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文档简介
第三章
半导体三极管及放大电路基础模拟电子技术第三章
半导体三极管及放大电路基础§3.1
半导体三极管§3.2
共射极放大电路§3.3
图解分析法§3.4
小信号模型分析法§3.5
放大电路的工作点稳定问题§3.6
共集电极电路和共基极电路§3.7
放大电路的频率响应3.1.1基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP型PNP集电极发射极CEB基极§3.1半导体三极管三极管符号NPNCBEPNPCBEBECPNP型三极管BECNPN型三极管BECNNP基极发射极集电极基区:较薄,掺杂浓度低集电区:面积较大发射区:掺杂浓度较高三极管的结构特点发射结集电结BECNNP基极发射极+++++++_______集电极______
+++++++3.1.2三极管的电流分配与放大作用BECNNPVBBRBVCC发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。IE1进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,少部分形成电流IB,多数扩散到集电结。IBBECNNPVBBRBVCCIE从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集,形成IC。IC2ICIB要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。静态电流放大倍数静态电流放大倍数,动态电流放大倍数
=IC/
IBIC=
IB动态电流放大倍数IB:IB+
IBIC:IC+
IC
=
IC/
IB一般认为:
==,近似为一常数,
值范围:20~100
IC=
IB3.1.3三极管的特性曲线ICmA
AVVVCEVBERBIBVSCVSB
实验线路(共发射极接法)CBERC
IB
与VBE的关系曲线(同二极管)(1)输入特性IB(
A)VBE(V)204060800.40.8VCE1V
死区电压,硅管0.5V工作压降:硅管VBE0.7V(2)共射输出特性(IC与VCE的关系曲线)IC(mA)1234VCE(V)3691240A60AQQ’
=IC/
IB=2mA/40A=50
=
IC/
IB
=(3-2)mA/(60-40)A=50
=IC/
IB=3mA/60A=50输出特性IC(mA)1234VCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A当VCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=IB,且
IC=
IB
。此区域称为线性放大区。此区域中VCEVBE,集电结正偏,IB>IC,VCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,VBE<死区电压,称为截止区。输出特性三个区域的特点:(1)放大区:BE结正偏,BC结反偏,IC=IB,且
IC=
IB(2)饱和区:BE结正偏,BC结正偏
,即VCEVBE
,
IB>IC,VCE0.3V
(3)截止区:
VBE<死区电压,IB=0,IC=ICEO0
例:
=50,VSC=12V,
RB=70k,RC=6k
当VSB=-2V,2V,5V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?VSB=-2V,IB=0,IC=0,Q位于截止区
VSB=2V,IB=(VSB-VBE)/RB=(2-0.7)/70=0.019mA,IC=IB=500.019=0.95mA<
ICS=2mA
,Q位于放大区
。IC最大饱和电流ICS=(VSC-VCE)/RC=(12-0)/6=2mA
ICVCEIBVSCRBVSBCBERCVBE例:
=50,VSC=12V,
RB=70k,RC=6k
当VSB=-2V,2V,5V时,晶体管的静态工作点Q位于哪个区?VSB=5V,IB=(VSB-VBE)/RB=(5-0.7)/70=0.061mA
,IC=IB=500.061=3.05mA>
ICS=2mA
,Q位于饱和区(实际上,此时IC和IB已不是的关系)ICVCEIBVSCRBVSBCBERCVBE三极管的技术数据:(1)电流放大倍数
(2)集-射间穿透电流ICEO(3)集-射间反向击穿电压V(BR)CEO(4)集电极最大电流ICM(5)集电极最大允许功耗PCM3.1.4三极管的主要参数前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数:1.电流放大倍数和
工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为
IB,相应的集电极电流变化为
IC,则交流电流放大倍数为:例:VCE=6V时:IB=40A,IC=1.5mA;IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中,一般作近似处理:
=BECNNP3.集-射极反向截止电流ICEOICEO受温度影响很大,当温度上升时,ICEO增加很快,所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。ICEO4.集电极最大电流ICM集电极的最大允许电流。5.集-射极反向击穿电压当集---射极之间的电压VCE超过一定的数值时,三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压V(BR)CEO。6.集电极最大允许功耗PCM
集电极电流IC
流过三极管,所发出的焦耳热为:PC=ICVCE
必定导致结温上升,所以PC
有限制。PC
PCMICVCEICVCE=PCMICMV(BR)CEO安全工作区§3.2
共射极放大电路放大的概念电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示,如图。vivoAv24三极管放大电路有三种形式共射放大器共基放大器共集放大器以共射放大器为例讲解工作原理RB+VCCVBBRCC1C2T共射放大电路放大元件iC=
iB,工作在放大区,要保证集电结反偏,发射结正偏。vivo输入输出参考点RL共射放大电路组成使发射结正偏,并提供适当的静态工作点IB和VBE。RB+VCCVBBRCC1C2TRL基极电源与基极电阻共射放大电路集电极电源,为电路提供能量。并保证集电结反偏。RB+VCCVBBRCC1C2TRL共射放大电路集电极电阻,将变化的电流转变为变化的电压。RB+VCCVBBRCC1C2TRL共射放大电路组成耦合电容:电解电容,有极性,大小为10
F~50
F作用:隔离输入输出与电路直流的联系,同时能使信号顺利输入输出。RB+VCCVBBRCC1C2TRL++vivo单电源供电可以省去RB+VCCVBBRCC1C2TRL基本放大电路的工作原理RB+VCCRCC1C2Tvi=0时由于电源的存在IB0IC0ICIE=IB+ICRLIB无信号输入时静态工作点基本放大电路的工作原理RB+VCCRCC1C2TICVBEVCE(IC,VCE)(IB,VBE)RLIB静态工作点(IB,VBE)
和(IC,VCE)分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。IBVBEQIBVBEQVCEICICVCEIBRB+VCCRCC1C2开路开路RL放大电路的直流通道RB+VCCRC直流通道(1)估算IB(VBE
0.7V)RB+VCCRCIBVBERB称为偏置电阻,IB称为偏置电流。用估算法分析放大器的静态工作点(IB、VBE、IC、VCE)(2)估算VCE、IcRB+VCCRCICVCEIc=
IB例:用估算法计算静态工作点。已知:VCC=12V,RC=4K
,RB=300K,=37.5。解:请注意电路中IB和IC的数量级
VBE
0.7ViCvCEVCE=VCC–ICRCVCC直流负载线与IB所决定的那一条输出特性曲线的交点就是Q点QIB静态VCE静态IC§3.3
图解分析法3.3.1
静态工作情况分析iBvBEQiCvCEviibibicvCE怎么变化?交流放大原理假设vBE静态工作点的基础上有一微小的变化vi静态工作点3.3.2动态工作情况分析iCvCEicvCE的变化沿一条直线——交流负载线vCERB+VCCRCC1C2viiBiCvCEvo各点波形vo比vi幅度放大且相位相反实现放大的条件1、晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏,集电结反偏。2、正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。3、输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。4、输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压,经电容滤波只输出交流信号。放大电路的分析方法放大电路分析静态分析动态分析估算法图解法小信号模型分析法图解法计算机仿真RB+VCCRCC1C2对交流信号(输入信号vi)短路短路置零3.4.1三极管小信号建模RLvivo1/
C03.4
小信号模型分析法RBRCRLvivo交流通道RLRBRCvivoicvce其中:vce=-ic(RC//RL)
=-icRL三极管的小信号模型等效电路首先考察输入回路iBvBE当信号很小时,将输入特性在小范围内近似线性。
vBE
iB对输入的小交流信号而言,三极管BE间等效于电阻rbe。对输入的小交流信号而言,三极管BE间等效于电阻rbe。becrbeibbevbevbeib对于小功率三极管:rbe的量级从几百欧到几千欧。考察输出回路iCvCE输出端相当于一个受ib控制的电流源。近似平行且电流源两端还要并联一个大电阻rce。vbeibvceicvberbe
ibibrcevceicrce很大,一般忽略。等效三极管的小信号模型等效电路ebcbecrbeic=ib3.4.2用小信号模型分析共射极放大电路将交流通道中的三极管用等效电路代替rbe
ibibiiicvivoRBRCRL注意:只有在放大电路输入交流信号为小信号时上述等效才成立。RBRCRLvivorbe
ibibiiicvivoRBRCRL交流通道交流等效电路1、放大电路的性能指标(1)电压放大倍数AVVi和Vo分别是输入和输出电压的有效值。vivoAV其中A=Vo/Vi,是Vo和Vi的相位差AV=Vo/Vi=A
·(2)输入电阻ri输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻iivi输入电阻:ri=vi/ii(加压求流法)ri~vSRS信号源一般来说,ri越大越好。ri越大,ii就越小,vi就越接近vSAV输入端输出端(3)输出电阻roAV~vS放大电路对其负载而言,相当于信号源,我们可以将它等效为戴维宁等效电路,这个戴维宁等效电路的内阻就是输出电阻。输出端~rovso输出端?如何确定电路的输出电阻?在电路的计算中求ro有两个方法:1、电路中原有的信号源置零,然后采用加压求流法。vi~rovsoro=v/ivo测量开路电压vo
=vso2、开路电压除以短路电流法。~rovso~rovsoio测量短路电流io
=vso
/ro输出电阻:vo
/io
=vso
/(vso
/ro
)=ro
(4)通频带fAAm0.7AmfL下限截止频率fH上限截止频率通频带:fbw=fH–fL放大倍数随频率变化曲线——幅频特性曲线带宽符号规定VA大写字母、大写下标,表示直流量。vA小写字母、大写下标,表示全量。va小写字母、小写下标,表示交流分量。vAva全量交流分量tVA直流分量2、电压放大倍数(增益)的计算:负载电阻小,则放大倍数小。RBrbeRCRL3、计算输入电阻和输出电阻:对于为它提供信号的信号源来说,电路是负载,这个负载的大小可以用输入电阻来表示。输入电阻的定义:输入电阻是动态电阻。rbeRBRCRL电路的输入电阻越大,从信号源分得的电压越多,因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。rbeRBRCRL4、输出电阻的计算:对于负载而言,放大电路相当于信号源,可以将它进行戴维宁等效,戴维宁等效电路的内阻就是输出电阻。计算输出电阻的方法:所有独立电源置零,保留受控源,加压求流法。rbeRBRC所以:用加压求流法求输出电阻:00上次课内容回顾RB+VCCRCC1C2TRLvivo简单的共射极放大器§3.5
放大电路的工作点稳定问题电容开路,画出直流通道上次课内容回顾RB+VCCRC用估算法求静态工作点IC=
IBIE=IC+IB=(+1)IB
IC
上次课内容回顾电容短路,直流电源短路,画出交流通道RBRCRLvivo上次课内容回顾用晶体管的小信号等效电路代替晶体管,画出该电路的小信号等效电路,并计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻rbe
ibibiiicvivoRBRCRLri=RB//rbero=RCRL=RC//RL若没接RL,称为空载,则
RL=RC静态工作点的稳定为了保证放大电路的稳定工作,必须有合适的、稳定的静态工作点。但是,温度的变化严重影响静态工作点。对于前面的电路(固定偏置电路)而言,静态工作点受VBE、和ICEO的影响,这三个参数随温度而变化,温度对静态工作点的影响主要体现在这一方面。Q变VBE
ICEO变T变IC变温度对VBE的影响iBvBE25ºC50ºCTVBEIBIC温度对值及ICEO的影响T,ICEOICiCvCEQQ´总的效果是:温度上升时,输出特性曲线上移,造成Q点上移。总之:TIC常采用分压式偏置电路来稳定静态工作点。电路见下页。为此,需要改进偏置电路,当温度升高时,能够自动减少IB,IBIC,从而抑制Q点的变化。保持Q点基本稳定。I1I2IB静态工作点稳定的放大器VBE=VB-VE=VB-IEREI2=(5~10)IBI1=I2+IB
I2RB1+VCCRCC1C2RB2CERERLvivoBECIE=
IC+IB
IC分压式偏置电路RE射极直流负反馈电阻CE
交流旁路电容ICIERB1+VCCRCC1C2RB2CERERLvivoI1I2IB静态工作点稳定过程TVBEICICIEVEVBE=VB-VE=VB-IEREVB被认为较稳定ICIEIB由输入特性曲线本电路稳压的过程实际是由于加了RE形成了负反馈过程ECB直流通道及静态工作点估算IB=IC/
VCE=VCC-ICRC-IEREIC
IE=VE/RE=(VB-VBE)/RE
VBE0.7V
+VCCRB1RCRB2REICIEIBVCE电容开路,画出直流通道RB1+ECRCC1C2RB2CERERLvivo电容短路,直流电源短路,画出交流通道交流通道及小信号等效电路BEC交流通道RB1RCRB2RLvivoBECibiciii2i1小信号等效电路rbeRCRLRB1RB2BECI1I2小信号等效电路及电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算ri=
RB1//RB2//rbero=
RCrbeRCRLRB1RB2BECI1I2RL=RC//RL例:上述静态工作点稳定的放大器,各参数如下:RB1=100k
,RB2=33k
,RE=2.5k
,RC=5k
,RL=5k
,
=60。求:(1)估算静态工作点;(2)空载电压放大倍数、带载电压放大倍数、输入电阻、输出电阻;(3)若信号源有RS=1k
的内阻,带载电压放大倍数将变为多少?RB1=100k
RB2=33k
RE=2.5k
RC=5k
RL=5k
=60VCC=15V解:(1)估算静态工作点=(3315)/(100+33)3.7VIC
IE=VE/RE=(VB-VBE)/RE
=(3.7-0.7)/2.5=1.2mAIB=IC/=1.2/60=0.02mA=20AVCE=VCC
-ICRC-IERE=12-1.2(5+2.5)=6VRB1=100k
RB2=33k
RE=2.5k
RC=5k
RL=5k
=60VCC=15V解:(2)空载电压放大倍数、带载电压放大倍数、输入电阻、输出电阻=300+61
(26/1.2)=1622
=1.62k
ri=
RB1//RB2//rbe
=100//33//1.62=1.52k
ro=
RC=5k
Av空=-
RC/rbe=-605/1.62=-186
Av载=-
RL/rbe=-60(5//5)/1.62=-93RB1=100k
RB2=33k
RE=2.5k
RC=5k
RL=5k
=60VCC=15V解:(2)空载电压放大倍数、带载电压放大倍数、输入电阻、输出电阻RB1=100k
RB2=33k
RE=2.5k
RC=5k
RL=5k
=60VCC=15V解:(3)信号源有RS=1k
内阻时,带载电压放大倍数为Avs载rbeRCRLRB1RB2BECI1I2RSVSRSVSriBECRLri=RB1//RB2//rbeRL=RC//RLRSVSri=RB1//RB2//rbeBECRLriVi=Vsriri
+RS信号源内阻为0时的电压放大倍数:Av载=VoVi信号源内阻为RS时电压放大倍数:Avs载=VoVsVs=
Viri
+RSriri
+RSriAvs载=VoVs=Vo=Av载riri
+RSVi=RC//RLRLRSVSri=RB1//RB2//rbeBECRLriAvs载=Av载riri
+RS=-931.52/(1.52+1)=-56ri=
RB1//RB2//rbe
=1.52k
RS=1k
信号源有内阻时,电压放大倍数Avs减小。输入电阻越大,若ri
RS,则Avs
AvAv载=-
RL/rbe=-93RL=RC//RLRB1+VCCRCC1C2RB2CERERLvivoBEC静态工作点稳定且具有射极交流负反馈电阻的放大器RB1=100k
RB2=33k
RE=2.5k
RC=5k
RL=5k
=60VCC=15VRFRECERE=2.4k
RF=100
静态工作点稳定且具有射极交流负反馈电阻的放大器直流通道及静态工作点+VCCRB1RCRB2REICIEIBVCERFRE和RF共同起直流负反馈的作用,稳定静态工作点因RE+RF=2.5k
,所以较上述电路静态工作点不变静态工作点稳定且具有射极交流负反馈电阻的放大器小信号等效电路及电压放大倍数rbeRCRLRB1RB2BECI1I2IeRFRB1=100k
RB2=33k
RE=2.4k
RF=100
RC=5k
RL=5k
=60VCC=15VVi=Ibrbe+IeRF=Ibrbe
+(1+
)IbRF=Ib[rbe
+(1+
)RF]Vo=-Ic(RC//RL)=-
Ib
RL
Vi=Ibrbe+IeRF=Ibrbe
+(1+
)IbRF=Ib[rbe
+(1+
)RF]Vo=-Ic(RC//RL)=-
Ib
RL
Av=VoVi=-
Ib
RLIb[rbe
+(1+
)RF]=-
RLrbe
+(1+
)RF=-60(5//5)/[1.62+(1+60)0.1]=-19RB1=100k
RB2=33k
RE=2.4k
RF=100
RC=5k
RL=5k
=60EC=15V静态工作点稳定且具有射极交流负反馈电阻的放大器小信号等效电路及输入电阻输出电阻rbeRCRLRB1RB2BECI1I2IeRFVi=Ib[rbe
+(1+
)RF]Ib=Vi/[rbe
+(1+
)RF]
Ii=I1+I1+Ib=Vi/RB1+Vi/RB2+Vi/[rbe+(1+
)RF]输出电阻RO=RC输入电阻静态工作点稳定且具有射极交流负反馈电阻的放大器小信号等效电路及输入电阻输出电阻Vi=Ib[rbe
+(1+
)RF]Ib=Vi/[rbe
+(1+
)RF]
Ii=I1+I1+Ib=Vi/RB1+Vi/RB2+Vi/[rbe+(1+
)RF]
ri
=RB1//RB2///[rbe
+(1+
)RF]=5.9k
ri
=Vi/Ii=Vi
Vi/RB1+Vi/RB2+Vi/[rbe+(1+
)RF]
对比ri
=RB1//RB2///rbe
=1.52k
RB+VCCC1C2RERLvivo特点:同相放大,放大倍数约为1,输入电阻大,输出电阻小RB=570k
RE=5.6k
RL=5.6k
=100VCC=12V§3.6
共集电极电路--射极输出器直流通道及静态工作点分析:VCC=IBRB+VBE+IERE=IBRB+VBE+(1+
)IBRE=IB
RB+(1+
)RE
+VBERB+VCCREIBIEVBEVCEIC=IB或IC
IE静态工作点估算举例:RB=570k
RE=5.6k
RL=5.6k
=100EC=12VRB+VCCREIBIEVBEVCE=12-0.7570+(1+100)
5.6=0.01(mA)=(1+100)0.01=1.01(mA)IC=12-1.01
5.6=6.3(V)动态分析--交流通道及小信号等效电路RB+ECC1C2RERLvivo交流通道及小信号等效电路rbeRERLEBCRBRERLvivoBCE动态分析:1、电压放大倍数rbeRERLRLIeLbbebLbRI)1(rIRI)1(¢b++¢b+=Av=VoVi1所以2输入输出同相,输出电压跟随输入电压,故称电压跟随器。讨论输出电压与输入电压近似相等,电压未被放大,但是电流放大了,即输出功率被放大了。Av2、输入电阻rbeRERLIRBIb=Virbe+(1+)RLIi=IRB+Ib=ViRB+Virbe+(1+)RLri=ViIi=ViViRB+Virbe+(1+)RL=RB//[rbe+(1+)RL]3、输出电阻用加压求流法求输出电阻。rbeRERsro置0保留RsrbeRE输出电阻ro=RE//rbe1+
当RS=0时(加压求流法)动态分析及估算举例:=300+101
(26/1.01)=2.9k
RB=570k
RE=5.6k
RL=5.6k
=100VCC=12VrbeRERLEBCIE=1.01mARB=570k
RE=5.6k
RL=5.6k
=100VCC=12VrbeRERLEBCAv=(1+100)(5.6//5.6)2.9+(1+100)(5.6//5.6)=0.99rbe=2.9k
(电压放大倍数估算)动态分析及估算举例:=570//2.9+(1+100)(5.6//5.6)=190k
RS=0ro=5.6//2.91+100=28
(输入/输出电阻估算)动态分析及估算举例:rbeRERLEBCRB=570k
RE=5.6k
RL=5.6k
=100VCC=12Vrbe=2.9k
动态分析及估算举例:设信号源内阻RS=1k
,求这时的电压放大倍数Avs、输入电阻、输出电阻rbeRERLEBCRSVSri=190k
ro=5.6//2.9+1//5701+100=38
Avs=Avriri+RS=0.99190/(190+1)=0.985射极输出器的输出电阻很小,带负载能力强。ro射极输出器的输入电阻很大,从信号源取得的信号大。讨论所谓带负载能力强,是指当负载变化时,放大倍数基本不变对上例射极输出器:空载时,Av=0.995RL=5.6k
时,Av=0.990RL=1k
时,Av=0.967对上例静态工作点稳定的放大器(共射放大器):空载时,Av=-186RL=5k
时,Av=-93RL=1k
时,Av=-31讨论1、将射极输出器放在电路的首级,可以提高输入电阻。2、将射极输出器放在电路的末级,可以降低输出电阻,提高带负载能力。§3.7放大电路的频率响应幅频特性是描绘输入信号幅度固定,输出信号的幅度随频率变化而变化的规律。即∣∣=∣∣=相频特性是描绘输出信号与输入信号之间相位差随频率变化而变化的规律。即幅度频率特性相位频率特性放大电路频率特性的概念---为什么要研究放大电路的频率特性?
放大电路的幅频特性和相频特性,也称为频率响应。因放大电路对不同频率成分信号的增益不同,从而使输出波形产生失真,称为幅度频率失真,简称幅频失真。放大电路对不同频率成分信号的相移不同,从而使输出波形产生失真,称为相位频率失真,简称相频失真。幅频失真和相频失真是线性失真。
产生频率失真的原因是:1.放大电路中存在电抗性元件,例如耦合电容、旁路电容、分布电容、变压器、分布电感等;
2.三极管的
(
)是频率的函数。在研究频率特性时,三极管的低频小信号模型不再适用,而要采用高频小信号模型。3.7.1RC电路的频率响应RC低通电路RC高通电路RC低通电路
RC低通电路如图所示。
RC低通电路其电压放大倍数(传递函数)为RC低通电路的近似频率特性曲线:RC低通电路的频率特性曲线
幅频特性的X轴和Y轴都是采用对数坐标,称为上限截止频率。当时,幅频特性将以十倍频20dB的斜率下降,或写成-20dB/dec。在
处的误差最大,有-3dB。
RC低通电路的频率特性曲线
当时,相频特性将滞后45°,并具有-45
/dec的斜率。在0.1和10处与实际的相频特性有最大的误差,其值分别为+5.7°和-5.7°。这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图。
RC低通电路的频率特性曲线
RC高通电路其电压放大倍数为:式中
RC高通电路如图所示。下限截止频率、模和相角分别为RC高通电路的近似频率特性曲线。
RC高通电路的频率特性曲线3.7.2三极管的高频小信号模型三极管高频小信号模型电流放大系数β的频响三极管高频小信号模型混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理模型而建立的,三极管的物理结构如图所示。rb'e---re归算到基极回路的电阻
---发射结电容---集电结电阻
---集电结电容
rbb'---基区的体电阻,b'是假想的基区内的一个点。三极管物理模型(1)物理模型
---发射结电阻
re根据物理模型可以画出型高频小信号模型三极管高频小信号模型电路(2)用代替这一模型中用代替,这是因为β本身就与频率有关,而gm与频率无关。推导如下:
三极管高频小信号模型电路gm称为跨导,可写成
β0反映了三极管内部,对流经rb'e的电流的放大作用。是真正具有电流放大作用的部分,β0
即低频时的β。而在三极管小信号模型中,因存在Cb’c
和rb’c,对求解不便,可通过单向化处理加以变换。首先因rb’c很大,可以忽略,只剩下Cb’c
。可以用输入侧的C
’和输出侧的C
’’两个电容去分别代替Cb’c
,但要求变换前后应保证相关电流不变。(3)单向化高频混合π型小信号电路输入侧高频混合π型小信号电路输出侧所以由于C“
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