫點之學為。 人( 1998)也以有限元素二維模型分析封裝體錫點，但結果並想。 999)於書中對常電子元件的振動為做廣泛討，以及相關測試方法和疲 現象提出學基礎推導，在電子設備預防正弦振動失效 並且預測錫點存活的能與耐久性。 人( 2000)以實驗方法探討 裝體承受熱循環及振動下之變形為，結果顯示熱應雖為導致結構變 形之主要因素，但可忽振動負載之影響。 人( 2000)探討同溫 裝體承受正弦振動負載下，由 察錫點之縫發生位置及延伸方向。 2000)探討 隨機振動負載下及衝擊負載下，有無底填膠材對於封裝體可靠之影響，發現無底 填膠會造成封裝體結構承受較大之應變。 人( 1998)對含四個 封裝體做振動可靠測試，在實驗上施加 5 至 2000動頻，藉由 測封裝晶片焊錫接點之疲破壞位置，結果 確認出錫點在振動下是很受傷的。 人( 2000)針對 裝在印刷電板上對整體振動特性的影響做實驗分析，發現多加晶片對印刷電板的振動特性 影響大，且在有限元素分析的模型建時，以彈簧或樑元素模擬 裝的焊接錫球也是可以的。 人( 2002)再針對 裝晶片的焊接錫球用振動試驗機作回垂直振動的激振方式，實驗結果顯 示錫球再振動中之破壞確實是造成性能失效的重要原因，且發生位置往 往在封裝體的四個角。人( 1999)對 錫接點以樑元素建錫球的有限元素模型，以板殼元素建印刷電板等其他部分的模型 ，假設單自由系統線性 6有限元素靜分析出在振動下的錫點有效應變 ，而所建的錫點疲壽命預測模型將會與實驗做比對。 人( 2000)再建並驗證 錫接點的振動失效有限元素模型與實際的實驗 上是等效的，錫點斷面發生在封裝體與錫點的介面處，但是錫點的第 一個破壞位置與實驗上的觀察並相符。汪( 2001)探討 裝體於回焊過程下之變形機制，結果得知 受熱後，由於各結構間的材性質差，而導致 2001)針對覆晶封裝體在環境溫循環負載作用下，模擬覆晶封裝體之熱及機械為，結果顯 示，由於受元件間材性質差之影響，使封裝體產生變形；就錫球部分而言，最大應、應變，均發生在模型中心對稱面最遠處，既封裝體 2001)探討錫點合的振動特性及富錫相層變形產生的界條件與影響，且就同合及振動條件 的變化定義振動壽命並相互比較，2002)針對覆晶晶尺寸封裝在溫循環作用下，用有限元素分析軟體 值模擬，結果顯示，就二維與三維結構之差性而言，簡 化的二維模型可幫助解結構最大位移及最大等效應變的位置， 但其值仍有一定的誤差. 人(2002)以實驗探討 點承受溫循環負載、三點彎矩及隨機振動負載之可靠，發現封裝體尺寸小的比大的尺 寸具有較好的可靠。郭(2003)探討分析 裝體在溫循環作用下的熱應與熱應變，得知添加填充底膠可以減少錫球的應集中現象,2003)對於 裝體進四點彎曲測試，研究結果發現，即時監測其電阻値變化，為一判斷電子封裝體 失效必要之測試方法，因 7為失效之初，會隨外變動而電阻値再回正 常，且振動之加強，2003)針對覆晶封裝體進四點彎曲試驗，於同環境溫下觀察其菊鏈( 否失效，研究結果發現( 1)錫球之疲破壞位置在錫球與電板接合界面上.( 2)當電板在進四點彎曲測試時，先被破壞是最邊緣的錫球；而在進 彎曲下壓時，封裝體所在部分幾乎沒有彎曲，即此部分之剛性較電板強. 人( 2003)以模擬與實驗分別對同成分 錫點分析，結果顯示在較高應變下 佳。王( 2004)針對 鉛錫球為 分析研究，結果得知( 1)錫球接點剪應強會因回焊次增多而下( 2)接點之破面在錫球時其接合強最高，而破面在錫球和介屬化合物接合處其接合強次 之，當破面靠近墊子時其接合強最低。陳( 2004)用 建之潛變模式，在熱循環負載下進模擬，並用 式求得錫球疲壽命，以預測錫球封裝體所能承受的壽命，結果顯示同是無鉛 錫球之錫銀銅成份比起錫銀，有較佳的疲壽命。邱( 2004)針對覆晶封裝體使用有限元素分析軟體，進溫循環負載模擬，發現無鉛的錫球 ，其抗熱性及抗潛變性較佳。 人( 2004)以樑元素模擬錫點，以殼 元素建印刷電板等部分，以此模型分析印刷電板特性，在受到 扇運轉產生的振動下的影響。賴等人( 2005)針對 裝中焊墊與錫球間因迴焊缺失所形成之縫，當受到溫循環作用時，縫尖端 應強因子及應變能密因子之變化趨勢，發現當錫球含有介面縫 時，採用無鉛合之應強因子，較含鉛材為高，而大尺寸封裝體 之縫所造成的破壞情形 8較小尺寸為嚴重。 人( 2004)對上板掉試驗在同的錫球成份與漆( 口的無鉛封裝體研究，結果顯示上板中間的封裝體是最關鍵的，而且 。 人( 2005 和 2006)針對錫球同成份與表面處方式使用掉試驗，結果發現含鉛錫球是斷 在測試板側而無鉛錫球大部份斷在與基板的接處。 人 (2004 和 2005)針對電板在掉衝擊試驗，使用有限元素分析電板的暫態 反應，結果發現應最大發生位置在封裝體角，且 分析結果與實驗相符。 人( 2005)對封裝體錫球做高速衝擊試驗並以有限元素法模擬 ，分析同衝擊速、同衝擊角與錫球各種破壞模式。 人( 2005 和 2006)建錫球高速衝擊系統，並以錫銀銅錫球有限元素模型，模 擬分析實驗中各的關係。陳( 2007)透過計算方式對 件之振動壽命進估算，以應變能計算電子元件之振動壽命値，並與 實驗比對，結果顯示，配合文獻中之材常，計算所得之壽命 値與實驗値有差。 研究方法 一直以僅用實驗方法測試封裝體 可靠，會較費時且成本相當高，對於講求速與適用性的現今社會就越 越適用，因此必須尋找快速、簡、具適用性的實驗方法取 代之。當電腦的性能隨著科技的發展越越快時，有限元素法這新興的 值計算結構分析也隨之普及，運用值方法可以藉由設定封裝體 模擬實驗條件下的振動過程，分析的結果再與實際上實驗的驗證後， 可以成功地建有限元 9素等效模型，進分析。 本文用有限元素分析軟體 一套 合美國電子工程設計發展合協會 範下標準振動試驗過程的模擬分析模型，與實驗相證後得等效模型進分析，藉由模擬真實的 封裝體過程可以瞭解焊錫接點錫球於振動時的應、應變等物的變 化，以助於提高封裝體穩定、和改善錫球品質可靠，進而發展出 一套快速的分析方法，且具有廣泛的適用性。 過程中主要在發展一套有效且快速的有限元素分析法，以探討 以顯式動態分析，獲其暫態反應；程序為建與實驗相符合的整 體主系統之等效模型，其中假設整體主系統中局部之非線性性質錫球的影響並非主要， 採用一個簡之整體主系統有限元素分析模型，但能符合實驗上之結果且能夠低計算時間， 在模擬振動下分析所獲得的響應，再當作中間系統的輸入條件進分析，接著再將所獲得之分析結果， 帶入細部錫球子系統中作為邊界輸入條件，以分析錫球在振動環境下的響應， 而在細部分析時，採用細的錫球子系統分析模型。 其中，也以實驗相互驗證以及比較其結果，並且針對測試板上之封裝體進長 時間之疲試驗，以瞭解其壽命與破壞為，整體研究架構如下圖 1示。 10圖 1 整體研究架構 文中的第 1 章主要在敘述研究動機目的、研究方法與文獻回顧；第 2章則針對封裝技術與有限元素法作簡單的介紹；第 3 章則是值分析；第 4 章敘述實驗架構與試驗程序、據整討與疲破壞後的結果；第 5 章為結與未發展方向。 驗證 電板與封裝體的彎矩測試 質與密測 掃頻試驗 共振頻的確認 整體主系統的模擬與驗證 值模擬 定頻實驗 破壞失效分析 求疲週期 元件分析 得疲壽命 線 由值模擬求應、應變 11第 2 章 封裝技術與分析原 積體電( 裝 該採用何種材、何種製程技術去完成乃是由產品的電性、熱傳導、可靠的需求材與製程技術及成本價格等因素決定。 因為 尺寸極為微小，結構的強也很脆弱，因此封裝的目的就是防止在取置晶片的過程中因為外或者是環境因素的破 壞，避免物性質的破壞以及化學性質的侵蝕，以確保訊號的傳遞；簡單，封裝的目的就是保護好電性上傳輸好及散熱性佳等等。 然而封裝是以建各層級間介面接合為基礎的技術，通常會將封裝分成同的階層表示( 2002)，在 為第 0 階層封裝，將割後的 階層封裝，將模組及其他元件組合到電板的過程稱為第 2 階層封裝，將電板組合到機板的過程成為次系統稱為第 3 階層封裝，將所有的元件機板組合成產品的最後過程稱為第 4 階層封裝。 近十幾，台灣的封裝代工產業由於具備成本低、高、服務佳等特色，已是全球專業代工生產的大本營，除追求高產能外，也斷積極投入研發，封裝型態上也邁向 球柵陣( 裝 在 90代初期美國 日本 司共同開發球柵陣封裝，簡稱 ，而此方式與傳統單晶片最大的同處是採用基板及錫球取代傳統所使用的導線架，形成電板上的支撐及銲點。 帶接合與覆晶接合的方式與基板結，訊號傳遞方式是藉由錫球以陣分佈的方式作為 後 優點為尺寸已近於小型、薄型，安裝於電板的方法能夠採用固有的表面黏膜技術，但是，也是有其缺點的，安裝於電板後的檢查較為困難，接銲點的信賴與可靠性是有待商確的。 藉由基板所使用的材同可將 採用陶瓷基板 採用剛性有機材基板採用薄膜軟性有機材基板 採用鋁質基板 陳, 2005)。一般而言， 薄、且腳多而產生的封裝方式，也因此，此種封裝型式與過去傳統的封裝方式大大地同，也由於這種 電氣與散熱等特性上有許多優點比傳統封裝的好。 隨著表面黏著技術的成熟，焊接點以 面積錫球陣型式分佈在封裝體下方，且接封裝體與印刷電板；整體封 裝系統的主要組成元件包含封膠、晶片、基板、印刷電板及錫球，晶片藉由銀膠貼附於基材上， 13而晶片上的電藉由線的方式接至基板上 ，再經由基板上多層銅線的設計將電訊傳遞出去。此時錫球為接封裝 體與印刷電板的橋樑，經由錫球接將電訊傳遞到印刷電 板後即可以與其他的電子元件互通，錫球透過銅墊與基板或者是印刷電板 接。當封裝體承受負載循環時，各組成元件會產生應變及應，這些應 變及應的大小和分佈會隨著循環的過程斷地變化與積，最 後造成週期性的疲破壞。 封裝型式與種 封裝型式的種大致可分為傳統封 裝與先進封裝，如下所述： (1)傳統封裝 z 前導架型式：如 )、 )、z 矽基板型式：如 T(F)L(F)C (2)先進封裝 z 覆晶封裝： 覆晶封裝技術（ 泛的運用在需要高性能、高速、高密，或者小尺寸包裝的元件上，像傳統使 用引線接合的互方式，因此輸出入( I/O)接合區可以佈滿整個晶片上 ，是只有在邊緣的部分，也因此晶片的尺寸可以縮小，電通也可以最佳化。 z 微間距引線接合： 引線接合是現存用在第 1 級接中最古的方法，過它仍是今日 14最主要的互方法，特別是用在具有是很多輸出入( I/O)目的晶片上，而且追求細微間距的 趨勢帶動球陣接合技術的發展。 z 晶片級封裝： 晶片級封裝（ 指在封裝上晶佔整個晶片的比很高，所以封裝可以越小越好；晶片級封裝包括 矽基板晶片級封裝細微間距球柵陣封裝（ 、超細微間距球柵陣封裝（