电工电子技术 课件 8.整流滤波电路的实现

整流滤波电路的实现半导体的基本知识二极管08整流电路滤波电路项目介绍滤波电路整流电路稳压电路直流稳压电源变压器任务布置1）掌握二极管的基本知识及其识别和检测方法；2）掌握整流电路的结构及原理；3）掌握整流滤波电路的结构及原理；4）能安装和测试整流滤波电路，并能对一般故障进行排除。5）掌握稳压电路的原理及分析方法。一、半导体的基本知识定义：在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。特性：半导体的导电能力由于某些因素会产生显著的变化，因而受到人们的重视。主要表现为光敏特性、热敏特性和掺杂特性。掺杂半导体：在本征半导体中用扩散工艺掺入少量合适的其它元素，使其导电能力显著增强，这样的半导体称为掺杂半导体。N型半导体在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，使之在某些位置上取代硅（Si）原子，便可构成N型硅半导体。P型半导体

在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等，使之在某些位置上取代硅（Si）原子，便可构成P型硅半导体。一、半导体的基本知识1.PN结的形成及其特点空间电荷区耗尽层NP符号一、半导体的基本知识PN结加正向电压（正偏）——导通正向电流一、半导体的基本知识1.PN结的形成及其特点PN结加反向电压——截止PN一、半导体的基本知识1.PN结的形成及其特点1.二极管的结构与符号二、二极管

二极管=PN结+管壳+电极引线NP结构符号阳极+阴极-特性——单向导电性阳极+阴极-

硅：0.5V

锗：

0.1V(1)正向特性导通压降反向饱和电流(2)反向特性死区电压击穿电压UBRuEiVmAuEiVuA锗

硅：0.7V锗：0.3VIS二、二极管2.二极管的伏安特性二、二极管2.二极管的伏安特性理想二极管模型正偏反偏导通压降二极管的V—A特性二、二极管3.二极管的主要参数

(1)最大整流电流IF二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值(2)最高反向工作电压URRM超过此值时，二极管可能因反向击穿而损坏。安全起见，一般取反向击穿电压UBR的一半。

(3)最大反向电流IRM——

在规定的温度下，在最高反向电压URRM下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(

A)级。二、二极管4.特殊二极管介绍稳压二极管稳压管正常工作于反向击穿区发光二极管光敏二极管光敏二极管在电路中一般处于反向偏置状态将数字万用表拨到二极管档，若显示值在1V以下，说明管子处于正向导通状态，显示器显示出二极管正向压降的mV值，红表笔接的是二极管的正极，黑表笔接的是二极管的负极，若显示溢出符号“1”，说明管子处于反向截止状态，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。二、二极管5.二极管的检测与识别带银边的一端为阴极长引脚的一端为阳极大金属片端为阴极万用表的测量三、整流电路

分类：单相整流电路分为半波整流、全波整流、桥式整流及倍压整流等。将交流电整流成脉动直流电目的：电路构成原理：利用二极管单向导电性三、整流电路1.单相半波整流电路

u1u2TVD4VD2VD1VD3RLuo+-+-2.单相桥式整流电路

u2正半周时VD1，VD3导通VD2，VD4截止三、整流电路-+u0u1u2TVD4VD2VD1VD3RL+-VD2，VD4导通VD1，VD3截止u2负半周时2.单相桥式整流电路

三、整流电路u2VD4VD2VD1VD3RLuoAB

u2>0时VD1,VD3导通VD2,VD4截止A

VD1

RLVD3Bu2<0时VD2,VD4导通VD1,VD3截止B

VD2

RLVD4A输出是脉动的直流电压！u2uo2.单相桥式整流电路

三、整流电路u2VD4VD2VD1VD3RLuoAB负载上电压和电流平均值的计算u2uo+-uD4,uD2uD3,uD1uD2.单相桥式整流电路

三、整流电路

交流电压脉动直流电压整流滤波直流电压滤波电路的结构特点:电容与负载RL并联，或电感与负载RL串联。概念：只允许一定频率范围内的信号成分正常通过，而阻止另一部分频率