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文档简介

1、湖南省技工学校理论教育事件教师姓名：学习科频率变换调速器执行日志日期星期几检查签字班级节回课题单结晶体管的识别与检测上课的时间类型实验教学习眼睛的了解单触发晶体管及触发电路的工作原理。教学习很重点单结晶体管的识别和检测。教学习很难点单触发晶体管及触发电路的工作原理。主要教学方法示威、示威、讲义。教家具挂上图BT33、电阻、电容器、万用表、烙铁等。教学环节时间分配1、组织教育时间23、教新的上课时间702 .复习导入时间84、总结时间55 .作业配置时间5教学习后记实验2单晶体管振荡电路的制作与调整任务单触发晶体管的识别与检测为了使可控硅导通，需要将对其栅极施加触发电压vG、产生触发电压vG的电

2、路称为触发电路。 触发电路的种类很多，各有特色。 在本节中，主要对由单结晶体管构成的触发电路进行说明。一、单结晶体管其外形与普通晶体管相似，有3个电极，但不是晶体管，而是有3个电极的二极管，管内只有一个PN结，因此被称为单线晶体管。 3个电极中，1个是发射极，2个是基极，因此也称为双基极二极管。1 .结构和符号其结构如图7-2-1(a )所示。 有三个电极，但结构上只有一个PN结。 有发射极e、第一基极B1、第二基极B2，其符号参照图7-2-1(b )。2 .伏安图特性单结晶体管的等效电路如图7-2-1(c )所示，两基极间的电阻为RBB=RB1 RB2，用d表示PN结。 RBB的电阻值范围在

3、215K之间。 当在Bl和B2的两个基极之间施加电压VBB时，在a和Bl之间，也就是说，在RB1的两端所获得的电压保持不变。(7-2-1)式中被称为分压比，与管的结构有关，一般在0.30.8之间是单线晶体管的主要残奥仪表之一。eB2ePN结B1n型p型eB1B2电影aRB1RB2B1B2edVBB电视台(a )结构图(b )符号(c )的结构等效电路图7-2-1单结晶体管电子商务VEBT乙组联赛理查德欧盟eB1B2麻省理工v型截止区域负阻区域饱和区域美国职棒大联盟v型电子商务电视国际标准联盟单结晶体管的伏安特性是指其发射极电压VE与发射极中流过的电流IE的关系。 图7-2-1(a )是测量伏安

4、特性的实验电路，在B2、Bl之间加载固定电源EB，得到正向电压VBB，并通过限流电阻RE，在e和Bl之间连接可变直流电源EE。(a )测试电路(b )伏安特性图7-2-2单结晶体管的伏安特性当施加电压VEVBB VD时(VD为PN结的正向电压降)，由于PN结受到反向电压而截止，因此发射极电路只有微安电平的反向电流，单晶体管处于截止区域，如图7-2-2(b )的aP段所示。在VE=VBB VD时，对应于图7-2-2(b )中的p点，该点的电压和电流分别被称为峰值电压VP和峰值电流IP。 PN结接受正向电压而导通，之后RB1急剧减少，与之相伴，VE降低，IE急速增大，单结晶体管显示负电阻特性，负电阻区域如图7-2-2 (b )的PV级所示。v点的电压和电流分别称为谷点电压VV和谷点电流IV。 通过谷点后，IE继续

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