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2.4半导体二极管2.4.1二极管的结构类型二极管的结构示意图(a)点接触型(b)面接触型(c)平面型2.4.2二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线

(a)测试电路(b)特性曲线伏安特性方程正向特性

在正向区，加入正向电压后，二极管并没有出现电流，有一个死区。当正向电压加到一个被称为开启电压Uth后，正向电流开始出现，正向特性曲线非线性较大，当正向电流较大时，特性曲线也具有一定线性度。

硅二极管和锗二极管的正向特性有所不同，主要表现在开启电压不同，硅二极管的Uth大约在0.5V；锗二极管的Uth大约在0.1V。反向特性

在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。

从击穿机理上看，当硅二极管|UBR|≥7V时，主要是雪崩击穿；当|UBR|≤4V时，则主要是齐纳击穿。当|UBR|在4V～7V之间时，两种击穿都有。2.4.3二极管的主要参数(1)最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向平均电流。(2)最大反向工作电压URM——二极管安全工作时，所能承受的最大反向电压。一般URM约为反向击穿电压UBR的一半。(3)反向电流IR——一般是指二极管未击穿时的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(

A)级。IR值越小，二极管单向导电性越好。(4)最高工作频率fM——二极管工作的上限频率，由PN结的结电容大小决定。二极管的工作频率超过fM时，单向导电性变差。2.4.4二极管的等效模型理想模型

二极管正向导通时，其正向压降为零；二极管反向截止时，认为反向电阻为无穷大，反向电流为零，称为理想二极管。此时理想二极管相当于理想开关。该模型主要用于信号幅值远远大于二极管的正向压降，可以忽略二极管正向压降和反向电流的电路中。1.理想模型恒压降模型

认为二极管的正向压降为常数、反向电阻为无穷大、反向电流为零。此时二极管可以用一个理想二极管串联一个恒压源UD表示。硅管的正向压降UD为0.7V。2.恒压降模型折线化模型

在正向曲线上选取一点Q(UD,ID)，连接Q点和(Uth,0)点。注意rD不是动态电阻rd，因为斜线不是切线。折线模型不固定，与Q点的选取有关。

3.折线化模型QQ

二极管的动态电阻属于交流参数，是二极管对它两端交流电压呈现出的电阻值。rd可以用二极管伏安特性曲线斜率的倒数来表示，rd的大小和工作点Q有关。二极管的动态电阻的物理意义

4.小信号模型小信号

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