磁控溅射设备说明书教材

卬国科学院沈阳科学仪器册制卬阳有眼公司

SKYTechnologyDevelopmentCo.,Ltd.ChineseAcademyofSciences

国家真空仪器装置工程技术的容中阳

StateEngineeringResearchCenterofVacuumInstrumentandDevice

中国科学院沈阳科学仪H股份有限公司

国家真空仪益装置工程技术研究中心

奥空技术装备内家工程实通■

声明:

感谢您购买中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（以下简称沈阳科仪公司）

的设备，请您在使用该设备之前认真阅读本说明书，当您拿到该说明书时，请认

真阅读以下声明。如不接受本声明,请立即与本公司联系,

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1.本说明书所有内容，未经沈阳科仪公司书面J孽,任伊人均不得

（复制、扫描、备份、转借、转发

翻译成其它语言、传播以及思可那自方式）|噂1中提供本吗

全部内容。如有违反，沈阳科仪崔）将保留切』利。A

2.本说明书仅供使用者参考，可作为使知者所仆祭司学习

本说明书所详述的内遗漏的可能。内容有

疑问,清与沈阳科仪

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秩序；保护知识产权从你我做起！人人应该做到这样！

前舌:

首先感谢购买我们的设备，本着对您负责的精神，并为了确保给您提供最优质

的售后服务，特别为您准备了本手册，请您耐心读取相关信息。

您的义务

请您在使用过程中，将发生故障的操作步骤填写在用户反馈问题清单中,我们将

参考此表内容尽我们最大的能力在最短的时间内完成维修。

如何使用本手册

如果您是初次使用该设备，那么您需要通读用户手册。如果您是一位有经验的用

户，则可以通过目录查找相关信息。/Bw1

本手册涉及的字体及符号说明：

字体的大小直接反应父、子关系，符*号、说明见下表:

指示性说明代表意义_

没有先后顺1芦之4匕是比口和■高一级

>描^

目录

详细描述性说明!后顺序之分

有先后顺序之分

有利于深刻认识系统，并且可以避免不

提示性说明

区必要的故障发生

必须严格遵守的内容，否则会发生严重

警告性说明

A事故

目录

绪言................................................1

一、系统简介........................................1

1、概述................................................1

2、工作原理以及技术指标................................2

工作原理：............................................2

技术指标：...................................Xy...........弋2

3、系统主要组成.........................................3

溅射真空室组件：.............:....................................J.............3

上盖组件：.................1...........3......!...................................4

真空获得和工作气路组件：..…玄........1…..…..工...................P.5

安装机台架组件：：］...............L....7

4、设备安装........................7.........F-........7

安装尺寸:............................................

配套设施：二........二..........................................7

二、系统主要机械机构简介.....肥:二..................8

1、磁控溅射靶组件….…..........................8

2、单基片加热台组件.....................................9

3、基片加热公自转台组件................................10

4、基片挡板组件........................................11

三、操作规程，......................................11

磁控溅射沉积系统

1、开机前准备工作......................................11

2、开机（大气状态下泵抽真空）..........................12

启动总电源：..........................................12

大气状态下溅射室泵抽真空：............................12

3、溅射室处于真空状态时抽真空：........................13

4、工作流程：..........................................13

>装入样品：.............................13

>磁控溅射镀膜：...........................1.....14

5、靶材的取出和更换：....................[...........................15

6、停机：....................:…:.............................J............16

四、电源及控制..................1...............#..............!16

…….......................

供电要求：........................j,………17

使用说明..........y...........................................18

电控单元使用说明：.....................疗铲：...........19

五、注意事项.....................二................20

1、安全用电操作注意事项:-T：....................................................20

2、操作注意事项：.....................................21

六、常见故障及排除.................................22

七、紧急状况应对方法...............................23

2

磁控溅射沉积系统

1、突然断电............................................23

2、突然断水............................................24

3、出现严重漏气........................................24

八、用户反馈问题清单...............................25

九、维护与维修.....................................26

3

绪言

磁控溅射沉积系统是高真空多功能磁控溅射镀膜设备。它可用于

在高真空背景下，充入高纯僦气，采用磁控溅射方式制备各种金属膜、

介质膜、半导体膜，而且又可以较好地溅射铁磁材料（Fe、Co、Ni）,

制备磁性薄膜。在镀膜工艺条件下，采用微机控制样品转盘和靶挡板,

既可以制备单层膜，又可以制备各种多层膜，为新材料和薄膜科/研

究领域提供了十分理想的研制手段o

系统简介

1、概述J

木系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、“单基片加切单品介、基片力题（公自

转台组件、基片挡板组件、工作气路、抽气系统、毁装机台、真空测器及电控系

统等部分组成。附设备总&如下。

磁控溅射沉积系统

2、工作原理以及技术指标

A工作原理:

□磁控溅射镀膜的基本原理是以磁场改变电子运智方向，束缚和延长电子的运

动路径，提高电子的电离概率和有效地利用才电户的能■,因北在形成高密度

等离子的异常辉光放电中，正离牙对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效

A技术指标

-----------------------------------------------------------------------------------------------------

极限真空度(Pa)系统真空检漏漏率系统经大气抽气，停泵关机12小时

(经烘烤除气后)(Pa.L/S)40分钟可以达到(Pa)后真空度(Pa)

溅射室4.0X10-15X10-76.6X10'WlPa

2

磁控溅射沉积系统

3、系统主要组成

A溅射真空室组件:

圆筒型真空室尺寸中450X350nim,电动上掀盖结构，可内烘烤100〜150

选用不锈钢材料制造，氨弧焊接，表面进行化学抛光处理，揍门采用金屈口圈密

封或氟橡胶圈密封。真空室组件上焊有奔种规格的法艺接口如卜：

尻口赢方式联接部件名称‘

序号接口大小数量

1.1cnoo无氧铜圈）♦

冬窗公

1.2无氧铜圈1L

.

1.3CF16无氧铜圈沙进气管路和放气阀

1.4CF150无氧铜圈1（600升/秒）分子泵

1.5CF100无氧铜圈33个磁控溅射靶接口

1.6CF35无氧铜圈61个高真空电离规管

1个旁抽角阀

3

磁控溅射沉积系统

1个四芯陶封引线法兰接口

3个备用口

1.7RF25氟橡胶圈1基片挡板组件接口

1.8CF16无氟铜圈11个备用接口

1.9CF16无氧铜圈一1电阻规接口

A上盖组件:

上盖组件上有--个CF35的法兰接口和•个CFIU的法每口，侧面还焊有拈

助上盖升降时定位的挡片。上盖组件上可以安装电动提少机构组件，中甫安装不

基片加热样品台/

4

磁控溅射沉积系统

A真空获得和工作气路组件：

魂封真空室

-

4■

3S

—■

篇

目

F

一.

R-DF1阳处IHSCCK

R

口溅射真空室选用分子泵T+机械泵R烟过一个超高真空闸板阀/G主抽，并

通过一个旁抽角阀VI进行旁路抽气；通过两路MFC质量流量控制用充工作气体

每路配有角阀V5、V6,配有混气室,单独进气

流量范围：一路200SCCM、’一路通过V4阀充入氮气放气

代号安装位置用途厂家

CF35角阀溅射真沈科仪

Dgl6角阀一刀一卡溅射真空室侧壁充入工作气体沈科仪

』空室如以,

Dgl6角阀一刀一卡放气/充干燥氮气沈科仪

Dgl6角阀前面的气路面板充气七星华创

CCT50-B超高真空闸溅射真空室侧面伸出主抽阀沈科仪

的弯管上

分子泵（抽速600L/S）CF150刀口主抽泵北京科仪

5

磁控溅射沉积系统

R机械泵（9升/秒）KF40前级泵北京

DFKF40电磁隔断网KF40分子泵和机械泉之间防止机械泵返油，并川北

能在分子泵前级真空

度不够的情况下进行

隔断，来保护分子泵

R-DF高真空电磁压差式带KF40机械泵R1和机械泵联锁，停机械上海

■f・

翥时，此阀断开，向机

充气阀西马特

城泵充气，避免返油k

MFC1、MFC2质量流量控制通卡套J控制气体流］

f

混气室（两进一出）卡套混气沈木取

.科仪

液压波纹管两段快卸卡籁此按普路

「川北

KF40三通一个快卸卡箍F

▼.

KF40快卸卡箍若干川北

4>6X1气路管若仪

外购

■，

气路卡套若干r外购

6

磁控溅射沉积系统

A安装机台架组件:

采用优质方钢型材(50mmX50mmX4mm)写接成，前面和两侧面安装快卸

围板，表面喷塑处理；机台表面用不锈钢蒙皮装饰；底面安装四只脚轮，可固定,

/■：：

可移动；安装机架尺寸：L1115■XW860XH1000nunV,o'

4、设备安装.

》安装尺寸：

将设备安装机架移到指定位置，.脚轮升降，调■机需7戈水平位置。安装

机架平面尺寸：,111^^000廊(包括伸出的间板语轮)，电控柜平面尺寸：

610X650mm2X2台。

A配套设施:

口整机配电要求：接三相电源380V±6%,50Hz,三火线一零线，功率＞15KW,

配置多路接线插座。

口联接地线要求：本设备需要配备良好的接地，对地电阻＜2欧姆。

7

磁控溅射沉积系统

口接冷却水系统，具有民用自来水或循环冷却水，水温V25C,水压V2.5X105

Pa,流量达到12L/min,及回水通道。各水路均安装水流控制器，发生断水时将

自动切断设备总电源。

口安装场地面积＞25肝，高度要求高于2.4m。

口要求安装场地的标准温度为20〜24℃,标准相对湿度为50%〜60%o

口要求有普通氮气，工作气体，压强要在2〜3个大气压之间。

口要求有外排废气管道。

!!!注意：接通电源后，首先确认机械泵旋转方向，如果发现反转，则应调相。

A

二、系统主要机械机构简介

靶法兰、齿轮减速异步电动机带动的靶挡板系统和螺旋升降机构等组成。

溅射真空室采用多靶溅射结构，靶在下，基片在上，向上溅射成膜，溅射真

空室下底盘上有三个靶位；靶材尺寸660mm（其中一个可以溅射磁性材料）；永

磁靶RF、DC兼容；靶内有水冷（每个靶单独水路冷却）；三个靶可共同折向上面

的样品中心，靶与样品距离90〜110mm可调；每人靶配有单独的屏蔽罩，以避免

8

磁控溅射沉积系统

靶间交叉污染（非共溅时安装使用）；每个靶配有单独的电动挡板，计算机控制

挡板开合。

!!!提示：

以后磁控靶需要寄给我们进行维修时，靶头和支杆可以直接从真空室内拆下，不用拆卸

靶法兰部分。拆卸前请事先联系设计人员，我们会提供一个盲堵，保证您其余的工作不受影

响。

2、单基片加热台组件

9

磁控溅射沉积系统

3、基片加热公自转台组件

基片加热公自转台组件安真空室上盖组件上0吃盘上可以寸放置6

个基片，可放置①50mm侬片。六个工位中，中两个工位安装加热炉（切换

加热），基片加热最着a度6oo℃±rc,由热电偶闭环反馈控制。在伺服电机+

减速器+同步构带动下，实现0〜360°公转（当拆掉加热炉后可连

续I可转），并通过光栅编码器机构实现准确定位，计算机控制公转到位及镀

膜过程。基片可加负偏Qoov。

10

磁控溅射沉积系统

4、基片挡板组件

基片挡板组件的挡板上开一个孔，对准一个基片，该基片挡板用基片加热公

自转台组件都用计算机控制转动，仅对1片基片在不同阳位下溅对镀膜。该片k

艺完成后，可计算机控制转至第二片基片继望镀膜厂)当需号溅jJ时，H需要打r了下该

基片挡板组件的上半部分即可」不用全‘麻5o

三、操作规程

1、开机前准备工作

■开场水阀，接通冷却水，检杳是彘足够大，水压控制器是否起作用，保

护各水路畅通。

■检查总供电电源配线是否完好，地线是否接好，所有仪表电源开关全部处于

关闭状态。

■检查分子泵、机械泵油是否标注到刻线处，如没有达到刻线标记应及时加油。

■检杏系统所有阀门是否全部处于关闭状态，确定溅射室完全处在抽直空前为

H

磁控溅射沉积系统

封闭状态。

2、开机(大气状态下泵抽真空)

A启动总电源：

确认所有电源开关都在关闭状态后，按下总电源开关，此时电源三相指示灯

全亮，供电正常。

!!!提示：

如果电源三相指示灯没有全亮，应检查供电电源是存缺相。在确认电源正常之后方可进

行下一步工作。

A大气状态下溅射室泵抽真空：

■打开旁抽阀VI

■启动机械泵R

按下机械泵R开关，机械泵指示灯亮，此时机械泉工作，再打开分子泵T口

处的电磁阀DF开关，指示灯亮，打开鼐计，测量真名(更合真空”AF-5227

使用详见说明书)&眇

■启动分子泵T(FF-160/620C)

先打开分子夏T电源开关，电野计显示的真空度高甩Pa时，关闭旁抽

阀VI,并迅速打开闸权阀G,然后打开分，泉启动按”,,束指〔、」:一

控制面板上显示频率，分子泵开始正常工作，约卜分钟，加速指示灯灭，正常灯

亮，函率显示为600时，分子泵进入作状态。再用分子泵连续抽气，经烘

烤后，磁控溅射室的真空度可达到极限真空度4Xl()5pa指标。

!!!提示：

设备中的闸板阀设有开关指示功能，闸板阀门开关时手感轻松，在阀门关闭时可听到一

声响动，同时力量减小、有明显的空程，这时阀门已经关闭到位，不要继续硬性旋动手柄，

以免阀门传动机构受到损坏。开启时也有一声响动，行程指示到位后阀门也开启到位。

!!!警告：

12

磁控溅射沉积系统

阀门开启前，必须平衡阀门两侧的压力（阀门两侧必须同时是真空或大气）

阀板两侧压力差必须小于3000Pa,如果压力大于3000Pa硬性开启阀门会造成密

封圈及传动机构的损坏，造成阀门无法使用（此项要特别注意，阀门开启时一定

要注意观察阀门两侧的压差）。

!!!警告：

在阀门使用过程中如发现异样的声音或者开关阀门时力量异常，首先应该观

察阀门前后真空系统的压力是否平衡，如果有压差必须停止强行开启，待压力平

衡后再进行开启，以免损坏机构。

3、溅射室处于真空状态时抽真空：\

■首先，打开复合真空计观察系统真空度.如果长旷间的（10天以上）［未开机，真

空度高于30〜40Pa,这时应该按上面所说的溅射室泵抽真空中的操作,步喉进行系

统抽气;

■如果真空度在3〜5Pa时，即可直接开启闸板阀G,憾后依次开启机械泉R【

电磁阀DF、分子泵T,进行系统抽真空,U抬溅射室要求的本底真

空即可。

4、工作流程:

＞装入样品:

■溅射室暴露大气：关闭闸板阀G,确认旁抽阀VT和角阀V2、V3处于关闭状

态,然后打开放气阀V4,向溅射室内充入森氮气。

■装入样品：溅射室内氮气压3压力平衡后即可利用升降机提升溅射室

上盖，靶基距调到合理值，然后将清洗好的样品放入衬底托内，将其放入样品转

台内，然后再将溅射室上盖落下，关闭放气阀V4,对溅射室泵抽真空（按前面

所说的步骤进行操作）至实验要求的本底真空度。

13

磁控溅射沉积系统

＞磁控溅射镀膜:

■待本底真空达到本次实验所预期要求后，稍关闭闸板阀G（不要关死），用真

空计监测真空度。

■向溅射室充气：

充气前将气瓶关死，打开V5、V6,缓慢打开V3。打开质量流量计电源，预

热3分钟，将质量流量计打到清洗挡，抽空气路后关闭各阀，将质量流量计打到

关闭挡；缓慢打开进气截止阀V2,此时抽取管路中的气体，达到预期真空后，

关闭这些截止阀，进行充气工作。若所充气体需经混气后进入真空室，骰打开

V3及机架前面板上的进气阀V5或V6（根据需要选择）；若需单路直接进气，、则

打开V2。然后打开MFC质量流量计电源，通过流量计充入土作气体！通过适当

调节闸板阀G关闭的大小来调节溅射工作压强。士%.

注：打开质量流量计电源，在MFC质量流量计电源的扁开关处寸力关闭”位,

将设定流量调到零，再开气瓶给气，待零点稳定后，转“阀控”日并将流翻

至所需值，则实际流量跟踪设定值而改变。■

关闭质量流量计时，将阀开关置于:关闭”转再到电源开关关闭拓。

!!!提示：

充气过程中需用真空计监测真空度不低于20Pa0

■射频溅射：二

起辉压强：在设定进气卮恒定情况卜，调节闸板阀G使溅域室真空度:维持在

0.4〜lOPa,可保证磁控靶^瞥

溅射工作压强：根据工艺需要，mH节MFC送二使溅射室真空度维持

在0.5Pa以下，此时磁控靶应能稳定工作而不熄盛

栽电源可切换龙应靶，崎作^据要求设置控制各个靶接射频电源。

射频电源和匹配器的使用详见射频电源使用说明书

■直流溅射：

直流电源有两台可根据要求切换对应靶。

（详见直流溅射电源使用说明书）

■计算机控制镀膜：

通过程序控制，使样品按所设定模式进行工作，镀制单层膜或多层膜，镀多

14

磁控溅射沉积系统

层膜的靶位可任意组合，在每个靶下停留时间任意设置。程序运行结束后将自动

保存结束前的状态，并保存计算机文件中，下次运行时，这些状态将自动读入以

恢复以前状态，所以在程序未运行期间，不建议使用手动操作转盘，以免再次运

行时造成样品位置错误。

■停止溅射镀膜：

①首先关闭基片挡板，再关上各磁控靶挡板，通过计算机关闭步进电机电

源，再关闭计算机电源。

②关闭射频、直流和励磁电源，关闭MFC质量流量计电源。

③关闭溅射室进气截止阀V2、V3、V5、V6,全开闸板阀G,使溅射室用分

子泵T直接抽气，进入高真空状态。使用ZDF-5227监测溅射室真空度，

进入1O1Pa或0Tao相

■取出样品：

镀膜完成后，将闸板阀G关闭，再将电离规关闭。然‘后打开接号瓶的放气阀

V4,向溅射室充入干燥氮气。电动提升真心室上氧戴圣洁净手窘/从样品台艮

■在分子泵T单独对溅射室抽气工作时，先将川板液,G■闭，检杳V2、■是

否处于关闭状态。然后关闭真空计，质最美阀V4使溅射室充入大气（最好充

入干燥氮气）；

■当溅射室内氮气压力与大气压力平衡后，使月升降机将溅射室的上盖提起，

之后拆下基片样品挡板，电动打开需要更换靶材的靶挡板，拧下靶屏蔽盖，并卸

下靶压盖，即可对真空室内的靶材进行取出或更换，然后再将靶压盖及靶屏蔽盖

装上，结束后再用升降机将上盖落下；

!!!提

15

磁控溅射沉积系统

①靶屏蔽盖和靶材之间的距离建议控制在2〜3mm之间。

②如发现上盖压偏，需要重新升起上盖，找壬后再落下。

■参照前面溅射室泵抽真空的步骤，对系统抽真空，重复前面所做的工作流程。

6、停机:

■首先，关闭系统内所有阀U,尤其注意关闭闸板阀G和旁抽阀VI,进气阀

V2、V3,放气阀V4,使系统保持真空。

■其次，关闭各路电源，先关各路仪表电源，然后关分子泵T电源，当频率

数显为“200”以下后关闭电磁阀DF,关闭机械泵R,最后关闭总电源及所有水

路。

!!!提不：

实验完成后，如果真空室内非常热，这时，要通过分子泵对系统进行较长的

时间抽气，等到系统内部温度降到100℃左右时才能关闭系统。

四、电源及控制

琳用用用用

偏乐电源

质量流量计

直流电源

加热电源

流电源

射频电源

靶挡板控制电源

供电

样品鼓动招制电源

分子泵电源

百板

供电电源

自板

UaaUUa

16

磁控溅射沉积系统

A分类：

□真空测量部分：

■真空计：复合真空计

■供电电源

□真空获得部分：

■控制电源

口材料制备部分包括：

■流量显示仪J

■加热控温也源，

供电电源

＞供电要求：

真空赢共电需3相380V(50Hz)工业动力电，总功率

约15KWo

供电要求分为以下六部分：

□供电电源(1):

■电压：3相380V(50Hz)容量：7.5KVA

■要求：由3P20A空气开关供电，连接电缆采用四芯橡套：2.5mm2X3

17

磁控溅射沉积系统

+1.5mm2Xl（空气开关采用工业用动力型，以下均同样要求，从

略。）

□供电电源（2）：

■电压：3相380V（50Hz）容量：7.5KVA

■要求：由3P20A空气开关供电，连接电缆采用四芯橡套：2.5mm2X3

+15mm-X1

A使用说明

□注意事项：

■设备操作人员必须高度重视电气安全问题，严格遵守用电安全规程,

防止电气事故造成人身伤害或设备损坏。1

■严禁带电拆卸接线端子、焊片、接插件等电气连接件!

■严禁带电打开电源机箱，接触任何/器元件！禁止无电气技术资P

和相关经脸者从事本说明竹姬许的故障排除工作。

■设备必须可靠接地。本系统中所有设备装置的皆属外壳都应白金接

地（包括主机真空■备［及电源疝柜）。各部分电控装置按要可品行单

闸（空气开关）供电，।不允许-闸多

■经常对设备进彳亍安全检查，确驾控单元绝缘良好厩可靠的接地

或接零保二八检查有无漏电、绝缘老化情况；进行电气设备和

..保护装置的地检修、试验及清扫，防器成设备电气事故和误

动作。

□使用前的准备和检查

按照本说明书的“供电要求”，可靠连接各部分电控装置，将各部分装置

及主机外壳可靠接“地”。检查供电电源电压、容量是否符合要求，有无缺

相等故障。检查电控装置与主机设备的电气连接，确保连接正确可靠。检查

有无漏电、绝缘老化情况。

18

磁控溅射沉积系统

检查各部分电控单元的开关状态，应能正常工作，并均设置为初始状态;

检查各电源负载是否产生短路或断路，所有电控单元应能正常工作。

A电控单元使用说明：

□真空计：

■系统采用ZDF-5227型数显复合真空计测量真空室的真空度，量程1

X105Pa-l：X10-5PaoL

■真空计由供电电源（1）提供AC220V电源插座供电；具体使用密

及注意事项详见“附件”中的（ZDF-5227%数显复合真,计）使用

说明书。x

□控制电源：该电源为真空获得控制电源的主要单元：I

控制如下单元：

◊机械泵：控制机械泵的启动和停止，按钮卜开”按F灯亮，继朋学

吸合，机械泵工作按钮“关:'按下灯灵，继电断开，机械架冷

令电磁阀：控制电磁阀M启动和停止，号按下灯亮，吸合，

电磁"

。照明：控制血明的启动和年u，［按钮按下灯亮，细%器吸合，照明

烤的启动和停止，按灯亮，继电器吸合，烘烤

匚作，旋转功率调节旋钮可以改变烘烤功率；

令I上盖升、降：捽制鼠审岁;盖的升降，按下“升”或将“降”后，

真空室盖即上升或下降；松开按钮，真空室盖停止升降；到达限位

位置，真空室盖同样停止升降。一

区提示

控制电源照明、烘烤按钮均为带锁按钮，按下后自锁，动作后指示灯亮。再

按按钮，按纽抬起时，工作停止。烘烤按钮按下后，调节烘烤旋钮，烘烤灯逐渐

加大功率V

19

磁控溅射沉积系统

由供电电源通过双头四芯航插连接电缆提供3相380V电源。

区提示

输出电缆必须按照接头附近所做标记正确连接！

口加热温控电源：

加热温控电源由E本公司生产的温度控制器、移相触发模块、可控硅以及外

电路构成。样品加热温度可控。

需要控温时首先接好控温电源的电源线、输出加热线和热电偶的连接线。

连接时，要注意热电偶的正负极。按照控温表说明书将控温表的各项指标设置

好，然后按相应的按钮开关“加热”，控温电源开始T作。顺时针调节总率限

制”电位器旋钮，使加热炉正常升温。当温度升到控温表所设定的温度时，由

系统控制加热炉开始恒温。当试验作完后，将“功率限制”电位器旋钮反时的

调到“0”，然后按按钮开关“停止”，控温电源停止工作。■

□靶档板控制电源：，」M

打开电源开关，按一下相应的靶档板“开”按钮，可打开档板，/一下“关’

按钮可关闭档板。，.J弋.

□分子泵电源，

FF160/620型（北京科仪）分子泵的驱动控制电源，譬过我和过热铲护功

能。使用方法及注意事项详见“附件”中也“系列复畿千泉交流变频.电机驱

动电源”使用说明书I'，L'

五、注意事项

1、安全用电操作注意事项：

设备操作人员必须高度重视电气安全问题,严格遵守用电安全规

程，防止电气事故造成人身伤害！

□使用动力电时，应先检查电源开关、电机和设备各部份是否良好。如有故障,

应先排除后，方可接通电源。

20

磁控溅射沉积系统

□启动或关闭电器设备时，必须将开关扣严或拉妥，防止似接非接状况。

□人员较长时间离开房间或电源中断时，要切断电源开关，尤其是要注意切断

加热电器设备的电源开关。

□电源或电器设备的保险烧断时，应先查明烧断原因，排除故障后，再按原负

荷选用适宜的保险丝进行更换，不得随意加大或用其它金属线代用。

□没有掌握电器安全操作的人员不得擅自更改电器设施，或随意拆修电器设

备。

□若要打开电源柜后盖，必须先断开设备总控电源。

!!!必须注意：检修设备务必事先断开所有电气设备的电源！！

2、操作注意事项：M

□磁控靶、分子泵工作时，一定要通水冷却，

□在使用机械泵旁抽前保证分子泵口与电磁阀处于关闭状态，皆别是分子泉木

停真空室暴露大气后粗抽时，否则大句从分子零排*口泉体，急剧芥大

损坏泵。’油八

□打开机械泵抽大气时，旁抽阀要缓慢疔开，且抽号典不要过长，，3。多帕

时开分子泵，否则容易造成油黑染。

□系统由大气抽到低真空的过程中禁止开烘烤灯和照明灯。

□溅射室烘烤时室壁面及阳察耳温度不得超过10002

□在室体内溅射完毕或加热炉工作完毕之后，样品可猛炉冷却,真空室内温度

W60°C以下时再暴露大气。.

□溅射室暴露大气前一定要关紧闸板阀，以免损坏分子泵，同时要关紧气路截

止阀，以免气路受污染。

□当上盖处于打开状态时，要时刻注意保护真空室上端密封面。

□在取出或更换样品、靶材时，要注意真空室的清洁；同时要保证屏蔽罩与靶

材之间的距离小于3m。

□严禁闸板阀一端是大气一端是真空的条件下打开闸板阀。

□突然停电时，所有电源要复位，过5-7分钟后，才能重新启动分子泵。

21

磁控溅射沉积系统

六、常见故障及排除

故障现象可能的原因排除方法

“供电电源”无法电源供电线路故障，缺相或电压偏低或

由供电部门查找原因，排除故障

接通相序错误

拧紧紧固件（可使用酒精判断有漏的法

口紧固件没拧紧

兰连接处）

口快卸接口密封面处有杂物擦拭密封面

真空抽上不去口真空腔内有灰尘和水蒸气先清洗真空室，再烘烤

口电极法兰密封不严和我们联系，更换新用1电极法兰,

口密封胶圈老化更换新的胶圈

口靶头里的聚四氟绝缘件零&变夜d和我和快系更换新丽

掇件

后如果行泄露,更换

口前级管道及电磁阀的泄露i

定期杳石油誉及时加;i.i'k，奂新

前级真空抽不上

日分子•泵Im标也要定期检查（约半

去口机械泵是否油不够或油质%劣

年时f瞥次）

①增大水流

口水流约1.器未汨作

已经给水，但水流@水流继电器坏，笠不

继电器仍旧报瞥部水管堵塞，否则需要

磁控靶水路行堵心

拆%头清理内部水路

埠衡两侧压力后打开

闸板阀打不开，口阀板两侧压力差＞3.OX10：，Pa

密封面有污物附着用无尘而将污物清洗干净

密封面有划痕5y用抛光纸抛光

闸板阀密封不良密封面胶圈磨损更换新阀板（与生产厂家联系》

波纹管损坏更换波纹管或补焊（与生产厂家联系）

阀壳受拉ALZXlO'Pa调节阀壳两侧法兰的间隙

闸板阀阀门关闭

阀壳受拉＞1.2Xl()5pa调节阀壳两侧法兰的间隙

时力量大或无法

22

磁控溅射沉积系统

关闭

数字信号出现干

口地线接触不良好良好接地

扰

口电离规损坏更换

分子泵正常启动

手动打开“电离”按钮确认真空达到1

后，电离规不启动口热偶值还没有达到1x102Pa

X10-2Pa,然后调节热偶值。

转动件转动不灵口轴承内有杂物拆卸后用超声波清洗

活