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文档简介

位错理论VI

——实际晶体中的位错朱旻昊材料先进技术教育部重点实验室2006年4月1

目录

晶体中的全位错堆垛层错不全位错位错反应和扩展位错2位错稳定存在的条件晶体中位错可稳定存在的条件:几何条件位错组态必须是原子受力平衡的状态,晶体的原子必须处于晶格结点上。能量条件位错的能态应最低取决于位错线的取向、类型、几何组态、柏氏矢量、各向异性、应变能起主要作用的是——弹性应变能因为应变能正比于b2

位错要尽量取最小柏氏矢量的组态3Perfectandimperfectdislocation全位错:柏氏矢量为单位点阵矢量或点阵矢量的整数倍的位错。(完整位错Perfectdislocation)柏氏矢量正好等于单位点阵矢量的位错——单位位错(Unitdislocation)不全位错(Imperfectdislocation)(不完整位错):柏氏矢量不等于单位点阵矢量整数倍的位错。不同位错组态可相互转化:全位错若干个不全位错若干个不全位错全位错4Perfectdislocation金属晶体中的全位错:邻近原子的点阵矢量:从能量的角度:面心立方晶体——全位错:5Perfectdislocation金属晶体中的全位错:体心立方晶体——全位错:密排六方晶体——全位错:6

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晶体中的全位错堆垛层错不全位错位错反应和扩展位错7Stackingfault堆垛层错——一种面缺陷定义:在密排晶体结构中,存在着密排晶面的堆垛顺序错排的晶体缺陷。已知FCC晶体的正常堆垛顺序为:……CABCABCA……已知HCP晶体的正常堆垛顺序为:……ABABABA……8Stackingfault正常堆垛——Frank符号表示若用▲代表AB、BC、CA的面间堆垛顺序而用▼代表相反的面间堆垛顺序91011Stackingfault形成堆垛层错若FCC晶体中某一区域的(111)面按......ABCBCA……的顺序堆垛用Frank符号表示:

......▲▲▼▲▲......形成堆垛层错12StackingfaultFCC晶体的堆垛层错形成方式使任一层(111)晶面滑移1/6<112>,移至其相邻(111)晶面相应位置

AA’滑移矢量:1/2[-211]——一步1/6[-211]A层原子滑移1/6[-211]后正好滑移到B层原子位置的投影位置13StackingfaultFCC晶体的堆垛层错形成方式14StackingfaultFCC晶体的堆垛层错形成方式15

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