半导体器件知到智慧树章节测试课后答案2024年秋西安邮电大学

半导体器件知到智慧树章节测试课后答案2024年秋西安邮电大学第一章单元测试

不属于化合物半导体的有（）。

A:锗B:砷化铝C:磷化铝D:磷化镓

答案:锗硅单晶晶体结构为（）。

A:体心结构B:面心结构C:正四面体结构D:立方体结构

答案:体心结构属于化合物半导体有（）。

A:氧化镓B:硅C:砷化镓D:氮化镓

答案:氧化镓；砷化镓；氮化镓Si是一种IV族元素半导体（四主族）。（）

A:对B:错

答案:对半导体材料一般分为三种类型：无定型、多晶和单晶。（）

A:对B:错

答案:对

第二章单元测试

以下关于半导体中电子有效质量的描述，不对的选项是（）。

A:有效质量反映了晶格周期性势场对电子的作用B:有效质量是一个常数C:有效质量具有质量的量纲D:通过回旋共振实验可以测出电子有效质量

答案:有效质量是一个常数杂质半导体中电子占据施主能级的几率可以直接套用费米分布函数来进行计算。（）

A:错B:对

答案:错在单晶硅中掺入少量（）杂质元素会形成N型半导体？

A:硼B:镓C:磷D:锗

答案:磷单晶硅表面态密度的实验值要比理论值高几个数量级。（）

A:错B:对

答案:错关于半导体表面态的描述，下列（）是错误的？

A:空态时呈中性而电子占据后带负电的为施主型表面态B:空态时带正电而电子占据后呈中性的为施主型表面态C:快态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层D:慢态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层

答案:空态时呈中性而电子占据后带负电的为施主型表面态；快态位于氧化层与空气界面上，与体内交换电子必须通过氧化层

第三章单元测试

以下关于PN结的描述，正确的的选项是（）。

A:PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率B:PN结具有单向导电性C:PN结加正向偏压时，外加电场的方向与自建电场方向相同D:平衡PN结，P区一侧的费米能级高于N区一侧的费米能级

答案:PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率；PN结具有单向导电性对于金属和N型半导体紧密接触，当Wm>Ws时，在界面处形成阻挡层（）

A:错B:对

答案:对对于单边突变结，正确的的选项是（）

A:耗尽层宽度主要在重掺杂一侧B:P区和N区两边的掺杂浓度有数量级的差别C:内建电势主要降落在轻掺杂一侧D:耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧

答案:P区和N区两边的掺杂浓度有数量级的差别；内建电势主要降落在轻掺杂一侧；耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧正偏PN结耗尽层边界处少子浓度随正偏电压增加而线性增加（）

A:错B:对

答案:错对于单边突变结，提高雪崩击穿的方法有（）

A:选用禁带宽度更大的半导体材料B:增加轻掺杂一侧掺杂浓度C:选用禁带宽度较窄的半导体材料D:降低轻掺杂一侧掺杂浓度

答案:选用禁带宽度更大的半导体材料；降低轻掺杂一侧掺杂浓度以PN+结为例，下列哪项可以提高PN结开关速度（）

A:增大P区少子的扩散长度B:降低正向电流C:减小P区少子的寿命D:提高串联电阻R

答案:降低正向电流；减小P区少子的寿命

第四章单元测试

双极晶体管的基区特点（）。

A:宽且掺杂轻B:窄且掺杂轻C:窄且掺杂重D:宽且掺杂重

答案:窄且掺杂轻基区中的复合电流IVB受以下哪些因素影响（）。

A:基区宽度B:基区的少子寿命C:基区的掺杂D:基区中的电荷数

答案:基区宽度；基区的少子寿命；基区的掺杂；基区中的电荷数双极晶体管中的结构参数会影响哪些器件性能（）。

A:发射区的发射效率B:基区的输运系数C:共射接法的电流放大系数D:共基接法的电流放大系数

答案:发射区的发射效率；基区的输运系数；共射接法的电流放大系数；共基接法的电流放大系数双极晶体管的发射区掺杂要低。（）

A:对B:错

答案:错NPN双极晶体管中发射区的多子是电子（）

A:对B:错

答案:对

第五章单元测试

NMOSFET的沟道导电载流子为（）。

A:固定负电荷B:电子和空穴C:电子D:空穴

答案:电子MOSFET中阈值电压（）。

A:基区宽度B:基区的少子寿命C:基区中的电荷数D:基区的掺杂

答案:基区宽度；基区的少子寿命；基区中的电荷数；基区的掺杂MOS电容的CV曲线中反型后归一化电容C/Cox保持水平时的频率（）。

A:高频B:超高频C:低频D:中频

答案:高频当MOSFET中漏压VD较小时，器件处于（）。

A:放大区B:饱和区C:截止区D:线性区

答案:线性区MOSFET根据导电类型分为增强型和耗尽型器件。（）

A:对B:错

答案:错

第六章单元测试

JFET的J是指哪一个（）。

A:漏区B:PN结C:源区D:电极

答案:PN结半导体激光器利用了哪一个原理（）。

A:自建电场效应B:光生伏特效应C:基区扩展效应D:电子空穴复合效应

答案:电子空穴复合效应IGBT器件的特点（）。

A:平面结构B:不能工作于大电流下C:相比于VDMOSFET导通电阻低D:相比于VDMOSFET导通电阻低

答案:相比于VDMOSFET导通电阻低功率肖特基整流器的优点（）。