单片机原理及接口技术第八章 半导体存储器_第1页
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文档简介

1、基本要求:熟悉半导体存储器分类,能根据实际需要 扩充外部RAM和ROM。,第八章 MCS-51单片机存储器扩展应用技术,第一节 存储器扩展概述,一、存储器分类,P2 ALE P0 8051 8751 /PSEN /WR /RD,地址 锁存器,CB,DB,AB,A8-A15,A0-A7,D0-D7,二、MCS-51的最小系统,图8-2,8031,ROM,时钟 电路,复位 电路,一、ROM存储器扩充步骤,1、首先根据已知ROM芯片参数和所求参数求得 所需芯片数=所需容量/每片容量(假设字长相同),2、求得芯片的地址线、数据线根数,3、 连接AB、DB和CB中的/PSEN、/RD,DB AB /PS

2、EN、 /RD 单片机: 存储器:,P0,P2+P0,读ROM,RAM读,Di (I/Oi),Ai (=16根)+/CE(/CS),/OE (/RD),/OE (/RD),第二节 程序存储器ROM的扩展技术,例 用2764(8K*8bit即8KB)扩展16K字节的EPROM,P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 8051 P0.0 P0.1 P0.7 ALE /PSEN,74 LS373 G,A12 A11 A8 /CE A7 2764 A0 O0 /OE O7,A12 A11 A8 /CE A7 2764 A0 O0 /OE O7,?,对于片选信号有

3、以下三种连接方法,(一)线选法,/CE #1,/CE #2,/CE #3,/CE #4,A15A14A13A12A11 A10A8A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 #1: #2: #3: #4:,0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1,1 1 1 0,*,7000H,77FFH,* 1 1 0 1,6800H,6FFFH,5800H5FFFH,3800H3FFFH,A11,A12,A13,A14,A0A10,DB0-7,(二)全译码法,A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0,1#:,0 0 0 0 0

4、 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1,0 0 0 0 0,0000H 07FFH,2#:,0 0 0 0 1,0800H-0FFFH,3#:,1000H-17FFH,4#:,1800H-1FFFH,(三)部分译码法,Q0 2-4 译 Q3 码 器,/CE #4,/CE #3,/CE #2,/CE #1,A11-A12,A0-A10,A0-A12,DB0-7,1#:,A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0,0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1,0 0,* * *,0 0

5、 0 0 0 1 1 1 1,0000H,2000H,E000H,地址重叠,图88 单片程序存储器扩展连接图,二、扩充ROM芯片举例,例1 用一片2716(2K*8b)扩充8031 外部EPROM2KB,试画出连接图。,检验一下三总线的连接是否正确,图89 两片程序存储器扩展连接图,例2 试用2764(8K*8b)扩充16K*8b的EPROM。图8-9所示。,图817 译码法扩展三片 8KB EPROM,例3 译码法扩展三片 8KB EPROM,补例 扩展16K字节EPROM,P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 8051 P0.0 P0.1 P0.2

6、 P0.3 /PSEN P0.4 P0.5 P0.6 ALE P0.7,/CE A13 A12 A11 A10 A9 A8 O7 O6 O5 27128 O4 O3 O2 O1 O0 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 /OE,74LS 373 G,第三节 数据存储器RAM的扩展技术,一、RAM存储器扩充步骤 与ROM扩充类似,只是多画一根线: 将MCS-51的/WR与RAM的/WE(/WR)相连。,图813 单片RAM扩展连接图,例4 单片RAM的扩展,图814 多片 RAM 扩展连接图,例5 多片 RAM的 扩展,补例 线选法扩展4KB RAM(6116:2K*8bit),P2

7、.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 8051 P0.0-P0.7 ALE /RD /WR,8282,A10 /CS A9 A8 6116 A0-A7 D0-D7 /OE /WE,A10 /CS A9 A8 6116 A0-A7 D0-D7 /OE /WE,#1:,0000H07FFH,#2:,2000H27FFH,图819 扩展4K RAM和2K ROM的8031系统,第四节 存储器综合扩展技术,例6 扩展8031 4K RAM和2K ROM,补例 扩展2K字节E2PROM,P1.0 /WR /RD /PSEN 8051 P2.7 P2.2 P2.1 P2.0 ALE P0.7-P0.0,RDY/BUSY /WE /OE 2817 /CE A10 A9 A8 A7-A0 I/O0-I/O7,G 74LS373,地址重叠区16个。,2:4 /Y0 /G译 /Y1 A 码 /Y2 B 器 /Y3,补例 同时扩展ROM和RAM,P2.7 P2.6 P2.5 P2.2 P2.0 ALE P0.0-P0.7 8031 /WR /PSEN/RD,G 74LS373,A0-A12 /CE 3#

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