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文档简介
1、第9章基本放大器电路,9.1双极晶体管,9.2放大器电路原理,9.3放大器电路静态分析,9.4放大器电路动态分析,9.5双极晶体管基本放大器电路,9.6场效应晶体管,9.7场效应晶体管基本放大器电路,9.8多级放大器电路,9.9差分放大器电路,9.10功率放大器电路,下一章,上一章,返回主页,2,9.1双极晶体管、1、基本结构、结构示意图和图形符号、3,2,工作状态,条件:发射极结正向偏置,集电极结反向偏置。发射极区发射载流子形成电流IE在基极区重组形成IB大部分被集电极区收集形成IC。1.放大状态,(1)电流的形成,(2)晶体管中载流子的运动过程,(4),(2)电流关系。当IB=0,DC(静
2、态)电流放大系数,交流(动态)电流放大系数,集成电路=ICEO,电路图,(4)、(5)和IB的微小变化将导致集成电路的巨大变化。积分=1磅.0 UCE UCE UCC=UCC-中国集成电路.晶体管相当于过孔。(3)特性,(3)特性,(6)特性:Ib和Ic基本不变。集成电路UCC/RC .UCE0 .晶体管相当于短路。条件:发射极结为正偏置,集电极结为正偏置。UCE=UCC-加拿大集成电路;国际集成电路=UCC/加拿大集成电路,2。饱和状态,电路图,晶体管处于饱和状态、7,功能:IB=0 IC=0 UCE=UCC晶体管等效于开路。3。关闭状态,条件:发射极结反向偏置,集电极结反向偏置。电路图,晶
3、体管处于关断状态,晶体管处于放大状态。(2)当开关S闭合到B时,例9.1.1显示了电路,晶体管=100,当开关S闭合到A、B和C时,找到1B、IC和UCE,并指出晶体管的工作状态(忽略UBE)。当开关s转到a时,=0.01ma IC=IB=1000.01ma=1ma uce=UCC-rcic=(15-5103110-3)v=10v,UCC=15v ubb 1=5v ubb 2=1.5v Rb1=500k rb2=50k RC=5k、9、UCE=0 v晶体管处于饱和状态。因为如果IC=IB=1000.1ma=10ma uce=UCC-rcic=(15-51031103)v=-35v uce 0,
4、这是不可能的,也就是说,不可能处于放大状态。(3)当开关S转到C时,晶体管IB=0,IC=0,UCE=UCC=15 V处于关断状态。特征曲线,1。输入特性IB=f (UBE) UCE=常数,UCE 1v25,UCE 1v75,硅管:ube0.7v锗管:ube0.3v,输入特性,工作模式,11,2。输出特性集成电路=f (UCE) 集成电路=常数、大放大区、饱和区、截止区、输出特性、工作模式、12、动态电流放大系数2。渗透电流ICEO 3。最大允许集电极电流ICM 4。最大集电极耗散功率。反向击穿电压,4。主要参数,1。电流放大系数、过损耗消耗区、安全工作区、功耗曲线、13、9.2放大电路工作原
5、理、第一、电路组成、两个电源的放大电路、一个电源的放大电路、14、NPN管放大电路、PNP管放大电路、放大电路简图、15、2、信号放大过程、1。静态时ui=0,DC电源单独工作。2。动态输入信号ui,输出信号uo=uce=- RC ic,信号的放大过程,放大电路的静态分析,16,9.3,1。确定静态工作点的图解法(1)在输入特性曲线上,已知IB,可以确定Q点,已知UBE。如果在输出特性曲线上已知IB,则可以确定Q点,可以知道ic和UCE。(1)信号源电动势短路;(2)电容开路。Ibrbube=UCC,IC=Ibus=UCC-RCIC,DC路径,放大器电路,18,示例9.3.1在图中所示的固定偏
6、置放大器电路中,UCC=6 V,RB=180k,RC=2k,=50,晶体管是一个硅管。试着找出放大器电路的静态工作点。解决方案,集成电路=iBuce=UCC-电阻集成电路,=0.0294毫安,=500.0294毫安,=1.47毫安,=(6-21.47)伏,=3.06伏、19,2。静态工作点的影响,1。当Ib太小时,Q点非常低,导致后半周期的截止失真。2.当IB太大时,Q点非常高,导致前半个周期的饱和失真。是的。截止失真,饱和失真,放大电路的动态分析,1。放大电路的主要性能指标,1。电压放大系数Au,其分贝值为: | Au | (dB)=20lg | Au |,定义为:当输入信号为正弦交流信号时
7、、21、2。放大电路中的输入电阻ri,定义为:当输入信号是正弦交流信号时,放大电路、信号源、输入电阻Ri大,UI大,UO大;Ri大ii小可以减轻信号源的负担。ri越大越好。可以看出,输入电阻,输出电阻ro,当输入信号是正弦交流信号时,定义,放大电路,负载,输出电阻,输出电阻,如果ro小,负载承载能力强;相反,承载能力很差。ro越小越好。频率特性,幅度频率特性: | au |-f,相位频率特性:-f,通带、26,解决方案 (1),=9 mv,uoc=| A0 | UI,=100910-3 v,=0.9 v=900 mv,示例9.4.1空载电压放大系数| A0 |=100,输入电阻ri=9 k,输
8、出电阻ro=1 k当:时,uoc应等于多少开路电压(2)当负载电阻RL=9 k连接到输出端时,负载上的电压UoL是多少?电压放大系数| Au |是多少?(2),=810 mv,=0.81 v,=90,=90,28,2,放大器电路的差分等效电路,1。晶体管的交流小信号电路模型,(1)输入端电压和电流之间的关系,称为晶体管的输入电阻。Rbe=,电路图,输入特性,29,晶体管可以由输入端的等效动态电阻Rbe代替。(2)输出端电压和电流之间的关系可以由受控电流源代替。晶体管共发射极结共集电极结共基极结电路图交流路径放大器电路:C短路和UCC短路。计算实例9.3.1中放大电路的空载电压放大系数、输入电阻
9、和输出电阻。(1)空载电压放大系数,解决方案,=1,084,=-92.25,ri=rbbe,(2)输入电阻,=1.078 k,(3)输出电阻,ro=RC,=2 k,34,9.5双极晶体管基本放大器电路,1,共源共栅放大器电路,1。电路组成增加了一个偏置电阻RB2,可以固定基极电位。只要满足: I21b,选择参数时一般取I2 5 10 Ib。(2)增加发射极电阻环可以稳定集成电路。只要满足UBUBUBE,选择参数,一般取UB材料(5 10) UBE。(3)增加碳当量以避免金的下降。共发射极放大电路,静态分析,DC路径图,集成电路=IB,UCE=UCC-RC集成电路-reieUCC(RC re)集
10、成电路,共发射极放大电路的DC路径,共发射极放大电路,动态分析,共发射极放大电路的交流路径,共发射极放大电路,共发射极放大电路的差分等效电路,38,=Rb1rb2rbe, RBE,=RC,共源共栅放大器电路的微变量等效电路,39,1。电路组成,2,共源共栅放大器电路,2。静态分析,RBIB UBE RE (1 ) IB=UCC,集成电路=IB UCE=UCC-REIE=UCC-RE (1 ) IB,公共集合放大器电路,公共集合放大器电路的DC路径,动态分析,公共集合放大器电路的交流路径,公共集合放大器电路的差分等效电路,公共集合放大器电路的差分等效电路,公共集合放大器电路的差分等效电路,静态分
11、析,集成电路=IB,UCE=UCC-RC集成电路-RE集成电路 UCC-(RC RE)集成电路,公共基极放大器电路,公共基极直流路径动态分析,共基放大器电路交流路径,共基放大器电路,共基放大器电路差分等效电路,44,=RC,共基放大器电路差分等效电路,45,9.6场效应管,一、基本结构,二氧化硅,NMOS,PMOS,源极和漏极S _ d,铝片,栅极G,46,二。基本类型,根据导电沟道的不同:N沟道金属氧化物半导体-NMOS P沟道金属氧化物半导体-PMOS、NMOS、PMOS、导电沟道、47,根据导电沟道形成的不同,可分为:增强型-e耗尽型-d型,简称fet :的图形符号、48和3。工作原理,
12、形成反型层导电沟道的条件是:e NMOS管(th) 0e PMOS管(0ff) 0简而言之,改变ugs可以改变导电沟道的厚度和形状,从而实现控制id。特性曲线,耗尽型NMOS晶体管,增强型NMOS晶体管,转移特性,漏极特性,漏极特性,耗尽型PMOS晶体管,增强型PMOS晶体管,转移特性,漏极特性,UGS(关),0,1D,UGS,51基本放大电路,9.7场效应晶体管,第一,增强型MOS晶体管共源极放大电路,1。在静态下,只有当UGS UGS(th)建立时,才能建立反向层导电通道。Id=isugs=ug-rsisud=udd-rdid,部分偏压共源放大器电路,52,2。动态时,uo=-idrd,u
13、g=ug UI,ud=udd-idrd,ugs=ugs ugs,id=id id,电压和电流波形,53,只要ugs(关)导电通道不会消失。IG=0 1。静态时ugs=-rsis2。动态时与增强时相同。二、耗尽型金属氧化物半导体晶体管共源放大电路、自偏置共源放大电路、54、9.8多级放大电路、级间耦合模式阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。1.静态分析。前后静态工作点相互独立,互不影响。阻容耦合,动态分析,微变量等效电路,阻容耦合,56, Au=Au1Au2,其中:RL1=ri2, ri=ri1 ro=ro2,阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能传输DC信号。静态分析前后微变压器静态工作点的等效电
14、路相互影响、相互制约。它不能独立设置。2.动态分析法和直接耦合放大电路。DC信号可以被放大。3.图中所示的放大器电路称为RB1=33 k,RB2=RB3=10 K,RC=2 K,RE1=RE2=1.5 K,对于两个晶体管,1=2=60,rbe1=rbe2=0.6。求总电压放大系数。RL1=ri2,解决方案,第一级是共源共栅电路,其负载电阻是第二级的输入电阻。=RB3 8741/RBE 2(1 2)RE2,59,=8.46K,=1.62K,=-162,第二级为集总放大器电路,可采用Au=1,Au=Au1Au2=-1621,=-162,RL1=RB3 8741 .RBE 2(1 2)RE2,解决方案,60,9.9差分放大器电路,IC1=IC2UC1=UC2UO=UC1-UC2=0,1。操作原理,
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