2024年太阳能电池片产业海外专利预警分析报告

太阳能电池片产业海外专利预警分析报告目录第1章 项目述 1项目景关内容 1产业项背景 1技术景关内容 1专利险警底逻及板设计 2风险利估型 3基于险生率专评估型 4基于险对能的利评模型 5数据索处理 6检索具检截日 6检索素 6检索果 8查全准证 8相关语明 10第2章 宏观争险析 12专利展势析 12竞争次分 12专利览地竞情况 12基于属域发态对比 21竞争局析 27全球体名全申量） 27海外体名全申量vs国请） 29中国体名全申量vs外请） 31上海体名全申量vs外请） 33第3章 中观争险析 35典型体选 35海外型体选据 35国内型体选据 35典型体利请况 36专利请况览保意愿 36专利局域览 37专利局向览 41典型体利有况 47专利争数专障规模 47潜在险域览 48典型体型利析 51SunPower（国） 51LG集（国） 52信越团日） 53原子和代源员（法） 54晶科源中） 55天合能中） 55第4章 微观争险析 57领域型律件析 57事件括历梳：华对国业的337调查侵诉讼 57事件察预启示 63面向海部体专预警示 64专项警体取预目标 64晶科源TOPCon术关产信摘录 65晶科源在险利警 66基于险生率风专利单 75基于外体球利局的险利单 76基于内体外利局的险利单 98基于险对能的险专清单 121基于外体球利局的险利单 122基于内体外利局的险利单 150第5章 风险对略 164风险对略 1645.1.1 宏观 1645.1.2 中观 1655.1.3 微观 167研发向议 172电池型 172电池结构 172工艺法 173专利局议 173前期备 173布局略 174实施评估 175第6章 结论建议 176第1章 项目概述项目背景及关注内容产业及项目背景行的电力来源。202120212020台的欧洲共同利益重要项目分支的电池政策，2023重点发展之道目录》等。环。”。从太阳能电池板硅晶体管制造技术切入/技术背景及关注内容本项目落脚点在“太阳能电池板硅晶体管”的制备中，硅晶体管是以硅材料为基础的电子元件。太阳能电池的工作基础是“PNPNPNPN（NP型硅晶片，这种晶片经掺杂等工艺处理而成。PN（PN型硅结合的过程PN结的主要Pn+/pP型硅Np+/nN型硅片。以单晶硅为例，常见的太阳能电池片技术路线如下：电池类型技术路线单晶硅P型电池Al-BSFPERC（P）单晶硅N型电池PERTTOPConHIT/HJT/SHJ/HDTIBCHBC专利风险预警的底层逻辑及板块设计略和维权策略。图1-1图1-1专利风险预警的底层逻辑及板块设计风险专利评估模型企业提供可供参考的专利信息和风险预警信息。风险发生概率风险应对可能性性等多项指标为基础进行考量。具体内容如下：基于风险发生概率的专利评估模型表1-1（）风险发生概率（筛选范围：有效、审中专利）考量维度考量内容选取理由风险定级历史风险情况（有效专利）诉讼经历过历史风险事件的专利1来可能再次对本领域相关产品产生冲击，风险概率相对更高，本次将其归入高风险类别。第一梯队：高风险无效保全异议企业活动关联情况（有效、审中专利）海关备案纷并获得回报。阻击活动的储备，具备一定风第二梯队：中风险信托许可潜在风险同族情况（有效、审中专利）历史风险专利的有效、审中同族风险类别。第三梯队：低风险企业活动关联专利的有效、审中同族1需要说明的是，仍处于有效状态的专利可能存在多种情况。其中包含未决状态的专利、已被无效但未来行政诉讼仍有翻案可能的专利等等。此处的“有效”仅展示当前状态，仍需持续关注相关专利走向。基于风险应对可能性的专利评估模型表1-2（）风险应对可能性（筛选范围：有效专利）考量维度考量内容选取理由剩余保护期剩余保护期险，同时获得更多的商业化应用及经济效益。专利保护期越短，面临的竞争压力和不确定性越大。替代即将到期的专利。保护范围权利要求字数利风险的可能性，如侵权风险或无效风险。范围，导致权利要求的保护力度不足。权利稳定性引用类别（已使用的对比文件类别）利申请的新颖性和创造性。定性。布局强度简单同族国家/地区数量（不含PCT）简单同族国家/一项技术的市场价值和重要性。如果一项技术拥有较多的同族国家/地区，说明相关主时有意以布局出的同族专利为基础进行大范围专利阻/地区数量的因素。表1-3注：待评专利的指标情况用N表示考量指标指标权重分值0分2分4分6分8分10分剩余保护期（日）0.2N<0N<=2490N<=3333N<=4327N<=5585N>5585权利要求字数0.3N>=452（2分）N>=326N>=249N>=168N<168（0.3包含X、E或102文件包含Y103文件包含A文件；不涉及目标引用文件//数量不PCT）0.2N<=1N<=4（6分）N<=7N>7数据检索及处理检索工具及检索截止日本次专利检索使用智慧芽作为检索工具。智慧芽收录超过1.8亿的全球专利170/地区/索、批量检索、智能语义检索、附图检索。2024624日。检索要素以技术为基础，结合专利数据库规则和初检情况，对检索要素进行设计，下面对检索使用的要素进行分类展示：表1-4要素词检索要素太阳能太阳能OR光伏ORSolarORPhotovoltaic电池片电池片OR晶体管OR(P$PRE1N$PRE1结)OR异质结ORtransistor#OR(P$PRE1N$PRE1junction)ORheterojunction#ORheterostructure技术路线及高相关结构BSFOR铝背场ORPERCORPERTOR(钝化$W6发射极)ORTOPConOR隧穿氧化层ORHJTORSHJOR异质结ORIBCOR(背接触$W1(叉指OR交叉))ORHBCOR"backsurfacefield"OR(Passivated$PRE1Emitter$PRE1Rear)OR"TunnelOxidePassivatedContact"ORHeterojunctionOR"Interdigitatedbackcontact"制备工艺制备OR制作OR制造ORfabricat*ORmanufactur*OR工艺ORprocessOR制绒OR扩散OR刻蚀OR沉积OR印刷OR钝化ORtextur*ORdiffus*ORetch*ORdeposit*ORprint*ORpassivat*重点分类号H01L31/18重点主体晶科$PRE0(能源or新能源or电力or光伏or储能or绿能))or(隆基$PRE0(OR硅材料OR乐叶光伏OR新能源OR清洁能源or晶OR晶龙)$PRE0(太阳能OROROROROR硅材料or$PRE0(OR科技)OR（JINKO$PRE1（SOLARor（GREEN$PRE1ENERGY）or（ENERGY$PRE1STORAGE）））or（LONGI$PRE1（SOLARor（GREEN$PRE1ENERGY）））or（（JINGAOorJA）$PRE1SOLAR）OR东方日升or天合光能or(通威$PRE0(太阳能or新能源or股份))or(爱旭$PRE0(太阳能or数字能源or科技))OR(RISEN$PRE1ENERGY)or(TRINA$PRE1SOLAR)or(TONGWEI$PRE1SOLAR)or(AIKO$PRE1SOLAR)OR(“FirstSolar”OR第一太阳能)OR(TetraSunOR泰特拉桑OREvolar)OR(Q$PRE1cells)OR((SunPower$PRE1CORP)OR太阳能公司)OR(MaxeonOR迈可晟)OR阿特斯or“CanadianSolar”or“CSIsolar”OR(LGor乐金)or(韩华orHanwha)检索结果14859件（项6314（4840项367件（234项）。查全查准验证（1）查全验证及全面度调整查全率及查全要求85%查全样本构建本次查全样本基于申请人数据构建，选取SunPower和LG集团两家重点申请人近20年相关专利申请作为查全基础。其中，以申请人为入口进行检索，对获得的检索结果进行人工阅读、清理和标引，获得查全样本360件。查全验证过程记录第一次查全验证：将查全样本与检索数据结果进行对比，共命中297件专利，则得到查全率78.7%，不满足查全要求，需进行补充检索。得到补充后的检索结果。第二次查全验证：将查全样本与补充后的检索数据结果进行对比，共310查全要求，停止查全。优化数据的全面度。（2）查准验证及准确度调整查准率及查准要求样本进行抽查在查准样本中核查数据的相关度90%时达到查全要求，停止查准。查准样本构建在调整过全面度的数据基础上，本次查准样本建立方式为：从2013—20231050件（1000）本。查准验证过程记录件专利属于本次分95.3%，达到查准要求，停止查准。需再次返回查全。自此，查全查准验证流程全部结束。相关术语说明为保证理解的一致性，对本报告使用的专业术语及相关事项说明如下：表1-5序号术语释义1专利技术归属地域、专利主体来源地域按照当前申请（专利权）人地址统计专利申请量，了解当前专利申请及相关专利技术主要归属于哪些国家或地区。2中国主体的专利申请/归属于中国的专利申请中国主体持有的专利申请，包括中国本土布局、PCT申请、海外专利布局。3海外主体的专利申请/归属于海外的专利申请非中国主体持有的专利申请，包括其在海外本土的专利布局、PCT申请、其他国家或地区的布局。4上海主体的专利申请/来源于上海的专利申请上海主体持有的专利申请，包括中国本土布局、PCT申请、海外专利布局。5专利布局地域按照受理局统计专利申请量，了解各个国家或地区的专利布局情况，其中中国专利/申请包含受理局为CN、HK、TW、MO的专利/申请。6全球专利/申请申请人在全球范围中各专利局的专利申请。7中国专利/申请申请人在中国大陆、中国香港、中国台湾、中国澳门的专利申请，对应受理局分别为CN、HK、TW、MO。8PCT申请国际专利申请，按照《专利合作条约》提交的要求保护发明的申请。序号术语释义9专利族、同族专利由于专利权具有严格的地域性，欲使其一项新发明技术获得多国专利保护，就必须将其发明创造向多个国家申请专利，因此产生了专利族。同一项发明创造在多个国家申请专利而产生的一组内容相同或基本相同的文件出版物，称为一个专利族。在同一专利族中，每件文件出版物互为同族专利。10项数、项1项11件数、件1112专利申请趋势将专利申请量按时间维度进行统计，动态分析专利申请量随时间的变化情况。13申请量排名前N主体对各主体的申请量进行统计排序，获得申请量靠前的前N个主体。14预计持有专利量以有效量和审中量为基础进行计算。具体而言：预计持有专利量=有效量+审中量*授权率15竞争指数表征不同主体的竞争实力，数值越大说明该主体的专利竞争实力越强，形成的专利障碍规模越大。对于该主体而言，竞争指数越大越好；对其他主体而言，竞争对手的竞争指数越大，对其市场竞争越不利。从预警的角度来说，更多体现在后者的场景中。16其他未尽事宜其他未尽事宜以脚注或者文本说明为准；未进行说明的，以行业通用含义进行理解。第2章 宏观竞争风险分析专利发展态势分析竞争层次划分域为依据对竞争层次进行划分，具体如下：表2-1竞争层次专利归属地域及统计说明分析范围说明归属于上海市的专利竞争情况统计当前专利权人地址为上海的专利申请，了解上海专利权人的专利持有情况及竞争格局。数据。归属于国内的专利竞争情况统计当前专利权人地址为中国的专利申请，了解中国专利权人的专利持有情况及竞争格局。全球竞争情况统计全球专利权人的相关情况，了解归属于全球专利情况及竞争格局。专利总览及地域竞争情况此部分内容通过对全球范围以及国内范围内的专利主体归属地域及其专利布局情况进行解读，对地域竞争情况进行分析，总结专利总体发展态势。全球专利主体归属地域及专利布局情况下图示出了太阳能电池板硅晶体管制造技术全球专利情况及地域竞争格局。7087项27087项专利技术为基础进行的14859件2.10件专利申请（2.10个国家/地区）。聚焦专利主体归属地域3，当前相关专利技术主要掌握/（4840项（6314件远超其他国家/，造成这一现象的原因可能与中国庞大的专利主体基数4和近年来活跃的专利申请活动有关。以归属地域为基础，结合件项比情况，进一步对各国家/地区主体的全球专1.30件/（2.10件/项/地区主体的全球布局相对较强，均在全球平6件/项及以上。2以简单同族为单位进行统计。3本文中的“主体归属地域”和“专利归属地域”均统计当前申请（专利权）人地址，旨在了解当前相关专利技术掌握在哪些国家/地区的主体手中、专利申请被哪些国家/地区的主体持有。4对中韩日美的专利主体数量进行统计，分别为1057位、333位、292位、640位，中国远超对标地域。图图2-1全球专利主体归属地域及专利布局情况关注全球主要的专利布局地域5，排名前五的国家/TOP5TOP5布局地7注的市场，具体如下表所示：表2-2主体国别/归属地域非本土专利布局中国5专利布局地域统计受理局，旨在了解相关专利申请被布局在哪些国家/地区（不含PCT申请）。6表中示出的德国专利申请中可能包含通过欧洲专利局进入德国的专利，德国会在EP专利号之外另外赋予国家专利号。7表中示出的奥地利专利申请中可能包含通过欧洲专利局进入奥地利的专利，奥地利会在EP专利号之外另外赋予国家专利号。主体国别/归属地域非本土专利布局韩国日本美国国内专利主体归属地域及专利布局情况下图示出了太阳能电池板硅晶体管制造技术国内竞争格局及海外专利布局4840项相关专利技术4840为基础进行的6314件1.30请（1.30个国家/地区）。（1449项（1631）远超其他省/市/上海主体的234项，在国内省/市/自治区中排名第六，具备一定优势，但仍有提升空间。立足归属地域，对各省/市/自治区主体的专利件项比、海外专利布局进行观国内主体平均水平以上（1.30件/项），1.58件/项、1.57件/1.31件出225件、125120件。图图2-2国内专利主体归属地域及专利布局情况进一步对国内典型省/市/自治区8主体的海外专利布局地域进行统计，浙江、上海相关主体较为关注美国和欧洲地区的专利布局；江西主体在韩国的专利布局较为突出；澳大利亚是除五局外，国内主体布局较多的地域。具体如下表所示：表2-3/市/主体归属省/市/自治区海外专利布局江苏浙江四川8此处选取专利技术产出量排名前三的江苏、浙江、四川以及海外专利布局突出的上海、江西作为代表。主体归属省/市/自治区海外专利布局上海江西基于归属地域的发展态势对比读，对归属地域的发展态势进行总结分析。专利申请趋势对比趋势来看，19712003年是起步期；2004201120122017年是调整期；2018年至今是缓冲期。聚焦中国主体相关情况来看，2017年以前，中国主体的专利申请趋势与全球基本匹配（经历起步期、快速发展期和产业调整期），但整体来说，专利申请起步较晚，另外，在产业调整期并没有出现明显下降趋势，仍保持着平稳发展；进入2018年后，中国主体的专利申请持续增长，进入二次发展期。对比海外主体2011年后，海外主体的专利申请量急转直下201120172018年开始的产业缓冲期，专利申请量都能性，需要进行持续关注。定位上海主体情况，整体来说，上海主体的申请趋势与中国主体基本符合，经小幅波动后呈现上升趋势。发现专利申请趋势波动情况与产业发展情况基本一致99此部分参考的文献如下：4、/s/Rnl6u4KdAkG_YZsLbBBrpA5、/s/64RmYS4WCwC2AQNYU3t9dw6、/s/Hra6EaV9oVFWiVL4pvc1Bw7、/s/TfJT3BtmUpF4qTa29OpbHg8、/s/sJWFLjFljr9tgzPMyDzPEw注：由于专利申请延迟公开、数据库收录时滞等原因，近两年的图示数据低于实际数据。图图2-3基于归属地域的专利申请趋势对比产业起步期&专利申请起步期200320亿人得不到正常的能源供应。全世界都把目光投向了可再生能源处于起步阶段，专利年申请量也始终处于低位。产业元年后的蓬勃发展期&专利申请快速发展期2004太阳能发电行业第一次以产业的形式走进大众的视野年前后，欧美等国陆续出台了各种鼓励太阳能等清洁能源利用的政策，200420032004年立之势2006池产业的关注度加高。产业动荡期&专利申请调整期2011年前后，太阳能产业发展出现多重转折，产业进入动荡期。2010业破产2011产能过剩646元/kg降到不194元成本优势逐步降低10原文表述是：从100美元/kg降到不到30美元/kg，此处使用2011年年度平均汇率（1美元=6.4588元）进行折算，四舍五入保留整数。（反倾销、反补贴）2012年正式对中国晶硅光伏产品实施双反，美国作大批利好政策出台中国光伏逐渐摆脱全球依赖&（申请二次发展期）2018年至今，全球光伏市场的突破与洗牌仍在进行，新技术的不断出现是影响产业竞争格局的重要因素155元59元/kg，触及8303元2024541元2018年后，单晶硅电池的发射极钝化和背面接触技（PERC）成熟以后，使其光电转换效率再次上了一个新台阶。单晶硅电池光PPERC型技术也在不断突破TOPconHJTFirstSolar，其生产碲化镉组件成本每年都在以钙钛矿和晶硅技术为基础的叠层电池技术目前也已经有了新破。总的来说，近年来光伏产业的多轮洗牌仍是以“技术”为主导的博弈，谁在持续关注。NTOPCon电池、HJTNTOPcon电25.21%，HJT25.26%。专利主体数量变化注：由于专利申请延迟公开、数据库收录时滞等原因，近两年的图示数据低于实际数据。另外，图中占比进行四舍五入处理。图图2-4不同申请年区间的专利主体数量变化情况上图示出了太阳能电池板硅晶体管制造技术不同申请年区间下的专利主体的产业变化直接影响了专利主体数量，进而影响了专利申请趋势。具体而言：70%以上。201223%2014201761%，中国主体数量占比逐年加高。201860%上，且仍在增长。势和占比主要从发展规律上对产业情况进行印证，具体量级仅供参考。竞争格局分析内专利申请量排名前十五位的申请主体的申请情况进行具体分析。全球主体排名（全球申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图图2-5基于全球布局的全球TOP15主体TOP15主体中海外主体相对更多（8席，中国主体7席海外主体LGSunPowerFirstSolar中国主体11阿特斯于2001年在加拿大成立，但专利申请来源地集中在中国，另外，根据相关报道披露，集团创始TOP15榜单中，海外主体的全球专利布局意识和策略运用优于中国主体10.80件/项，以5155110.80个国家/地区）、日本信越集团（件项比为6.31件/项）、法国原子能和替代能源委员会（件项比为5.27件/项）。人瞿晓铧博士是中国人，因此，本次将阿特斯作为中国主体统计。下附相关报道链接，供参考：/article/detail/5894240270/435402海外主体排名（全球申请量vs中国申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图图2-6基于全球布局及中国专利布局的海外TOP15主体席（LG集团申请量排名第一），4席（SunPower名第二4（其中力森诺科申请量排名第三2116（其中力森诺科申请量排名第一3（LG集团申请量排名第二），3席（SunPower申请量排名第三），2席，德1SunPower科的专利申请量都排在前三位。另外原子能和替代能源委员会、信越集团、三菱TOP15榜单中，虽然不高（项数为11项），但件项比最高（件项比为12.09件/项），美国SunPower（51项（件项10.80件/项）。中国主体排名（全球申请量vs海外申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图图2-7基于全球布局及海外专利布局的中国TOP15主体，同时也在海外专利布局清单上。TOP15（28项件项比最高（1.96件/项），晶科能源的产出项数最多（438项），同时件项比相对也较高（1.94件/项）。上海主体排名（全球申请量vs海外申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图图2-8基于全球布局及海外专利布局的上海TOP15主体141118全球专利布局清单上（排名第二位），同时也在海外专利布局清单上。（18项先其他申请主体（7.83件/项）。第3章 中观竞争风险分析典型主体挑选进行挑选，并对典型主体的具体情况进行分析。海外典型主体挑选依据以前文的统计数据为基础，结合对该领域的主体调研情况，本次选取SunPower、LG集团、新越集团、原子能和替代能源委员会作为海外典型主体。表3-1主体国别申请量：件件项比中国申请量其他信息SunPower美国全球第三10.80件/项海外主体第二本领域典型市场主体LG集团韩国全球第一2.51件/项海外主体第一本领域典型市场主体信越集团日本全球第十一6.31件/项海外主体第五本领域典型市场主体原子能和替代能源委员会法国全球第九5.27件/项海外主体第四本领域典型市场主体国内典型主体挑选依据源、天合光能作为国内典型主体。表3-2主体国别申请量：件件项比海外申请量其他信息晶科能源中国全球第二；中国主体第一1.94件/项中国主体第一本领域典型市场主体、在上海设有下属公司主体国别申请量：件件项比海外申请量其他信息天合光能中国全球第四；中国主体第二1.39件/项中国主体第二本领域典型市场主体典型主体专利申请情况专利布局的总体情况，以及典型专利的布局地域具体情况。专利申请情况总览及保护意愿图3-1图3-1典型主体-专利申请情况总览预警提示。中国申请SunPower但从专利角度来说，LG的专利申请基数仍不容小觑。专利布局地域详览SunPowerTOP5在美国本土排名第一，中日韩排名靠前（2-4位），欧专局排名相对靠后（位）。另外在德国、澳大利亚、马来西亚、新加坡和奥地利也有专利布局。LGTOP5第一，美欧中的申请量排名靠前（2-4位），日本排名相对靠后（6位）外量布局。日本主体信越集团在全球TOP5坡也有专利布局。法国主体原子能和替代能源委员会在法国本土的布局最多，其次是欧专局，在TOP5布局地域均有布局，另外在德国、奥地利的布局数量相对较多，印度和西班牙有少量布局。TOP5在澳大利亚、意大利、奥地利和波兰也有专利布局。中国主体天合光能在中国的专利布局最多，但在全球TOP5的布局地域中的韩国没有专利布局，而在澳大利亚和德国有专利布局。表3-3TOP10当前主体-集团申请量TOP10地域SunPower（美国）LG集团（韩国）当前主体-集团申请量TOP10地域信越集团（日本）原子能和替代能源委员会（法国）当前主体-集团申请量TOP10地域晶科能源（中国）天合光能（中国）专利布局方向详览此部分对典型主体技术主题和技术方向进行梳理，了解专利布局方向。SunPowersunpower公司在各技术主题和技术方向的布局情况，可以H01L31LG集团LGH01L31等。信越集团提高光电转换效率、低成本、提高层间结合力等方向，涉及到的主要分类号为H01L31等。原子能和替代能源委员会上图为法国主体原子能和替代能源委员会在各技术主题和技术方向的布局H01L31晶科能源H01L31等。天合光能果在提高效率、提高转化效果、提高开路电压等方向，涉及到的主要分类号为H01L31等。典型主体专利持有情况行评估，并得出相应的竞争风险指数。专利竞争指数及专利障碍规模注：预计风险专利量采取四舍五入计算。图图3-2典型主体-预计专利持有量及竞争指数总览了解典型主体的专利障碍规模。碍规模越大，对其他主体而言的风险越高。结合图表来看，典型海外主体中，SunPowerLG主体来看，就全球竞争指数来说，SunPowerLG典型主体。潜在风险地域详览SunPower（85件（91件但发明授权率高（1.00）。LG集团在各主要布局地域均保有有效专利，其中韩国最多（105件（9件（1件预计风险专利量最高（111件），在德国的预计风险专利量排在中游（17件（0.98）日本主体信越集团在各主要布局地域均保有有效专利，其中日本最多（25件（25件（12件（19件（15件（27件中国主体晶科能源在各主要布局地域均保有有效专利，其中中国最多（126件（127件（195件但发明授权率相对较低（0.54），而在其他地域的发明授权率均在0.98以上。中国主体天合光能在各主要布局地域均保有有效专利，其中中国最多件（193件（220件较低（0.60），0.97以上。表3-4TOP10当前主体-集团预计风险专利量TOP10地域当前主体-集团预计风险专利量TOP10地域SunPower（美国）LG集团（韩国）当前主体-集团预计风险专利量TOP10地域信越集团（日本）原子能和替代能源委员会（法国）晶科能源（中国）天合光能（中国）典型主体典型专利剖析体的典型专利进行剖析。SunPower（美国）美国主体SunPower公司技术主要聚焦在太阳能电池制造的以下技术方向：发射极区域制造2023pn2018ZA201700071B二多晶硅发射极区。金属层的制备2018MX356833BPN型金属指状2021KR102333503B1，金属箔辅助制造薄硅太阳能电池，P104N106掺杂区，将金属嵌入载体。沟槽工艺2015EP2297789B1NPNPN型掺杂区域在其他位置触摸，PN具有相对低的反向击穿电压。LG集团（韩国）韩国主体LG集团技术主要聚焦在太阳能电池制造的以下技术方向：光吸收层及其前驱体的制备2019US10170649B2(Sn)(Zn)2016CI(G)S纳CI(G)S纳米颗粒，公开了制备形成太阳能电CI(G)SCI(G)SVI族来源和铟(In)VI族来源选自包含硫(S)(Se)(Cu)CI(G)S纳CI(G)S纳米颗粒。电子传输层的制造如2019年授权的专利KR102002580B120~70mol%。沟槽结构2016制备的图案，以及使用该制备方法制备太阳能电池的方法及其制备的太阳能电能电池。信越集团（日本）日本主体信越集团技术主要聚焦在太阳能电池制造的以下技术方向：高光电转换效率20232023CN110073504B，高光电转换扩散层的制备2017RU2626053C2n型半导体基板的第二主SiNxSiNxn型半导体基板的第一主表ppSiO2EP2578721B1，硼扩散涂敷液，使用包含硼化合物、有机粘合剂、硅化合物、氧化铝前体和水和/或有机溶剂的涂布液将硼扩散到硅基板中pp型扩散层。原子能和替代能源委员会（法国）法国主体原子能和替代能源委员会技术主要聚焦在太阳能电池制造的以下技术方向：钝化层：2022EP4199118A12019年0≤y<x叠层处理：2022CN115623833A(PK/Si)一氧化物层，在第一氧化物层上制造pn2023请的专利US20230275180A1，处理异质结光伏电池前体的方法，涉及一种用于n300nm550nm550nm之间的至少一个第二波长。晶科能源（中国）中国主体晶科能源技术主要聚焦在发电效率、钝化处理等技术方向：2024PID4nm20nm的范围内。硅原子的数量大于至少一层氮氧化硅层中的氧原子的数量，并且氧原0.15纳米。如2024US20240170588A1第一发射极电连接。第二电极形成在第二区域中并被配置为与第二发射极电连接。天合光能（中国）方向：2024AU2024203444A1硅掺杂导电层和第一隧道氧化物层的至少部分区域中形成彼此间隔开布置的多2024触结构。以降低复合率、延长少数载流子寿命以及提高电池的光电转换效率。第4章 微观竞争风险分析领域典型法律事件分析事件概括及历程梳理12337及侵权诉讼在光伏电池方面，韩华公司自2019年起在美国国际贸易委员会（ITC）提出337讼PERC美国相关纠纷情况（涉案专利：US9893215）20193337调查申请，将晶科能源与隆基绿能列为被申请人关注韩华与相关中国企业在美国的纠纷情况，始于韩华向美国ITC提出的337调查申请。201934日ITC337（CertainPhotovoltaicCells12此部分参考多篇资料，具体如下：1、/s/PwKitFY_FHYk56FnVcSQNQ2、/s/NmyjxdVVgO9fgItPdywWig3、/s/PezQmS0uHIPBBkPxnwMWUQ4、/s/PbQA8-LUoSgf3BuXJpB5hw5、/6519911584/25145004705/601012_20211105_1_wItwN1jc.pdf07/601012_20220307_2_mS2JX5Yi.pdf8、/disclosure/listedinfo/announcement/c/new/2023-05-12/601012_20230512_PG0B.pdf9、/pdf/H2_AN202108231511879173_1.pdf?1630175408000.pdfandProductsContainingSame）”侵犯其专利权（相关美国专利授权公告号为US989321513（’215专利）：具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及的太阳能电池）ITC并将晶科能源、隆基绿能两家中国企业列为被申请人1412~1415JKM295M-60B和隆基绿能的LONGiLR6-60PE-305M侵权’21512~1416。201943ITC337调查。2019411ITC337调查初裁结果：初步裁定相关企业产品不侵犯韩华专利权。202063ITC发布最终调查结果，裁定被告企业产品不侵犯韩华专利权3372020731337终裁结果向美国联邦巡回法院提起上诉。202179日美国联邦巡回上诉法院举712日终审判决，ITC原判。20193诉讼根据晶科能源、隆基绿能相关公告披露的信息，20193月，韩华还（337调查的内容）。20194ITC程序（包括上诉程序作出最终裁定或相关调查被驳回前本案中止17。13申请号：US12742818，公开（公告）号：US9893215B2。14原始信息查阅自USITC官网。调查案号：337-TA-1151。此处以“集团”为单位对被告人进行展示，另外，被告人还包括：RECSolar这家挪威企业。15观察’215专利的权利要求布局情况，权1~11是方法权利要求，记载了太阳能电池的制造方法；权12~16是产品权利要求，记载了太阳能电池的层状结构。16针对晶科能源相关指控的原文表述：TheJKM295M-60Binfringes,literallyorunderthedoctrineofequivalents,allclaimlimitationsofatleastclaims12-14ofthe'215Patent.针对隆基绿能相关指控的原文表述：TheLONGiLR6-60PE-305Minfringes,literallyorunderthedoctrineofequivalents,allclaimlimitationsofatleastclaims12-14ofthe'215Patent.17为了弥补ITC无法就损害赔偿问题作出裁决的不足，同时通过诉讼手段向竞争对手施加更大的压力，337调查的申请人在向ITC提起调查请求的同时还经常在美国联邦地区法院提起专利诉讼（“平行诉讼”），甚至有可能在其他国家和地区对竞争对手提起诉讼（“关联诉讼”）。为避免两头应诉造成的承重负担，被申请人可以请求联邦地区法院中止平行诉讼，法院通常会同意中止审理。跟踪案件的进展情况，晶科能源方面，20226隆基绿能方面和解18专利发起了无效程序。结合智慧芽相关信息来看，2019513日，隆基绿能向美国专利商标局发起无效程序，请求无效’21512~14项权利要求。202012部无效2021220226月，美国联邦巡回法院驳回韩华上诉，维持原判。其他国家/地区的纠纷情况’215专利的同族专利及关联纠纷情况以美国’215专利为基础，查阅同族专利布局情况。结合智慧芽查询到的信’215（DE102007054384A119）PCT专利申请（WO2009062882A320），PCT（MY152398A21）欧洲专利局（EP2220689B122）、澳大利亚（AU2008323025C123）（US9893215B224）和中国（CN101952971B25）。此外，以布局的EP专利为基础，在克罗地亚、葡萄牙、西班牙、奥地利等多个国家/地区获得授权。其他同族专利中，部分专利以韩华为当前申请/专利权人，但部分专利掌握在其他主体手中。具体信息如下：18根据隆基绿能发布的公告信息，2023年5月11日，隆基绿能与韩华正式达成专利交叉许可。这一点将在后文进行详细说明。19申请号：DE102007054384，原始申请人为太阳能研究所股份有限公司。20申请号：PCT/EP2008/06506721申请号：MYPI201000226322申请号：EP200885061523申请号：AU200832302524申请号：US12/74281825申请号：CN200880124779.0表4-1US9893215B2的简单同族专利（以当前公开的信息为准）布局基础：DE102007054384A12007-11-14申请公开（公告）号当前申请/专利权人法律状态关联纠纷情况WO2009062882A3太阳能研究所股份有限公司|SCHMIDTJANPCT指定期满/MY152398A太阳能研究所股份有限公司授权/EP2220689B1韩华思路信(株)授权涉及韩华发起的关联诉讼AU2008323025C1韩华思路信(株)授权涉及韩华发起的关联诉讼US9893215B2韩华思路信(株)授权韩华发起美国337调查及平行诉讼CN101952971B韩华新能源高新材料全部撤销涉及隆基绿能发起的相关无效程序HRP20141036T1太阳能研究所股份有限公司|埃因霍温科技大学授权/PT2220689E太阳能研究所股份有限公司|埃因霍温科技大学授权/ES2523441T3太阳能研究所股份有限公司|埃因霍温科技大学授权/AT684881T韩华思路信(株)授权/DE502008012155D1韩华新能源高新材料授权/韩华在欧洲和澳大利亚发起的关联诉讼（涉案专利：EP2220689、AU2008323025）337调查和欧洲和澳大利亚同族专利为基础法院、澳大利亚联邦法院提起了关联的专利侵权诉讼（涉案专利分别为EP2220689、AU2008323025）。就德国的纠纷情况20206判决认定德国隆基和晶科德国侵犯韩华专利权2019130毁德国隆基和晶科德国直接或间接占有或所有的涉诉产品。20207和晶科德国分别向德国杜塞尔多夫高级地方法院提起上诉，并获得受理。隆基绿能EP序202010晶科能源4202023年62日与韩华签署专利交叉许可及和解协议，案件告一段落聚焦澳大利亚的相关纠纷情况据调查后，案件尚未作出最终判决，最终以和解收尾。（CN101952971B）对韩华中国专利的无效就是较为典型的反击举措之一。就韩华方的诉讼情况来（此处为隆基绿能判地位。具体而言，201988日，国家知识产权局受理隆基绿能提出的专利无效宣告请求。201910222019126陈述。20201030日，国家知识产权局宣告涉案发明专利权部分无效，在201910221-5202112271-52232022221替换页。2022年7月6日，国家知识产权局宣告涉案发明专利权全部无效。事件最终结果：专利交叉许可及未决纠纷和解337无效案件外，其余未决纠纷均以和解收尾。隆基绿能方面，2023511（包括关联方在全球范围内的所有诉讼及专利无效程序。晶科能源方面，202362讼和无效程序。事件观察及预警启示策略进行剖析，并结合中国企业的应对和反击策略给出预警启示。。结合产业发展时间和诉讼时间来看，2016PERC2017201820192019年对中国企业发起专利阻击。结合韩华发起阻击的专利是以购买的方式获得的选择了一件技术基础较好击范围较广的专利作为其发起专利攻击的储备（最初的德国申请申2007年），在技术上具备一定的基础性2006年开始开启产业化进程，原申请人太阳能研究所是本涉案专利族本身的布局基础较好，通过优先权、PCTEP具备大范围/多地维权的基础。关注中国企业的应对和反击措施客户造成的影响，并通过提供替代方案/产品的方式来保障未来在相关市场的正中国企业的表现还是具备可借鉴之处，为本领域其他中国主体提供了参考。HJTTOPConHJT、TOPCon面向上海头部主体的专项预警提示专项预警主体选取及预警目标向上海头部主体的专项预警提示，旨在以上海头部企业为例，向本领域/同行中国企业提供潜在风险专利排查思路。在上海设有相关公司26TOPCon源曾被海外主体韩华进行过专利阻击，具备预警必要性。26上海晶科绿能企业管理有限公司、晶科绿能（上海）管理有限公司TOPCon技术相关产品信息摘录根据晶科能源官网产品页的介绍，NTigerNeoTigerNeoNTOPCon技术/性能等特点27。结合晶科能源《TigerNeoNTOPCon组件》产品白皮书28中披露的内容，TOPConTOPCon表4-2TigerNeoN型TOPCon-要点信息N得到了极大优化。在此基础上，以TOPConTOPCon的TOPCon与HIT，HITTOPConFraunhofer…..27晶科能源官网-TigerNeo产品介绍：/site/tigerneo#s228晶科能源《TigerNeoN型TOPCon组件》产品白皮书：/uploads/122701.pdf结构结构示意晶科能源潜在风险专利预警以查阅到的产品信息为线索，结合TOPCon检索PCT指定期内体的海外专利申请。29由于外部信息中并没有详细披露晶科能源相关产品的具体细节，本次提供的专利检索主要围绕“TOPCon”技术路线展开，查阅当前的专利布局情况，提供风险预警线索。潜在风险主体及潜在风险地域（指定期内/进行观察，给出潜在风险地域参考。海外主体LG集团在相关路线上的专利布局LG3LG公司疑似推出光伏组件制造市场，但就专利诉讼的角度来看，这些有效专利能会成为潜在风险就中国主体海外专利布局局足迹，在进行预警时可以重点关注这些地区的竞争情况。相关信息具体如下：注：潜在风险统计非失效专利申请量，包含：有效专利、审中申请、仍在指定期中的PCT申请。另外，此处仅展示非失效申请量突出的潜在风险主体。图图4-1晶科能源专项预警-潜在风险主体及其布局地域（选取非失效申请量突出的主体）潜在风险专利一览表以供参考，具体如下：表4-3注：属于同一族的专利在同一单元格展示。族内代表专利族内专利详览当前申请/专利权人标题（简体中文）CN114975643B（有效）CN114975643B（有效）韩华新能源(启东)有限公司N-TOPCon光伏太阳能电池制备方法及太阳能电池CN219917189U（有效）CN219917189U（有效）韩华新能源(启东)有限公司一种TOPCon太阳能电池CN114256385B（有效）CN114256385B（有效）韩华新能源(启东)有限公司一种TBC背接触太阳能电池及其制备方法CN115101626A（审中）CN115101626A（审中）韩华新能源(启东)有限公司TOPCON太阳能电池背面结构制备方法及电池CN115513335A（审中）CN115513335A（审中）韩华新能源(启东)有限公司一种N-TOPCon太阳能电池制备方法及电池CN116093197A（审中）CN116093197A（审中）韩华新能源(启东)有限公司P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法及电池CN116544314A（审中）CN116544314A（审中）韩华新能源(启东)有限公司TOPCon太阳能电池及其制备方法CN117374152CN117374152A（审中）韩华新能源(启东)TOPCon太阳能电族内代表专利族内专利详览当前申请/专利权人标题（简体中文）A（审中）有限公司池的制备方法及TOPCon电池CN115763633A（审中）CN115763633A（审中）韩华新能源(启东)有限公司一种具有硼选择性发射极的太阳能电池的制备工艺DE1020201192）DE102020119206A1（审（审中）；EP4186104A1（审中）韩华QCELLS有限公司太阳能电池制造工艺DE1020211294）DE102021129460A1（审中）；EP4430673A1（审中）韩华QCELLS有限公司太阳能电池及其制造方法KR1020240040275A（审中）KR1020240040275A（审中）；WO2024063448A1（PCT指定期内）韩华思路信(株)叠层太阳能电池及其制造方法KR102132740B1（有效）KR102132740B1（有效）乐金电子公司太阳能电池及其制造方法EP2988336B1（有效）EP2988336B1（有效）乐金电子公司太阳能电池及其制造方法KR102373649B1（有效）KR102373649B1（有效）乐金电子公司太阳能电池及其制造方法KR102646186B1（有效）KR102646186B1（有效）韩国能源技术研究院TOPCon硅太阳能电池及其制造方法和硅太阳能电池的多晶硅层形成方法族内代表专利族内专利详览当前申请/专利权人标题（简体中文）TW202322409A（审中）TW202322409A（审中）财团法人工业技术研究院局部穿隧氧化层钝化接触太阳能电池及其制造方法JP7553680B2（有效）JP7553680B2（有效）；AU2023251504B2（审A1（审中）天合光能股份有限公司太阳能电池及其制造方法、太阳能发电模块和太阳能发电系统US10854764B2（有效）US10854764B2（有效）天合光能股份有限公司太阳能电池及其制造方法AU202321981）AU2023219811B2（（有效）天合光能股份有限公司太阳能电池及其制造方法、光伏装置和光伏系统AU202322290）AU2023222900B1（有效）；EP4287270A3（审中）；US20240055539A1（审中）天合光能股份有限公司钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法JP2024112278A（有效）JP2024112278A（有效）；AU2023258373B9（有效）公司|太阳能电池WO202411985WO2024119857A1（PCT天合光能股份有限太阳电池及太阳电族内代表专利族内专利详览当前申请/专利权人标题（简体中文）7A1（PCT指定期内）指定期内）公司池的制备方法AU202420344）AU2024203444A1（审中）天合光能股份有限公司WO2024045945A1（PCT指定期内）WO2024045945A1（PCT指定期内）通威太阳能(金堂)有限公司太阳电池及其制造方法AU202233190）AU2022331906B2（审中）；EP4203081A4（审中）通威太阳能(眉山)有限公司TOPCon电池、其制造方法以及电气设备EP4365960A1（审中）EP4365960A1（审中）；AU2022449708A1（审中）；WO2023184955A1（PCT指定期内）通威太阳能(眉山)有限公司太阳能电池及其制备方法EP4365965A4（审中）EP4365965A4（审中）；AU2022458381A1（审中）；WO2023221510A1（PCT指定期内）；US20240290907A1（审中）通威太阳能(眉山)有限公司太阳能电池及其制备方法AU202334392）AU2023343924A1（审中）；EP4369424A1（审中）；WO2024060927A1（PCT指定期内）通威太阳能(眉山)有限公司双面太阳能电池及其制造方法WO2024098977A1（PCT指定期内）WO2024098977A1（PCT指定期内）；AU2023375286A1（审中）；EP4391091A1（审中）通威太阳能(眉山)有限公司一种太阳电池及其制备方法和电池组件族内代表专利族内专利详览当前申请/专利权人标题（简体中文）EP4254519A4（审中）EP4254519A4（审中）；US20240145611A1（审中）；AU2022397987A1（审中）通威太阳能(眉山)有限公司隧道氧化层和非晶硅薄膜的制备方法及顶康电池US11942564B2（有效）US11942564B2（有效）；EP4131428A4（审中）；AU2020439578B2（有效）隆基绿能科技股份有限公司层叠型光伏装置及其制造方法EP4167300A4（审中）EP4167300A4（审中）；AU2020453832B2（有（）；VN94713A（中）；AU2024213186A1（审中）隆基绿能科技股份有限公司背接触太阳能电池及其制造方法、以及背接触电池组件WO2024037167A1（PCT指定期内）WO2024037167A1（PCT指定期内）隆基绿能科技股份有限公司太阳能电池及其制备方法和光伏组件WO2024045917A1（PCT指定期内）WO2024045917A1（PCT指定期内）隆基绿能科技股份有限公司背接触太阳能电池及其制备方法WO2023173930A1（PCT指定期内）WO2023173930A1（PCT指定期内）西安隆基乐叶光伏科技有限公司一种TOPCon电池及其制备方法JP7212786B2（有效）JP7212786B2（有效）浙江爱旭太阳能科技有限公司|广东爱旭科技有限公司晶体硅太阳能电池及其制造方法ES2955936T3（有效）ES2955936T3（有效）；DE602021001899T2（有效）；EP4123723B1（有SOLARLABAIKOEUROPEGMBH族内代表专利族内专利详览当前申请/专利权人标题（简体中文）效）伏系统WO2024055475A1（PCT指定期内）WO2024055475A1（PCT92A1（0046A1（审中）金阳(泉州)新能源科技有限公司一种联合钝化背接触电池及其制备方法基于风险发生概率的风险专利清单海外主体的全球专利布局和局利进行汇总。击，风险概率相对更高，本次将其归入高风险类别。与企业活动相关联的专利可能后续会作为与产品配套或者与专利阻击活动同时也能获得回报。此类专利具备一定风险，本次将其归入中风险类别。同族专利同样可能伴随着风险发生，本次将其归入低风险类别。具体如下：基于海外主体全球专利布局的风险专利清单第一梯队：高风险表4-4（）历史风险情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人诉讼US8878053B2具有成形发射极的前接触太阳能电池有效2012/6/13迈可晟太阳能有限公司诉讼DE502010015002D1半导体器件和半导体器件的制造方法有效2010/5/31韩华思路信(株)诉讼DE602009038887T2具有由沟槽结构分隔的掺杂多晶硅区域的背接触太阳能电池及其生产方法有效2009/4/29迈可晟太阳能有限公司诉讼AU2008323025C1具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)诉讼US8222516B2具有成型发射极的前接触太阳能电池有效2008/2/20迈可晟太阳能有限公司诉讼DE102007005161B4基板金属化工艺有效2007/1/29雷纳技术有限责任公司历史风险情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人诉讼|无效US9893215B2具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)无效US10396230B2具有分离的多晶硅掺杂区的背面接触太阳能电池有效2018/10/10迈可晟太阳能有限公司无效CN102804407B半导体设备和半导体设备的制造方法有效2010/5/31韩华思路信无效US8933525B2半导体装置和半导体装置的制造方法有效2010/5/31韩华思路信(株)无效CN102057497B具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构有效2009/4/29迈可晟太阳能有限公司无效CN101438420B具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池有效2007/2/9迈可晟太阳能有限公司无效|异议EP2210283B2使用硼和磷的共扩散制造晶体硅太阳能电池的方法有效2008/11/13荷兰能源建设基金中心异议KR102333503B1金属箔辅助制造薄硅太阳能电池有效2013/6/20太阳能公司异议KR101541660B1发明名称n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法有效2012/7/17株式会社力森诺科历史风险情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人异议KR102049604B1太阳能电池及其制造方法有效2011/12/16周星工程股份有限公司异议KR102068845B1用于制造太阳能电池的工艺和结构有效2011/9/20迈可晟太阳能有限公司异议KR102007102B1具有隧道介电层的太阳能电池的制造方法有效2011/4/27迈可晟太阳能有限公司异议JP5815215B2扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法有效2010/8/4东京应化工业株式会社异议KR102015072B1基于晶圆的太阳能电池板的制造方法有效2009/4/2REC太阳能私人异议DE602008010665T2通过硼和磷的共扩散制备晶体硅太阳能电池的方法有效2008/11/13荷兰能源建设基金中心异议DE502008012155D1具有表面钝化双层电介质的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)异议EP2220689B1具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)第二梯队：中风险表4-5（）企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人许可KR102227799B1cigs薄膜太阳能电池的制造方法有效2019/2/7에스엔피주식회사许可KR102219785B1太阳能电池硅层沉积设备有效2018/9/28상라오신위안웨동테크놀러지디벨롭먼트컴퍼니리미티드许可DE102018114215B4CIS太阳能电池的制造工艺有效2018/6/14丰田自动车株式会社许可US10749052B2形成叉指背接触太阳能电池的方法有效2018/2/13可持续能源联盟有限责任公司许可KR101839564B1太阳能电池制造方法有效2016/11/11상라오신위안웨동테크놀러지디벨롭먼트컴퍼니리미티드许可DE112016004804T5太阳能电池的制造方法、太阳能电池和制造太审中2016/9/20三菱电机株式会社企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人阳能电池的装置许可KR101667180B1采用新型钝化结构的硫系太阳能电池及其制造方法有效2016/1/13韩国科学技术院许可KR101740524B1发明名称太阳能电池及其太阳能电池的制造方法有效2015/12/23상라오신위안웨동테크놀러지디벨롭먼트컴퍼니리미티드许可US9627558B2用于制造自对准集成背接触异质结太阳能电池的方法和设备有效2015/4/9亚利桑拿州立大学许可RU2575974C1异质结太阳能电池的制作方法有效2014/11/12FEDERALNOEGOSUDARSTVENNOEBJUDZHETNOEUCHREZHDENIENAUKIFIZIKOTEKHNICHESKYINSTITUTIMAFIOFFEROSSIIYSKOYAKADEMIINAUK企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人许可KR102219804B1太阳能电池及其制造方法有效2014/11/4상라오신위안웨동테크놀러지디벨롭먼트컴퍼니리미티드许可US9349900B2用于制造可转移半导体结构、器件和器件组件的发布策略有效2014/4/7伊利诺伊大学评议会许可KR102219796B1太阳能电池及其制造方法有效2014/2/24상라오신위안웨동테크놀러지디벨롭먼트컴퍼니리미티드许可DE102013113590A1用于薄膜太阳能电池的点接触钝化层的生产工艺审中2013/12/6赫姆霍茨中心柏林材料与能源有限公司许可KR101424538B1使用激光退火法制造Becontech太阳能电池的方法有效2013/6/28NCD有限公司许可DE102013211231B4形成串联光伏单元的方法有效2013/6/17国际商业机器公司许可US9472702B1具有纳米图案化基板的光伏电池有效2012/11/19得克萨斯大学体系董事会|企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人桑迪亚国家技术工程解决公司许可DE102012216026B4具有铁扩散阻挡层的柔性薄膜光伏电池的制造方法和具有铁扩散阻挡层的柔性薄膜光伏电池有效2012/9/11国际商业机器公司许可DE102012213687B4具有背板的硅太阳能电池的制造工艺有效2012/8/2国际商业机器公司许可DE102012204676B4具有Zn(S,O)缓冲层的黄铜矿薄膜太阳能电池及相关制造工艺有效2012/3/23赫姆霍茨中心柏林材料与能源有限公司许可KR101860919B1太阳能电池及其制造方法有效2011/12/16트리나솔라컴패니리미티드许可US8992803B2掺杂剂油墨组合物和由其制造太阳能电池的方法有效2011/9/30迈可晟太阳能有限公司许可US8895406B2用于制造可转移半导体结构、器件和器件组件的释放策略有效2011/3/24伊利诺伊大学评议会企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人许可US8790957B2背接触太阳能电池的制造方法及其器件有效2010/12/17迈可晟太阳能有限公司许可US8492253B2形成背接触太阳能电池的接触的方法有效2010/12/2迈可晟太阳能有限公司许可US8450134B2具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构有效2010/11/12迈可晟太阳能有限公司许可US10263186B2斜射角沉积法制备的体异质结有机光伏电池有效2010/7/27密歇根大学董事会许可US8334161B2具有隧道介电层的太阳能电池的制造方法有效2010/7/2迈可晟太阳能有限公司许可US8211731B2太阳能电池制造过程中薄膜堆叠的烧蚀有效2010/6/7迈可晟太阳能有限公司许可US7851698B2具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构有效2009/2/25迈可晟太阳能有限公司许可US7932123B2发布制造可转移半导体结构、器件和器件组件的策略有效2007/9/20伊利诺伊大学评议会信托KR101261509B1使用溅射的CIS薄膜太阳能电池的制造方法有效2011/10/7SUKWON企业活动关联情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人信托KR101234056B1CGS薄膜太阳能电池的沉积工艺有效2011/5/16SUKWON许可KR102227799B1cigs薄膜太阳能电池的制造方法有效2019/2/7에스엔피주식회사第三梯队：低风险表4-6（）注：属于同一族的潜在风险专利在同一单元格展示。潜在风险同族专利及其法律状态族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息公开（公告）号历史风险/企业活动标题（简体中文）当前申请(专利权)人EP1690291A2（审中）DE10344315B3许可用于去除含水电解质中黄铜矿半导体表面上的异相的电化学蚀刻方法包括在正电位区域中将电位分布施加到工作电极赫姆霍茨中心柏林材料与能源有限公司EP1949450B1（有效）；KR100877817B1（有效）CN101305472B海关备案|许可高效太阳能电池及其制备方法天合光能股份有限公司MX298481B（有效）；MX310404B（有效）US8048221B2许可用于制造用于光伏的单晶铸硅和单晶铸硅体的方法和设备美国能源部|AMG艾迪卡斯特太阳能公司AU2007248865B2（有效）；DE602007047708T2（有效）；DE602007058407T2（有效）；CN101438420B无效具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池迈可晟太阳能有限公司潜在风险同族专利及其法律状态族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息公开（公告）号历史风险/企业活动标题（简体中文）当前申请(专利权)人EP2016627B1（有效）；EP3104420B1（有效）；ES2591255T3（有效）；ES2729999T3（有效）；JP5213134B2（有效）；KR101314350B1（有效）；KR101466530B1（有效）；US7737357B2（有效）；US8815631B2（有效）；US9548409B2（有效）；US9608131B2（有效）CN101517700B（有效）；CN103956336B（有效）；DE602007057456T2（有效）；EP2064734B1（有效）；JP5319533B2（有效）；JP5805712B2（有效）；JP6238141B2（有效）；KR101430587B1（有效）；KR101588019B1（效）；KR101615255B1（有效）；MY149190A（有效）；SG150698B（有效）；TWI438827B（有效）US20110316120A1许可发布制造可转移半导体结构、器件和器件组件的策略伊利诺伊大学评议会CN102084501B（有效）；DE112009000883T5（审中）；IN332448B（有效）；JP5663469B2（有KR102015072B1异议基于晶圆的太阳能电池板的制造方法REC太阳能私人潜在风险同族专利及其法律状态族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息公开（公告）号历史风险/企业活动标题（简体中文）当前申请(专利权)人效）；KR101699253B1（有效）；US10147830B2（有效）；US8753957B2（有效）CN101919070B（有效）；US8445312B2（有效）DE602008010665T2异议通过硼和磷的共扩散制备晶体硅太阳能电池的方法荷兰能源建设基金中心MX286312B（有效）；MX302836B（有效）DE602008003218D1异议使用本地背面丝网印刷生产高质量的背面接触佐治亚科技研究公司AT684881T（有效）；ES2523441T3（有效）；HRP20141036T1（有效）；MY152398A（有效）；PT2220689E（有效）AU2008323025C1诉讼具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池韩华思路信(株)DE602009053429T2（有效）；EP2245671B1（有效）；EP3425682A1（审中）；EP4343861A2（审中）；EP4345921A2（审中）；JP5572895B2（有效）；JP5806360B2（有效）；JP6145144B2（有效）；KR101462709B1（有效）；US8222516B2诉讼具有成型发射极的前接触太阳能电池迈可晟太阳能有限公司潜在风险同族专利及其法律状态族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息公开（公告）号历史风险/企业活动标题（简体中文）当前申请(专利权)人US20230021009A1（审中）AU2009257973B2（有效）；AU2009257974B2（有效）；CN103325861B（有效）；DE602009032678T2（有效）；DE602009065210T2（有效）；EP2297788B1（有效）；EP2297789B1（有效）；EP3065184B1（有效）；EP4358155A2（审中）；JP5524194B2（有效）；JP5625167B2（有效）；JP5780565B2（有效）；JP5860101B2（有效）；JP6148319B2（有效）；KR101466753B1（有效）；KR101492683B1（有CN102057497B无效具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构迈可晟太阳能有限公司效）；MY177509A（有效）；MY187141A（有效）；PH12010502647B1（有效）；SG166517B（有效）；US10128395B2（有效）；US10714647B2（有效）；US11183607B2（有效）；US7812250B2（有效）；US8460963B2（有效）；US8673673B2（有效）；US8772894B2（有效）；US8975717B2（有效）；US9231145B2（有潜在风险同族专利及其法律状态族内发生过历史风险或与企业经营活动关联专利及其相关信息公开（公告）号历史风险/企业活动标题（简体中文）当前申请(专利权)人效）；US9437763B2（有效）；US9666735B2（有效）；US9929298B2（有效）EP2443669B1（有效）；ES2683911T3（有效）；IN390797B（有效）；IT201800023630T2（有效）；PT2443669T（有效）C