第1章 常用电子器件、常用仪表

第一章常用电子器件、常用仪表1.1、常用仪表1.2、常用的电子仪器仙桃职业学院机械电子工程学院2本章要点常用仪器仪表的结构、工作原理指标参数及使用方法；常用电子元器件的基本构造、类别、符号、识别方法、标称参数及使用注意事项。仙桃职业学院机械电子工程学院31.1常用仪表1.1.1函数信号发生器、示波器一、函数信号发生器

函数信号发生器是一种宽带、频率可调的多波形信号发生器，由于其输出波形均可用数学函数描述，故命名为函数发生器。函数信号函数信号一般能产生正弦波、方波和三角波，有的还可以产生锯齿波、矩形波（宽度和重复周期可调）、正负尖脉冲、斜波、半波正弦波及指数波等波形。现代函数信号发生器一般还具有调频、调幅等调制功能和VCO（电压控制振荡器）特性。仙桃职业学院机械电子工程学院41.1.1、函数信号发生器的基本组成与原理函数发生器通常有三种：第一种是脉冲式，在触发脉冲的作用下，施密特电路产生方波，然后经变换得到三角波和正弦波；第二种是正弦式，先产生正弦波再得到方波和三角波；第三种是三角波式，先产生三角波再转换为方波和正弦波。仙桃职业学院机械电子工程学院51、脉冲式函数信号发生器脉冲式函数信号发生器的原理框图如图所示。它包括脉冲发生器、施密特触发器、积分器和正弦波转换器等部分。积分器正弦波转换器施密特触发器放大器脉冲发生器外仙桃职业学院机械电子工程学院62、正弦式函数信号发生器正弦式函数信号发生器的组成框图如图所示。它包括正弦振荡器、缓冲级、方波形成、积分器、放大器和输出级等部分。正弦振荡器缓冲级放大器输出级方波形成积分器仙桃职业学院机械电子工程学院73、三角波式函数发生器三角波式函数信号发生器的原理框图如图所示。三角波发生器方波形成电路缓冲放大器正弦波形成电路缓冲放大器输出正弦波输出方波仙桃职业学院机械电子工程学院84、函数信号发生器的主要性能指标①、输出波形：通常输出波形有正弦波、方波、脉冲和三角波等波形。②、频率范围：函数发生器的整个工作频率范围一般分为若干频段，如1～10HZ、100KH～1MHZ等波段。③、输出电压：对正弦信号，一般指输出电压的峰一峰值，通常可达10UP-P以上；对脉冲数字信号，则包括TTL和CMOS输出电平。④、波形特性：不同波形有不同的表示法。正弦波的特性一般用非线性失真系数表示，三角波的特性用非线性系数表示，方波的特性参数是上升时间。⑤、输出阻抗：函数信号输出50Ω；TTL同步输出600Ω。仙桃职业学院机械电子工程学院91.1.2、示波器

示波器是一种使用非常广泛，且使用相对复杂的仪器。1、示波器工作原理示波器是利用电子示波管的特性，将人眼无法直接观测的电信号转换成图像，显示在荧光屏上方便测量的电子测量仪器。它是观察电路实验现象、分析实验中的问题、测量实验结果必不可少的重要仪器。示波器由示波管和电源系统、同步系统、X轴偏转系统、Y轴偏转系统、延迟扫描系统、标准信号源组成。

仙桃职业学院机械电子工程学院10图1示波管的内部结构和供电图示

仙桃职业学院机械电子工程学院111、示波器的面板组成

仙桃职业学院机械电子工程学院122、示波器使用

①、荧光屏：荧光屏是示波管的显示部分。②、电源(Power)：当此开关按下时，电源指示灯亮，表示电源接通。③、辉度(Intensity)④、聚焦(Focus)：聚焦旋钮调节电子束截面大小，将扫描线聚焦成最清晰状态。⑤、标尺亮度(Illuminance)：此旋钮调节荧光屏后面的照明灯亮度。室内光线不足的环境中，可适当调亮照明灯。⑥、垂直偏转因数和水平偏转因数

A、垂直偏转因数选择(VOLTS／DIV)和微调

B、时基选择(TIME／DIV)和微调仙桃职业学院机械电子工程学院133、输入通道和输入耦合选择

①、输入通道选择输入通道至少有三种选择方式：通道1(CH1)、通道2(CH2)、双通道(DUAL)。选择通道1时，示波器仅显示通道1的信号。选择通道2时，示波器仅显示通道2的信号。选择双通道时，示波器同时显示通道1信号和通道2信号。②、输入耦合方式输入耦合方式有三种选择：交流(AC)、地(GND)、直流(DC)。当选择“地”时，扫描线显示出“示波器地”在荧光屏上的位置。仙桃职业学院机械电子工程学院144、触发

调节触发是为了在荧光屏上得到稳定的、清晰的信号波形。①、触发源(Source)选择：通常有三种触发源：内触发(INT)、电源触发(LINE)、外触发（EXT)。②、触发耦合(Coupling)方式选择：触发信号到触发电路的耦合方式有多种，目的是为了触发信号的稳定、可靠。③、触发电平(Level)和触发极性(Slope)

触发电平调节又叫同步调节，它使得扫描与被测信号同步。仙桃职业学院机械电子工程学院151.1.3万用表、毫伏表1、万用表万用电表由表头、测量电路和转换装置三部分组成。（1）直流电流档：直流电流档采用闭路抽头式电路，构成多个量程;（2）交、直流电压档：直流电压档是在直流档的基础上设计的，采用倍率电阻串联式电路;（3）电阻档（欧姆档）：用电表的欧姆档，其原理实质是用伏安法测电阻。

仙桃职业学院机械电子工程学院162、毫伏表测量电压的基本仪器是毫伏表：

1.电源开关；2.电源指示灯；3.表面；4.机械调零；5.输入端I；6.输入选择开关；7.输入端Ⅱ；8.量程转换开关I及刻度；9.量程转换开关II及刻度仙桃职业学院机械电子工程学院173、主要技术性能1.测量范围：100μV—300V分12档量程；2.电压刻度：1mV、3mV、10mV、30mV、100mV、300mV，1V、3V、10V、30V、100V、300V共12档；3.dB刻度：－60dB—＋50dB（0dB=1V）；4.电压测量工作误差≤5%满刻度（1KHz）；5.频率响应：100Hz～100KHz=3%，10Hz～1MHz=5%；6.输入特性：最大输入电压不得大于450v（AC+DC）；输入阻抗≥1M（≤50pF）；7.噪声：输入端良好短路时低于满刻度值的3%；8.两通道互扰小于80dB；9.电源适应范围：电压220V±10%；频率50±2Hz；功率不大于10VA。仙桃职业学院机械电子工程学院184、基本操作①.通电前先观察表针停在的位置，如果不在表面零刻度需调整电表指针的机械零位；②.根据需要选择输入端I或Ⅱ；③.将量程开关置于高量程档，接通电源，通电后预热10分钟后使用，可保证性能可靠；④.根据所测电压选择合适的量程，若测量电压未知大小应将量程开关置最大档，然后逐级减少量程；⑤.在需要测量两个端口电压时，可将被测的两路电压分别输入输入端I和II，通过拔动输入选择开关来确定I路或II路的电压读数；说明一点，在接通电源10秒钟内指针有无规则摆动几次的现象是正常的。仙桃职业学院机械电子工程学院195、测量实例

例：用DF2172双路毫伏表测量放大器的电压放大倍数Au。

将输入电压u1和输出电压u2分别接入DF2172毫伏表的输入端I和II，调节量程和拔动输入选择开关，分别读出输入和输出电压有效值U1、U2，则放大器的电压放大倍数为：Au=U1/U2。仙桃职业学院机械电子工程学院201.2、常用的电子器件

1.2.1电阻器电容器电感器1.电阻器

①、电阻器的功能物体对通过电流的阻碍作用称为电阻。利用这种阻碍作用做成的元件称为电阻器，简称电阻。在电路中用英文符号R表示:R=ρ/LS

与物体材料的性质有关；与物体的长度L呈正比；与横截面积呈反比。仙桃职业学院机械电子工程学院21

电阻器的种类

②、电阻器的种类外形构成以及符号仙桃职业学院机械电子工程学院22电阻器的外形

仙桃职业学院机械电子工程学院23电阻器的符号仙桃职业学院机械电子工程学院24

碳膜电阻内部结够如图所示，是用结晶碳沉积在磁棒上或瓷管上制成的。改变碳膜的厚度和用刻擦的办法变更碳膜长度可以得到不同的阻值。主要特点是高频特性好，是应用最多的一种电阻器。它广泛的用于收音机、电视机及其它电子设备中。金属膜电阻，是通过真空蒸发等方法使合金粉沉积在瓷基体上制成的。刻槽和改变金属膜的厚度可以精确的控制阻值。其耐热性能好，工作频率较宽，但成本稍高。绕线电阻是用镍铬合金的电阻丝绕在绝缘支架上制成的。其外面涂有绝缘的釉层。电阻器的构成仙桃职业学院机械电子工程学院25③、电阻器的标称及参数色标电阻:使用不同的色环或色点标出仙桃职业学院机械电子工程学院26直标法:直接标住参数电阻器的标称并不是随意选定的，为了便于工业上大量生产，和使用者在一定范围内选用，国家规定了E24系列规定分别有1.0、1.1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.3、7.5、8.2、9.1、乘以101、102、103所得的值。其中E2系列电阻器阻值允许误差为5%，而E12系列允许误差为10%。额定功率:电阻常期工作所允许承受的最大功率可分为1/81/4

1/2和10W等一般额定功率越大，电阻的体积越大。仙桃职业学院机械电子工程学院27④、电阻器的正确选用及注意情况（1）按不同的用途选择电阻器的种类:

在一般的收音机、电视机等电路中，选择普通的碳膜电阻器就可以了，它廉价而且容易买到。对要求较高的电路或电路中的某些部分，要看有关说明选用适当的种类的电阻器;（2）正确选取阻值和允许误差:

电阻器应选择接近计算值的一个标称值。一般的电路对精度没有要求，选1、2级的允许误差就可以了。若有精度要求，如在修理万用表时，换用的电阻器则应选用005级精密电阻器;（3）额定功率的选择:电阻器的额定功率应选用比额定功率大1-10倍。仙桃职业学院机械电子工程学院28（4）使用中注意的问题A、电阻器安装时，它的两条引出线不要从根部打弯，必须留出一定的距离，否则容易折断；B、焊接时不要使电阻器长时间受热以免引起阻值的变化；C、大于10W的电阻器应保证有散热空间；D、电阻器在装入电路前，要核实一下阻值，安装时要使表面值处于醒目的位置。仙桃职业学院机械电子工程学院29⑤、特殊电阻（1）半可调电阻:半可调电阻器又称微调电阻器，它主要用在阻值需调整，但又不需要经常变动的电路中。如图所示：仙桃职业学院机械电子工程学院30（2）水泥电阻：水泥电阻器是一种陶瓷绝缘的功率型绕线电阻，例如彩色电视机中的大功率电阻；

（3）熔断电阻器:又名保险丝电阻器,是一种具有熔断丝及电阻器作用的双功能元件熔断电阻器，常用型号有RF10、RF11、RRD0910、RRD0911等,RF10型表面涂有灰色不燃料；（4）热敏电阻：热敏电阻的阻值随温度变化很大。仙桃职业学院机械电子工程学院31

（5）湿敏电阻:常用来做传感器即用于检测湿度。（6）光敏电阻:光敏电阻器大多数是由半导体材料制成的，它利用半导体的光导电特性使电阻器的阻值随入射光线强弱发生变化。仙桃职业学院机械电子工程学院32（8）电位器：电位器时一种连续可调的电阻器，其滑动臂（动接触点）的接触刷在电阻体上滑动，可获得与电位器可动臂转角成一定角度关系的电压。（7）磁敏电阻：磁敏电阻是利用磁电效应能改变电阻器的电阻值的原理制成的；仙桃职业学院机械电子工程学院331.2.2、电容器1.电容器功能:用于稳定电压的电容即滤波电容；用于隔离直流的电容即隔直电容；与电阻或电感形成谐振的电容即谐振电容；用于交流通路的电容即耦合电容。仙桃职业学院机械电子工程学院342.电容器的种类：按介质分类仙桃职业学院机械电子工程学院353、电容器的参数及标称（1）标称电容及允许偏差容量:符号是英文字母C.国际单位即F。但F作单位在实用中往往显得太大，所以常用mF（毫法）、μF（微法）、nF（纳法）和pF（皮法），它们之间的关系如下：

1F=103mF=106μF=109nF=1012pF

允许偏差:仙桃职业学院机械电子工程学院36（2）额定电压是指在允许的环境温度范围内，电容上可连续长期施加的最大电压有效值。电容的额定电压通常是指直流工作电压，但也有少数品种标以交流额定电压，

仙桃职业学院机械电子工程学院37（3）绝缘电阻及漏电流电容价质不可能绝对不导电，当电容加上直流工作电压时，总有漏电流产生。若漏电流太大，电容就会发热损坏，严重的会使外壳爆裂.

（4）损耗因数电容的损耗因数指有功损耗与无功损耗功率之比，式中P为有功损耗功率；Pq为无功损耗功率；U、I为施加于电容的交流电压、电流有效值.仙桃职业学院机械电子工程学院38(5)、国产电容器的型号和标志识别国产电容器的型号一般由四个部分组成，现举一例说明：仙桃职业学院机械电子工程学院39(6)、电容使用注意事项考虑容量的大小；不能超过耐压值；注意电容的用途；电解电容的极性。仙桃职业学院机械电子工程学院401.2.3、电感器1.电感元件的功能作为滤波线圈阻止交流的干扰；作为谐振线圈与电容构成谐振电路；在高频电路中作为高频的负载；制成变压器传递交流信号；利用电磁感应特性制成磁性元件。仙桃职业学院机械电子工程学院41电感线圈又称电感元件，其种类较多，如图所示。2、种类

仙桃职业学院机械电子工程学院42电感器及阻流圈的主要参数：（1）.电感量L：电感量L也称作自感系数，是表示电感元件自感应能力的一种物理量；（2）.感抗XL：线圈对交流电有阻力作用，阻力大小就用感抗XL来表示；（3）.品质因数Q：表示电感线圈品质的参数，亦称作Q值或优值；（4）.直流电阻：即电感线圈自身的直流电阻，可用万用表或欧姆表直接测得；（5）.额定电流：允许长时间通过电感元件的直流电流值。

3、主要技术参数及识别

仙桃职业学院机械电子工程学院434、常用电感线圈的特点及用途（1）.空芯线圈：用导线绕制在纸筒、胶木筒、塑料筒上组成的线圈或绕制后脱胎而成的线圈，由于此线圈中间不另加介质材料，因此称为空芯线圈。

仙桃职业学院机械电子工程学院44（2）.磁芯线圈：用导线在磁芯、磁环上绕制成线圈或者在空芯线圈中插入磁芯组成的线圈均称为磁芯线圈。

仙桃职业学院机械电子工程学院45（3）可调磁芯线圈：在空芯线圈中旋入可调的磁芯组成可调磁芯线圈。（4）铁芯线圈：在空芯线圈中插入硅钢片组成铁芯线圈。

仙桃职业学院机械电子工程学院461.2.4二极管、三极管场效应管

1.二极管①.半导体在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是+4价元素。硅原子锗原子硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。

本征半导体的共价键结构束缚电子在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。

本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。本征半导体

这一现象称为本征激发，也称热激发。

当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴

自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。本征半导体

可见本征激发同时产生电子空穴对。

外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。与本征激发相反的现象——复合在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。常温300K时：电子空穴对的浓度硅：锗：自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴电子空穴对本征半导体

自由电子带负电荷电子流+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子E＋－＋总电流载流子空穴带正电荷空穴流本征半导体的导电性取决于外加能量：温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。导电机制本征半导体

仙桃职业学院机械电子工程学院51②PN节

在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，为N型半导体。

(1).

N型半导体－－－－－－－－－－－－P型半导体硅原子空穴硼原子电子空穴对空穴受主离子仙桃职业学院机械电子工程学院52(3)PN结杂质半导体提高了半导体的导电能力,但实际意义远非如此,利用特殊的掺杂工艺,在块晶片上两边分别生成N型和P型半导体,两者的交界面就是PN结。PN结仙桃职业学院机械电子工程学院533、半导体二极管构成及特点

二极管=PN结+管壳+引线NP结构符号阳极+阴极-(1)、二极管构成：(1)点接触型二极管

PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。4、二极管按结构分三大类：(3)平面型二极管

用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。

PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(2)面接触型二极管国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。5、半导体二极管的型号

硅：0.5V

锗：

0.1V(1)正向特性导通压降反向饱和电流(2)反向特性死区电压击穿电压UBR实验曲线uEiVmAuEiVuA锗

硅：0.7V锗：0.3V

6、半导体二极管的V—A特性曲线

仙桃职业学院机械电子工程学院587、二极管参数及标称

二极管的性能除了用伏安特性表示外，还可以用一些主要数据来表示：（1）最大整流电流IOM

最大整流电流是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。（2）最大反向电压URM

最大反向电压是保证二极管不被击穿而给出的最高反向工作电压。（3）最大反向电流IRM

最大反向电流是指二极管加上最大反向电压时的反向电流。

1.2.5、双极型三极管

半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor,简称BJT）。BJT是由两个PN结组成的。1、晶体三极管结构符号NPN型PNP型符号:

三极管的结构特点:（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。--NNP发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极--PPN发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极2、晶体三极管的内部工作原理（NPN管）

三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结正偏：+UCE

－＋UBE－＋UCB－集电结反偏：由VCC、

VBB保证UCB=UCE-UBE>0共发射极接法c区b区e区

（2）集电极发射极间的穿透电流ICEO

基极开路时，集电极到发射极间的电流——穿透电流。其大小与温度有关。

（1）集电极基极间反向饱和电流ICBO

发射极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。它实际上就是一个PN结的反向电流。其大小与温度有关。锗管：ICBO为微安数量级，硅管：ICBO为纳安数量级。++ICBOecbICEO

3、三极管参数

Ic增加时，

要下降。当

值下降到线性放大区

值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。（3）集电极最大允许电流ICM（4）集电极最大允许功率损耗PCM

集电极电流通过集电结时所产生的功耗，

PC=ICUCE

PCM<PCM

3、三极管参数(二)

BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种：

①

U（BR）EBO——集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般几伏～十几伏。②

U（BR）CBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏～几百伏。③U（BR）CEO——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。

在实际使用时，还有U（BR）CER、U（BR）CES等击穿电压。--(BR)CEOU(BR)CBOU(BR)EBOU（5）、反向击穿电压

3、三极管参数(三)4、半导体三极管的型号第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、

G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：3DG110B仙桃职业学院机械电子工程学院66晶体三极管分类图仙桃职业学院机械电子工程学院675、种类、名称、型号和外形识别三极管的种类

:仙桃职业学院机械电子工程学院68②F型:F型分为F-0、F-1……F-4共5种规格。仙桃职业学院机械电子工程学院696.国产晶体管外形介绍（1）金属封装外形①B型仙桃职业学院机械电子工程学院70⑥G型

仙桃职业学院机械电子工程学院71（2）塑料塑装外形①S-1型、S-2型、S-4型；②S-5型；③S-6A型、S-6B型、S-7型、S-8型。

晶体三极管是一种电流控制元件(iB~iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道FET分类：

绝缘栅场效应管结型场效应管

场效应管（FieldEffectTransistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~iD)，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。

FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。1.2.6、场效应管

绝缘栅型场效应管(MetalOxide

SemiconductorFET)，简称MOSFET。分为：

增强型

N沟道、P沟道耗尽型N沟道、P沟道

N沟道增强型MOS管

（1）结构

4个电极：漏极D，源极S，栅极G和衬底B。符号：1.绝缘栅场效应三极管

当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。

当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。

再增加uGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。①栅源电压uGS的控制作用

（2）工作原理开启电压（UT）——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS。

N沟道增强型MOS管的基本特性：

uGS

＜UT，管子截止，

uGS

＞UT，管子导通。

uGS

越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。定义：

②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用

当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V，uGS=4V）

（a）uds=0时，id=0；（b）uds↑→id↑；同时沟道靠漏区变窄。（c）当uds增加到使ugd=UT时，沟道靠漏区夹断，称为预夹断；（d）uds再增加，预夹断区加长，uds增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，id基本不变。

四个区：（a）可变电阻区（预夹断前）；

①输出特性曲线：iD=f(uDS)

uGS=const（b）恒流区也称饱和区（预夹断后）；

（c）夹断区（截止区）；

（d）击穿区。可变电阻区恒流区截止区击穿区③特性曲线

④转移特性曲线：iD=f(uGS)

uDS=const

可根据输出特性曲线作出移特性曲线。例：作uDS=10V的一条转移特性曲线：gm=

iD/

uGS

uDS=const(单位mS)

gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。

在转移特性曲线上，gm为的曲线的斜率。在输出特性曲线上也可求出gm。一个重要参数——跨导gm：

2.N沟道耗尽型MOSFET特点：

当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。

当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。

在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。

定义：夹断电压（UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。输出特性曲线转移特性曲线1GSu01D(V)-12-2(mA)432i42uu310V=+2V1DSGSD(mA)i=-1VuGSGSGS=0V=+1Vuu(V)=-2V＝UPGSuUPN沟道耗尽型MOSFET的特性曲线

3、P沟道耗尽型MOSFET

P沟道MOSFET的工作原理与N沟道

MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。4.MOS管的主要参数（1）开启电压UT；（2）夹断电压UP；（3）跨导gm

：gm=

iD/

uGS

uDS=const；

（4）直流输入电阻RGS——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层，输入电阻可达109～1015。

仙桃职业学院机械电子工程学院841.2.3、集成电路及其它常用电子原器件简介1、通用型集成电路的组成及其基本特性①、通用型集成运算放大器的组成构成:集成电路是利用半导体的制造工艺，将整个电路中的元器件制作在一块基片，封装后构成特定功能的电路块。集成电路按其功能可分为数字集成电路和模拟集成电路。模拟集成电路品种繁多，其中应用最为广泛的是集成运算放大器。仙桃职业学院机械电子工程学院852.结构特点（1）集成电路中的电阻元件由硅半导体的体电阻构成，电容元件常用PN结电容构成，电阻和电容的数值范围不大，且误差较大；（2）虽然集成电路中元器件参数的绝对误差很大，但由同一硅片上用相同工艺制成的同样元件，其参数的相对误差很小，温度的均一性好；（3）电路中缓间都采用直接耦合方式工，以减少级间耦合元件个数及耦合损耗。集成电路中还广泛采用复合管电路以及共射一共基、共集一共基等组合电路。仙桃职业学院机械电子工程学院863、集成运算放大器电路符号及理想化条件

（1）、集成运算放大器电路符号输入级中间级输出级偏置电路结构框图电路符号+∞-PN仙桃职业学院机械电子工程学院87

表示信号的传输方向，“∞”表示理想条件，两个输入端中，N称为反相输入端，用符号“-”表示，说明如果输入信号由此端加入，由它产生的输出信号与输入信号反相。P称为同相输入端，用“+”表示，说明输入信号由此加入，由它产生的输出信号与输入信号同相。（2）集成运算放大器特性的理想化Aud→∞、Rid→∞、RO→0、KCMR→∞以及失调和温漂均趋于零。仙桃职业学院机械电子工程学院881.2.7、其它元件1、变压器: