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文档简介
《电磁场与电磁波》习题解答第七章正弦电磁波
7.1求证在无界理想介质内沿任意方向e”(e“为单位矢量)传播的平面波可写成
E=E,〃
O
解⑸”为常矢量。在直角坐标中
en=exCOS6Z+eycos夕+e二cosy
r=exx+evy+e:z
故
enr=(e、cosa+eycosp+ezcos/)-(evx+evy+e:z)
=xcosa+ycos/3+zcosy
则
E=Ent€次。%"一0ni)=E6力广(xesa+ye*万+2cos
22
VE=eyEY+ey~Ev+eN-E.
_E(jp)2ejl夕(xcosa+ycos/7十二covAw)=1j咛E
而
dE_a(EeN#(xc0sa+ycos夕+ZCOS/)-创]|__@2无
故
A2yp
V2E-=0/)2E+痴E=(jo)用)2E+*E=0
/(£,.,一创)
可见,已知的“r—一旦F心满足波动方程
d2E
=0
dr
故E表示沿的方向传播的平面波。
7.2试证明:任何椭圆极化波均可分解为两个旋向相反的圆极化波。
解表征沿+z方向传播的椭圆极化波的电场可表示为
jfiz
E=(exEx+eyjEy)e-=E^E2
式中取
用二;以(纥+4)+。"(d+4)上加
%=*、(2-玛)-ej(纥
显然,E^和氏分别表示沿+Z方向传播的左旋圆极化波和右旋圆极化波。
7.3在自由空间中,已知电场E(z,/)=eM"sin3—㈤V/m,试求磁场强度
"(Z")O
解以余弦为基准,重新写出已知的电场表示式
3
E(zj)=evl0cos(6?r-^z-y)V/m
这是一个沿+z方向传播的均匀平面波的电场,其初相角为-90'。与之相伴的磁场为
H(z,t)=—e.xE(z,f)=e.x
%
103
—"12()乃coscot-f3z—=-ex2-65sin(cot-Pz)A/m
k2,
—A/m
7.4均匀平面波的磁场强度H的振幅为浏,以相位常数30rad/m在空气中沿一幺
方向传播。当,=0和z=0时,若〃的取向为一与,试写出E和〃的表示式,并求出波的频
率和波长。
解以余弦为基准,按题意先写出磁场表示式
H=-e—cos(a)t+/z)A/m
3冗
与之相伴的电场为
E=?;[Hx(-e.)l=120;r[-e、,—cos(①/+〃z)x(-e,)]
03兀
=e*40cos3+-z)V/m
由尸=30rad/m得波长力和频率/分别为
A,=—=0.2Im
P
/=^-=-=^^-Hz=1.43xlO9Hz
240.21
co=f=2)x1.43x1()"rad/s=9x1()9rad/s
则磁场和电场分别为
H=-e1cos(9x10,+30z)A/m
371
E=ev40uos(9x10%+30z)V/in
7.5一个在空气中沿+,'方向传播的均匀平面波,其磁场强度的瞬时值表示式为
67
ff=^24xl0~cos(107U-/7y4-^)A/m
(1)求尸和在,=3ms时,”z=°的位置;(2)写出E的瞬时表示式。
0=%府=10,”二^rad/m=—rad/m=0.105rad/m
解(1)3x1030
在r=3ms时,欲使凡=0,则要求
1(>乃x3x10-3-—y+—=—±〃肛n=0,1,2,-
30-42
若取〃=0,解得)=899992.m。
2==60/7?
考虑到波长P,故
y=29999x-+0.75x-=29999x-+22.5
222
因此,r=3ms时,”;二0的位置为
y=22.5±〃gm
(2)电场的瞬时表示式为
名
E=(Hxey)
=e.4xlO^cos(107^Z-py+—)^exl2()4
」4
TT
-37
=-ev1.508x10cos(l0加一0.105y+:)V/m
7.6在自由空间中,某一电磁波的波长为0.2m.当该电磁波进入某理想介质后,波长
变为0.09m。设从=1,试求理想介质的相对介电常数J以及在该介质中的波速。
解在自由空间,波的相速0°='=3'1"向8,故波的频率为
9
2±2.=^121HZ=1.5X1OHZ
'402
在理想介质中,波长几二。09。],故波的相速为
98
Vp=/2=1.5xl0x0.09=l.35xl0nVs
而
二1二1二c
病病
故
/、2
c3xlO8
=4.94
[1.35x10〉
7.7海水的电导率/=4S/m,相对介电常数%=81。求频率为]()kHz、100kHz、1MHz、
10MHz、100MHz、1GHz的电磁波在海水中的波长、衰减系数和波阻抗。
解先判定海水在各频率下的属性
y_y_4_8.8x108
口£24%02i/x84f
可见,当/5°'Hz时,满足,£»1,海水可视为良导体。此时
axB*"7/V
3+力库
户10kHz时
a=J/rxlOxlO'x4%x10"x4=0.126〃=0.396Np/m
2冗
=15.87m
得().126万
,I、/^XI0X103X4^X10-7
%=(1+J)d-------------------C=0.099(1+j)Q
户100kHz时
a=69.12Np/m
fl=203.58rad/m
27r
A=——=0.03m
P
%=.42Q=36.5/208Q
J—0.89
7.8求证:电磁波在导电媒质内传播时场量的衰减约为55dB/\。
证明在一定频率范围内将该导电媒质视为良导体,此时
ax0H小兀fpiy
故场量的衰减因子为
eaz-氏=eA-s'"x0.002
即场量的振幅经过z二入的距离后衰减到起始值的0.002c用分贝表示。
Edz)
201g=201g"必=201ge*=(一2乃)x201ge«-55dB
纥(°)
7.9在自由空间中,一列平面波的相位常数凤=0524md/m,当该平面波进入到理想
电介质后,其相位常数变为4=L81rad/m。设4=1,求理想电介质的J和波在电介质中
的传播速度。
解自由空间的相位常数
0o=①灰耳,故
<y=-^==0.524x3xl08=1.572x108rad/s
V〃()£()
在理想电介质中,相位常数夕加嬴=L81md/s,故
1.812一小
£r=-----=11.93
“从)?
电介质中的波速则为
11c3xl08
V=—j=—j=—-=—i—m/s=0.87xl08m/s
匠J"/。后Vll.93
7.10在自由空间中,某均匀平面波的波长为12cm;当该平面波进入到某无损耗媒质
时,波长变为8cm,且已如此时的1E|=50V/m,求该均匀平面波的频
率以及无损耗媒质的从、明。
解自由空间中,波的相速9=0=3x10^/$,故波的频率为
/=££=3x10,2.5x109Hz
4)412x10-2
在无损耗媒质中,波的相速为
=2.5x109x8x10-2=2x10sm/s
故
2xl08
(1)
无损耗媒质中的波阻抗为
「叵用"00Q
|"|0.1(2)
联解式(1)和式(2),得
4=1.99,3=1.13
7.11一个频率为户3GHz,外方向极化的均匀平面波在%=25,损耗正切
tan^=-^=10-2,、
①£的非磁性媒质中沿(+、)方向传播。求:(|)波的振幅衰减一半时,传播
的距离;(2)媒质的本征阻抗,波的波长和相速;(3)设在x=0处的
9
E=ev50sin(6^x10/+—)V/m
3,写出“(m)的表示式。
_Lt7=/二18y=10.2
24人居2^x3xl09x2.5x-Lxl(r93x2.5
解(1)367r
故
2
3x2,5x10=04|7xl0-S/m
18
而
工=10-2»i
(0£
该媒质在户3GHz时可视为弱导电媒质,故衰减常数为
y[u0.417x107I//
a«—/—=----------/———=0.497Np/m
A2丫2.5£。
由2得
x=lln2=—!—In2=1.395m
a0.497
(2)对于弱导电媒质,本征阻抗为
-238.44e7(,-286-238.44e;000l6^Q
而相位常数_______
Pxs9=2乃f425g
/TT
=24x3xx---=31.6^-rad/m
3xlOx
故波长和相速分别为
A,=——=———=O.O63m
P31.6万
co27rx3x10"8,
v=—=--------------=1.89x10m/s
0np31.6万
(3)在x=0处,
jr
E(0j)=G50sin(6乃xlO9Z+y)V/m
故
E(x,t)=q50G4497、sin(6乃x109/-31.6^x+y)V/m
则
e,x£(x)叱
i
exx%50e-Xe・m6cJ露%7。♦⑼6"
238.44
二生0.21e-g97,-j3L6"与-joooi67WA/m
H(x,Z)=Re[H(x)e"w]
=e.0.2le-0497'sin(6.rx109/-31.6^+y-0.0016i)A/m
7.12有一线极化的均匀平面波在海水(%=80,4=L'=4S/")中沿口方向传播,
其磁场强度在尸0处为
10
H=ex0.1sin(l0^-^/3)A/m
(1)求衰减常数、相位常数、本征阻抗、相速、波长及透入深度;(2)求出”的振幅为0.01A/m
时的位置:(3)写出£(.v,i)和"(.、⑺的表示式。
J4二4x36万-o
解Q)&£10")乃x8031010^x80xl0-9
可见,在角频率3=10°几时,海水为一般有损耗媒质,故
=—4可=4L82«WQ
1.008^7°028ZT
v=-=^-^=0.333xl08m/s
"p300万
2=—=-6.67x103m
p300乃
^=-=—=11.92xl()-3m
ca83.9
(2)由0。1=0.卜一”即/”=0.1得
y=—In10=^—x2.303m=27.4x103m
a83.9
839yl0
H(yj)=ex0.1e--sin(10^r-3004),一-)A/m
(3)3
其复数形式为
H(y)=40.1,83包"/如7一'k加
故电场的复数表示式为
E(y)=〃<”(),)xe、.=41.82/°s8"x0.1产yx/。吹咛戏,xe
-/(3OO^y+--O.O28^+-)
二。:4.182^83n9%-32v/m
则
E(y,/)=Re[E(y)e为
=eA.\82e®ssin(l(y°加-300〃y-y+0.028^)V/m
7.13在自由空间(z<0)内沿+z方向传播的均匀平面波,垂直入射到z=0处的导体平
面上。导体的电导率/=61.7MS/m,4=1。自由空间£波的频率户1.5MHz,振幅为
IV/m;在分界面(z=0)处,E由下式给出
E(0")=eysin2乃ft
对于Z>()的区域,求居”")。
2=3^=704.4x6
解CDE2;rxl.5x]0%
可见,在户1.5MHz的频—该导体可视为良导体。故______________
ax4兀于灯=J-(L5x1。6)><4乃><107x61.7xl()6=I.91X104Np/m
P*4兀/旧=1.91x104rad/m
j27rxl.5xl()6>4万><1()-7
V61.7xl06
=4.38x10-4/5。=(3.i+/3.i)x1()7。
分界面上的透射系数为
r=_2lh_=上心=2x4.38xlW=2.32x103
4
z/2+7](+rj0(3.1+J3.1)10+377
入射波电场的复数委示式可写为
E1(z)=.V/m
则z>0区域的透射波电场的其数形式为
a:jli:
E2(Z)=ejee^e
=ev2.32x]0相渍"L9以人"儿9以心JW/m
与之相伴的磁场为
H,(z),e_xE,(z)
7'
1,232x10,一⑼刈叫”皿入5号
xe
-4-.--3-8-x--1-0--为-----内-e.’
=-%0.51xl0y『"VA/m
则
772(z,r)=Re[/72(z)^]
64
=一e<0.51x1CT20-1如"二sin(2^xl.5xlOZ-1.91xlOz)A/m
7.14一圆极化波垂直入射到一介质板上,入射波电场为
后=用人八十6)比一,优
求反射波与透射波的电场,它们的极化情况又如何?
解设媒质1为空气,其本征阻抗为名;介质板的本征阻抗为必。故分界面上的反射
系数和透射系数分别为
「=叱如
廿%
式中
都是实数,故夕"也是实数。
反射波的电场为
ipz
=pEm(ex+eyj)e
可见,反射波的电场的两个分量的振幅仍相等,相位关系与入射波相比没有变化,故反射波
仍然是圆极化波。但波的传播方向变为・z方向,故反射波也变为右旋圆极化波。而入射波是
沿+z方向传播的左旋圆极化波。
透射波的电场为
式中,。2=以值显=仪从声/0是媒质2中的相位常数。可见,透射波是沿+Z方向传播
的左旋圆极化波。
7.15均匀平面波的电场振幅g;=l0°"。V/m,从空气中垂直入射到无损耗的介质
平面上(介质的〃2=〃。,&二4£0,72=°),求反射波和透射波的电场振幅。
解
反射系数为
_%7_60万-120万_1
%+Jl\60i+120兀3
透射系数为
2小2x60万2
/72+7604十120乃3
故反射波的电场靠幅为
1()()
E-=lplE;l=—=333V/m
透射波的电场振幅为
1-尸十2x100
耳“2=2■耳〃=——=66.6V/m
7.16最简单的天线罩是单层介质板。若已知介质板的介电常数£=2.8%,问介质板的
厚度应为多少方可使频率为3GH,的电磁波垂直入射到介质板面时没有反射。当频率分别为
3.1GHz及2.9GHz时,反射增大多少?
②
Hi力小
透射波"
入射波入射波
反射波反射波
-M
题7.16图
解天线罩示意图如题7.16图所示。介质板的本征阻抗为〃2,其左、右两侧媒质的本
征阻抗分别为“和小。设均匀平面波从左侧垂直入射到介质板,此问题就成了均匀平面波
对多层媒质的垂直入射问题。
设媒质1中的入射波电场只有X分量,则在题7.16图所示坐标下,入射波电场可表示
为
H;」exE;=e
7
而媒质I中的反射波电场为
E「=eE,屋…
与之相伴的磁场为
H;=-(-exxE;)=—e、与e阴G")
故媒质1中的总电场和总磁场分别为
E\=E;+E;=…
=H:+H;=ev塌e-何仁+,力—外塌阴—力
.7.,小(1)
同样,可写出媒质2中的总电场和总磁场
-=琦+%=与%夕如+6.耳那
cv2①e-的-e、,生e
%(2)
媒质3中只自透射波
ELK"加
“3=e、0i
%(3)
在式(I)、(2)、(3)中,通常已知入射波电场振幅而笠2、琢U笠2和成3为待求
量。利用两个分界面①和②上的四个边界条件方程即可确定它们。
在分界面②处,即Z=0处,应有"2X"E3X,"2『="3L由式(2)和(3)得
E〃I2+耳”2=耳”3
";2-%)='琮3
%小(4)
由式(4)可得出分界面②上的反射系数
与2二小一优
P1
/小+%
(5)
在分界面①处,即z=H处,应有Mx=E?x,Hiy=H2y由式a)和舱)得
d
E;〃+E;、=+E;n2e-^=E;We彻〃+…加)
IIr+
dd
一(耳「E;「)=一(葭/W-)=*(e^-p2e-^)
小伯%(6)
将分界面①上的总电场与总磁场之比定义为等效波阻抗(或称总场波阻抗),由式(I)得
„_Emi+E,“i_耳I“+%
%—1_%~万~
(7)
将式(6)代入式(7)得
e网+p—此
%二%"用,一O-r-d
(8)
将式(5)代入式(8),尹应用欧拉公式,得
♦+%2tan-W
“2%+%3tanp2d(9)
再由式(7)得分界面①上的反射系数
夕小至=9
球小3小
(10)
显然,若分界面①上的等效波阻抗力等于媒质1的本征阻抗7,则2=°,即分界面①上
无反射。
通常天线罩的内、外都是空气,即/=%=%,由式(9)得
"o+j/tan02d
02%+而tanp2d
欲使上式成立,必须夕2d=〃肛〃=1,2,3…。故
.nnZ,
a=——=n—
A2
频率/>3GHz时
%二驾二。而
>3x10')
则
,A)o.i,
d=-=------ma30ninin
2V182x1.67
当频率偏移到力=3.1GHz时,
P2=W必.=2/rx3.1xlO"J2.84声。=108.6rad/m
故
tanft.d=tan(108.6x30xl0-3)=0.117
而
%==225.3。
故此时的等效波阻抗为
377+J225,3x0.117
%=225.3=37O.87e-7708=368-j45.7Q
225.3+j377x0.117
反射系数为
=%―〃i_368-145.7-377_()(用6川80+82-37)
1-%+R—368-;45.7+377-
即频率偏移到3.1GHz时,反射将增大6%。
同样的方法可计算出频率下偏到卜=2.9GHz时,反射将增加约5%。
[讨论]
(1)上述分析方法可推广到n层媒质的情况,通常是把坐标原点O选在最右侧的分界
面上较为方便。
(2)应用前面导出的等效波阻抗公式(9),可以得出一种很有用的特殊情况(注意:
此时〃产人)。
取4,则有
tan02d=tan("x上)=co
由式(9)得
^/=—
%
若取为=J"/,则
%=7
此时,分界面①上的反射系数为
%+7
即电磁波从媒质1入射到分界面①时,不产生反射。可见,厚度”=4/4的介质板,当其
本征阻抗%二后a时,有消除反射的作用。
7.17题7.17图所示隐身飞机的原理示意
图。在表示机身的理想导体表面覆盖一层厚度
4=4/4的理想介质膜,又在介质膜上涂一层
(p@③
厚度为4的良导体材料。试确定消除电磁波从
良导体表面上反射的条件,⑴⑵(3)(4)
解题7.17图中,区域(1)为空气,其波
阻抗为
题7.17图
区域(2)为良导体,其波阻抗为
%=杵―
区域(3)为理想介质,其波阻抗为
区域(4)为理想导体(九二8),其波阻抗为
小=杵产=0
利用题7.16导出的公式(9),分界面②上的等效波阻抗为
,•t/?//+力73+•呼•[■)2
a胆_____________44_=h=8
"②'廿%+即刖(红•4小
^34
应用相同的方法可导出分界面③上的等效波阻抗计算公式可得
_*②+%(anh「2W
%③%%+wtanh「24
(1)
式中的「2是良导体中波的传播常数,
tanhG4为双曲正切函数。将〃f②=0°代入式(D,
得
_%
.③=tanh「&
(2)
由于良导体涂
层很薄,满足「24<<1,故可取tanh「24”「2出,则式㈡)变为
小
22
(3)
分界面③上的反射系数为
Py~
%③十小
可见,欲使区域(1)中无反射,必须使
故由式(3)得
〃,
二名
「2,2
2(Z4/)、
_
_4s小=怪"反
将良导体中的
传播常数「2=7^7,”和波阻抗-v/代入式⑷,得
.112.65x10-3
d2=--=-----=------
’匕仇外、
377/2
这样,只要取理想介质层的厚度
4=4/4,而良导体涂层的厚度&=2.65X1(F3/%,
就可消除分界面③上
的反射波。即雷达发射的电磁波从空气中投射到分界面③时,不会产生
回波,从而实现飞机
隐身的目的。此结果可作如下的物理解样:由于电磁波在理想导体表面
(即分界面①上产生全反射,则在离该表面4/4处(即分界面②出现电场的波腹点。而该
处放置了厚度为心的良导体涂层,从而使电磁波大大损耗,故反射波就趋于零了。
7.18均匀平面波从自由空间垂直入射到某介质平面时,在自由空间形成驻波。设驻波
比为2.7,且介质平面上有驻波最小点;求介质的介电常数。
解自由空间的总电场为
耳=耳十E1=e,Z:£如+%与小=的"*/阳)
式中
T
是分界面上的反射系数。
驻波比的定义为
S__EM+Em】_1+I-I
一瓦1%一匚而
得
皿=2.7
1-lpl
据此求得
|p|=—=0.459
3.7
因介质平面上是驻波最小点,故应取
p=-0.459
反射系数
-0.459
%十%
得
%=0.371x377=139.790
%=",=64.3x10-'2=7.2&、o
2139.792°
7.19如题7.19图所示,。。区域的媒质介电常数为4,在此媒质前置有厚度为4介电常
数为与的介质板。对于一个从左面垂直入射过来的TEM波,试证明当的二口且
a,=——1,%=
4扃
时,没有反射(丸为自由空间的波长)。
题7.19图
解媒质1中的波阻抗为
(1)
(2)
当£八=也2时,由式(])和(2)得
(3)
而分界面。I处(即z=-d处)的等效波阻抗为
%+Mtan-
“'小+j%tan01d
d~Tir八今
当VJ、即4时
%(4)
分界面Oi处的反射系数为
n-Lf
P-
为十〃。
(5)
将式(3)和(4)代入式(5),则得
〃=0
“惠且d=:令
即一V%时,分界面。|上无反射。4的介质层称为匹配层。
7.20垂直放置在球坐标原点的某电流元所产生的远区场为
E=e@W^sinOcos®/-13r)V/m
r
E=-----sin夕cos(0-pr)A/m
r
试求穿过r=l000m的半球壳的平均功率。
解将电场、磁场写成复数形式
矶厂)=0®sinOi
r
〃(r)二«0nW
r
平均坡印廷矢量为
SflV=|Re[E(r)xH*(r)]
iPr
=-Re[e^—sinOe-xe2^sini]
2rr
1100x0.265.2^sin2^.
1QO;v/2
=—2er-'------产-------sin^W/m=e‘l3.25——产—W/m
故穿过r=1000m的半球壳的平均功率为
.TS“v.dS
Z5
式中dS为球坐标的面枳元矢量,对枳分有贡献是
2
6S=er6Sr=errsin0d0d。
故
=T
Puv~f^Joe/3.25.epsinOdOd。=13.254、帚0(\0
I"4
=13.25^(-cos^+-cos33)=13.25;rx—=55.5W
3o3
7.21在自由空间中,*=%150sin(*£z)V/m。试求z=o平面内的边长为30mm
和15mm长方形面积的总功率。
解将已知的电场写成复数形式
j(fiz+90)
E(z)=ex150e-
得与E。)相伴的磁场
"(z)=L.xE(z)=e、.粤"
故平均坡印廷矢量为
S“=;Re[E(x)x"*(z)]
90j(fiz]2
=-Re[evl50/3+”)xev—e^]=e_29.84W/m
2丫377,
则穿过z=0平面上S=30N15mm’的长方形面积的总功率为
3-33
pwi=Sne♦.S=29.84x30xIO^x15xlOW=13.43x10-W
7.22均匀平面波的电场强度为
E=ev100sin(-/?z)+ev200cos(-/7z)V/m
(1)运用麦克斯韦方程求出〃:(2)若该波在z=0处迁到一理想导体平面,求出z<0
区域内的E和〃;(3)求理想导体上的电流密度。
解(1)将已知的电场写成复数形式
E(z)=eJOOfTBAW)+e、,200£-J0
由VxE=-〃得
e?e
二-
-
c。
A
H(z)=-一—VxE(z)=-——一②-
"叩Q讪从。oxaoz
瓦
纥
.
1,比强、
两(一记十外为)
--[.200(—%)"加+eYi00(—如她]
,/明
=-^-[-e200e~jfiz+e\00139。’”
1。
二’[—〃200",西+a100"〃"90']A/m
写成瞬时值表示式
H(zj)=Re\H(z)eJnM]
=—[-ev200cos(69r-/7z)+evl00cos(69r-^z-90)]
%
=—[-ev200cos(<y/-/?z)+e100sin(iyr-J3z)]A/m
%
(2)均匀平面波垂直入射到理想导体平面上会产生全反射,反射波的电场为
耳=-100”…0)
E;=-200*
即z〈°区域内的反射波电场为
2
E=exE;+eyE;=-ejOOe^^)—ev200"加
与之相伴的反射波磁场为
11°
HxE-)=——(一生200/庆+e、jo0"(〃"9o))
%-%
至此,即可求出zv°区域内的总电场E和总磁场〃。
Ex=或+E;=100e-Wz+W)_]00〃依-犷)
=100E(i-/俄)=-;200sin0z*
纥=E\+E;=200e~^=-200e加=-J400sin0z
故
j9
E=exEx-l-evE=-erj200sin°ze0-evJ400sinpz
同样
H、=H;+/;;=~—200e-jfiz--200?^=--400cospz
H=H:+H;=口。。/'/-90'+100"3的)],
仇
=—200^MCOS/?Z
故
-y90
H=evHx+ev//v=—(-ex400cos/?z4-ev200ecos力z)
7o
(3)理想导体平面上的电流密度为
jW
J、=nxH\=Q=-e=x(-ev400cosj3z+ev200e~cos/3z)—
1o
-M
=e0.53e?4-ev1.06A/m
7.23在自由空间中,一均匀平面波垂直投射到半无限大无损耗介质平面上。己知在平
1
面前的自由空间中,合成波的驻波比为3,无损耗介质内透射波的波长是自由空间波长的6。
试求介质的相对磁导率从和相对介电常数明。
解在白由空间.入射波与反射波合成为骄波,骈波比为
.二Emax=川二1+121二3
~Emin~E;n]-Emi~\-\p\~
由此求出反射系数
lA>l=~
设在介质平面上得到驻波最小点,故取2。而反射系数为
仍+7
式中的/=%=1204,则得
I二%一%
求得
„_10即—1
z?2--%即J-------z7on
3VJ%3
得
人」
39
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