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文档简介

半导体物理与器件知到智慧树章节测试课后答案2024年秋上海电子信息职业技术学院第一章单元测试

半导体材料的导电性能介于金属材料和绝缘材料之间。()

A:错B:对

答案:对电中性原子失去电子后带正电。()

A:错B:对

答案:对半导体硫化银的电阻具有负的温度系数是因为?()

A:当硫化银受热时产生了更少的电子参与定向运动B:当硫化银受热时产生了更多的电子参与定向运动

答案:当硫化银受热时产生了更多的电子参与定向运动常温下,半导体材料的电阻率在什么范围?()

A:<10-3Ω·cmB:>1010Ω·cmC:>109Ω·cmD:10-3Ω·cm~109Ω·cm

答案:10-3Ω·cm~109Ω·cm是谁首先提出:将电、磁、光统归为电磁场现象的麦克斯韦方程组?()

A:赫兹B:麦克斯韦C:安培D:奥斯特

答案:麦克斯韦

第二章单元测试

中子是带正电的。()

A:对B:错

答案:错中子是带负电的。()

A:对B:错

答案:错核外的电子是分布在能量的轨道上的()

A:不连续B:连续

答案:不连续核外电子的能量是被量子化的,每份能量的大小由公式hυ确定,h是,υ表示。()

A:普朗克常量,波的频率B:波的频率,普朗克常量

答案:普朗克常量,波的频率一个主量子数是不能精确确定电子的轨道的,每个轨道里面还可以再细分,即还有分壳层,它用表示的。()

A:数字,例如1,2,3,…B:字母,例如s,p,d,…

答案:字母,例如s,p,d,…

第三章单元测试

N型半导体主要靠自由电子运动导电,也称为电子半导体。()

A:对B:错

答案:对P型半导体主要靠空穴运动导电,也称为空穴半导体。()

A:对B:错

答案:对PN结中载流子的运动是这样的:P型半导体中的多子空穴向N区扩散,留下不可移动的负离子;N型半导体的多子电子向P区扩散,留下不可移动的正离子。()

A:对B:错

答案:对在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素,如磷、锑、砷等,可以构成。()

A:N型半导体B:P型半导体

答案:N型半导体在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素,如硼、镓、铟等,可以构成。()

A:P型半导体B:N型半导体

答案:P型半导体

第四章单元测试

将两个背靠背的PN结连接在一起的三明治结构,可以形成双极结型晶体管,它有两种不同的结构,一种是NPN结构,另一种是PNP结构。()

A:对B:错

答案:对将两个PN结以非背靠背方式连接在一起的四层结构,可以形成晶闸管。()

A:对B:错

答案:对晶体管发射极(emitter)e用于收集载流子。()

A:错B:对

答案:错晶体管的电流放大倍数等于集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB的比值。()

A:错B:对

答案:对将晶体管三个区的掺杂浓度按从高到低顺序排序,正确的顺序是:。()

A:集电区>发射区>基区B:发射区>集电区>基区C:发射区>集电区>基区D:发射区>基区>集电区

答案:发射区>集电区>基区

第五章单元测试

三极管是由电流来控制实现功能的。()

A:错B:对

答案:对MOSFET管是由电流来控制实现功能的。()

A:对B:错

答案:错MOSFET管是由电场来控制实现功能的。()

A:错B:对

答案:对增强型NMOS管中,两个重掺杂的N区分别称为源区Source和漏区Drain。()

A:对B:错

答案:对沟道电压、栅极电压和漏极电压三者之间的关系是什么?()

A:栅极电压=栅极电压—漏极电压B:栅极电压=栅极电压+漏极电压

答案:栅极电压=栅极电压—漏极电压

第六章单元测试

CMOS是互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)的简写。()

A:对B:错

答案:对CMOS中的字母M代表Metal金属的意思。()

A:对B:错

答案:对CMOS中的字母O代表Oxide氧化物的意思。()

A:对B:错

答案:对N阱CMOS工艺中第六次光刻是为了制作接触孔。()

A:错B:对

答案:对N阱CMOS工艺中第七次光刻是为了制作金属互联线。()

A:对B:错

答案:对

第七章单元测试

金属和半导体接触又称为欧姆接触。()

A:对B:错

答案:对结面积较大的二极管适用于低频线路。()

A:错B:对

答案:对半导体有四种基本结构分别为:()

A:MS结构B:MOS结构C:PN结构D:异质结构

答案:MS结构;MOS结构;PN结构;异质结构二极管按材料,可分为哪两大类?()

A:整流管B:硅管C:锗管D:LED

答案:硅管;锗管晶体管主要分为哪两类?()

A:稳压管B:双极结型晶体管C:二极管D:场效应晶体管

答案:双极结型晶体管;场效应晶体管

第八章单元测试

摩尔定律是物理定律,这种说法是否正确。()

A:错B:对

答案:错摩尔定律不是物理定律,这种说法是否正确。()

A:错B:对

答案:对22nm到5nm的工艺节点的芯片采用FinFET鳍状场效应管工艺制作。()

A:错B:对

答案:对新型半导体器件的三大发展方向是什么?()

A:深度摩尔(MoreMoore)B:超越摩尔(BeyondMoore)C:扩展摩尔(MorethanMoore)

答案:深度摩尔(Mo

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