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文档简介
电力电子技术知到智慧树章节测试课后答案2024年秋湖州学院第一章单元测试
交流电直接变换为直流电的电力变换称为()。
A:整流B:变频C:斩波D:逆变
答案:整流进入21世纪后,基于()等新型半导体材料的电力电子器件逐渐开始应用。
A:碳化硅B:晶闸管C:晶体管D:氮化镓
答案:碳化硅;氮化镓电力电子技术是对电能进行()的技术
A:变频B:变换C:放大D:控制
答案:变换;控制电力电子技术可应用于航空航天和交通运输领域。()
A:错B:对
答案:对
第二章单元测试
在电力电子电路中,直接承担电能的变换和控制任务的电路模块为()。
A:主电路B:控制电路C:保护电路D:检测电路
答案:主电路IGBT器件为()电力电子器件。
A:电流控型B:半控型C:不可控型D:全控型
答案:全控型电力电子器件一般工作于()两个状态。
A:超导态B:通态C:断态D:高阻态
答案:通态;断态电力电子器件损耗通常有()损耗。
A:高阻B:开关C:断态D:通态
答案:开关;断态;通态电力电子器件只能用于处理高功率信号。()
A:对B:错
答案:错当电力二极管承受的反向电压过大时,二极管会被()。
A:反向击穿B:正向导通C:截止D:正向击穿
答案:反向击穿维持晶闸管导通的最小电流称为()。
A:保持电流B:维持电流C:导通电流D:擎住电流
答案:维持电流电力二极管的基本特性分为()。
A:机械特性B:功率特性C:静态特性D:动态特性
答案:静态特性;动态特性晶闸管由断态切换到通态的条件是()。
A:G端有控制信号B:AK引脚间承受正偏电压C:GK间有正向电压D:AK间承受反偏电压
答案:G端有控制信号;AK引脚间承受正偏电压晶闸管由断态切换到通态或由通态切换到断态需要一个时间过程,常用开通时间或关断时间来描述。()
A:对B:错
答案:对电力晶体管由通态切换到断态的条件是()。
A:基极B无驱动电流B:E有驱动电流C:CE间施加正偏电压D:基极B有驱动电流
答案:基极B无驱动电流电力MOSFET是一种()全控型器件。
A:电流驱动型B:电压驱动型C:功率驱动型D:逻辑驱动型
答案:电压驱动型IGBT是结合了()的优点。
A:MOSFETB:GTOC:GTRD:二极管
答案:MOSFET;GTRIGBT由断态切换到通达的条件是()
A:CE引脚间施加反偏电压B:GE引脚间施加正偏驱动电压C:CE引脚间施加正偏电压D:GC引脚间施加正偏驱动电压
答案:GE引脚间施加正偏驱动电压;CE引脚间施加正偏电压电力MOSFET的GS引脚间的驱动电压不宜施加太大,否则会被击穿。()
A:对B:错
答案:对静电感应晶闸管SITH可以看作是SIT与GTO复合而成又被称为()。
A:双向晶闸管B:声电晶闸管C:光电晶闸管D:场控晶闸管
答案:光电晶闸管集成门极换流晶闸管IGCT容量与普通GTO相当,但()比普通的GTO快10倍。
A:开关速度B:导通电阻C:导通电压D:导通电流
答案:开关速度宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0电子伏特左右及以上的半导体材料,典型的有()。
A:硅B:碳化硅(SiC)C:金刚石变频D:氮化镓(GaN)
答案:碳化硅(SiC);金刚石变频;氮化镓(GaN)功率集成电路的主要技术难点是高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。()
A:对B:错
答案:对
第三章单元测试
单相半波可控整流电路带电阻负载,其输出电压平均值计算公式为()。
A:B:C:D:
答案:单相桥式全控整流电路一个控制周期有()个触发信号。
A:4B:2C:1D:3
答案:2单相全波可控整流电路需要一个()变压器。
A:升压B:双向C:自耦D:带中心抽头
答案:带中心抽头单相桥式半控整流电路中每一个导电回路由()组成。
A:一个晶闸管B:一个电感C:一个二极管D:一个电阻
答案:一个晶闸管;一个二极管单相桥式全控整流电路触发角移相范围为180°()
A:对B:错
答案:对三相半波可控整流电路三个晶闸管按()极接法连接。
A:共阴B:共阳C:串联D:双向
答案:共阴三相半波可控整流电路当触发角度为()度时,负载电流处于连续和断续的临界状态。
A:30B:90C:60D:120
答案:30三相桥式全控整流电路带电阻负载时,当触发角小于60°时,其输出电压平均值计算公式为()。
A:B:C:D:
答案:三相桥式全控整流电路带电阻负载和带阻感负载时触发角移相范围为()。
A:120°B:60°C:90°D:30°
答案:120°;90°三相桥式全控整流电路各自然换相点既是相电压的交点,同时也是线电压的交点。()
A:对B:错
答案:对非正弦电压u(wt)分解为傅里叶级数后,频率与工频相同的分量称为()。
A:谐波B:噪声C:2次谐波D:基波
答案:基波单相桥式全控整流电路的电流仅含有()谐波。
A:2次B:奇次C:1次D:偶次
答案:奇次智能功率模块IPM,专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成,也称智能()。
A:IGBTB:MOSFETC:GTRD:GTO
答案:IGBT对于可控整流电路,既工作在整流状态又工作在逆变状态,称为()。
A:斩波B:整流C:逆变D:变流电路
答案:变流电路对于可控整流电路,满足一定条件就可工作于有源逆变,其电路形式未变,只是电路工作条件转变。()
A:错B:对
答案:对
第四章单元测试
全桥逆变电路为了使输出电压有零电压输出,采用()控制策略。
A:三相调压B:变频调压C:移相调压D:PWM调压
答案:移相调压三相电压型逆变电路常采用()导通控制策略,即180°导电方式,每桥臂导电180°,同一相上下两臂交替导电,各相开始导电的角度差120°。
A:两相B:三三C:两两D:三相
答案:三三三相电压型逆变电路输出的线电压有()个电压
A:4B:1C:3D:2
答案:3改变逆变电路两组开关切换频率,可改变输出交流电频率()
A:错B:对
答案:对电流型逆变电路一般是在逆变电路直流侧串联一个大()。
A:电阻B:电感C:电压源D:电容
答案:电感电流型逆变电路感应线圈参数随时间变化,必须使工作频率适应负载的变化而自动调整,这种控制方式称为()个触发信号。
A:他励方式B:自激方式C:自励方式D:复励方式
答案:自励方式串联二极管式晶闸管逆变电路是电流型三相桥式逆变电路,各桥臂的晶闸管和()串联变压器。
A:电阻B:电感C:电容D:二极管
答案:二极管三相电流型逆变电路换流阶段分为()两个阶段。
A:恒压放电B:二极管换流C:负载换流D:恒流放电
答案:二极管换流;恒流放电电流型逆变电路交流输出电流为矩形波,与负载阻抗角无关。输出电压波形和相位因负载不同而不同()
A:对B:错
答案:对电压型逆变电路输出电压是()波。
A:矩形B:三角C:梯形D:正弦
答案:矩形串联多重逆变电路把几个逆变电路的输出串联起来,多用于()逆变电路。
A:稳流型B:电流型C:电压型D:谐振型
答案:电压型两电平逆变电路的输出线电压有()种电平。
A:1B:2C:3D:4
答案:3三单元串联的逆变电路相电压可以产生()电平。
A:±UdB:0C:±2UdD:±3Ud
答案:±2Ud;±3Ud飞跨电容型逆变电路是一种多电平逆变电路()
A:错B:对
答案:对
第五章单元测试
根据直流侧电源性质的不同,逆变电路可分为电压型和()。
A:电感B:电容C:电流D:电阻
答案:电流安秒平衡是指在稳态条件下流过电容的电流在一个开关周期内的()为零。
A:积分B:和C:积D:微分
答案:积分降压斩波电路输出电压平均值计算公式为()。
A:B:C:D:
答案:升压斩波电路输出电压平均值计算公式为()
A:B:C:D:
答案:降压斩波电路电感电流连续工作模式中可分为2个时间段()
A:对B:错
答案:对Zeta斩波电路是一种()斩波电路。
A:降压B:放大C:升压D:升降压
答案:升降压升压斩波电路()不能太小,以免造成电路损坏。
A:tonB:PWMC:TD:toff
答案:toff多重斩波电路各斩波电路单元可互为备用,使得总体的可靠性()。
A:不变B:降低C:提高D:随机
答案:提高升降压斩波电路应用非常广泛,比如在电动汽车充电器中,升降压斩波电路可以精确控制电源输出电压和电流,并对电池充电过程中的电量、电压、电流等参数进行监控,并且可以根据这些参数进行调整实现快速充电、保护电池、延长电池寿命等功能()
A:错B:对
答案:对间接直流变流电路分为()电路。
A:四端B:单端C:双端D:三端
答案:单端;双端间接直流变流电路中增加了(),也称为直—交—直电路。
A:变频环节B:直流环节C:变相环节D:交流环节
答案:交流环节正激电路是由()斩波电路转化而成。
A:降压B:升压C:调压D:升降压
答案:降压()电路由于变压器的工作点也仅处于磁化曲线平面的第I象限,利用率低,而且开关元件承受的电流峰值较大,不适合用于较大功率的电源。
A:正激B:升压C:反激D:降压
答案:反激正激电路简单可靠,广泛用于功率为数百瓦~数千瓦的开关电源中。但变压器的工作点仅处于磁化曲线平面的第I象限,没有得到充分利用。()
A:对B:错
答案:对半桥电路S1与S2交替导通,使变压器一次侧形成幅值为()的交流电压。
A:2UiB:UiC:Ui/2D:Ui/4
答案:Ui/2全桥电路电流连续时,输入与输出电压关系式为()。
A:B:C:D:
答案:推挽电路电流连续时,输入与输出电压关系式为()。
A:B:C:D:
答案:半桥电路为了避免上下两开关在换流的过程中发生短暂的同时导通而造成短路损坏开关,每个开关各自的占空比不能超过(),并应留有裕量个电压
A:30%B:50%C:20%D:40%
答案:50%推挽电路的一个突出优点是在输入回路中仅有1个开关的通态压降,而半桥电路和全桥电路都有2个,因此在同样的条件下产生的通态损耗较小()
A:错B:对
答案:对
第六章单元测试
单相交流调压电路主要是通过两个晶闸管反()后串联在交流电路中,通过对晶闸管的控制就可控制交流电力。
A:级联B:串并联C:串联D:并联
答案:并联单相交流调压电路带阻感负载后,其触发角移相范围为()。
A:负载角到150°B:负载角到πC:0到πD:0到150°
答案:负载角到π3三相交流调压电路中的星形联结电路分为三相三线和()制。
A:二相三线B:三相二线C:三相五线D:三相四线
答案:三相四线交流-交流变流电路主要分为()
A:变频电路B:交流电力控制电路C:变相电路D:调压电路
答案:变频电路;交流电力控制电路三相交流调压电路与单相交流调压电路相比,没有3倍次谐波()
A:对B:错
答案:对()把晶闸管反并联后串入交流电路中,代替电路中的机械开关,起接通和断开电路的作用。
A:交流电力电子开关B:交流调压C:交流调功D:交流高频
答案:交流电力电子开关矩阵式变频器常采用全控型开关器件的直接变频电路,其控制方式为()控制。
A:斩波B:调压C:移相D:调相
答案:斩波单相交交变频器的电路接线方式主要有公共交流母线进线方式和()联结方式。
A:输入星形B:输出三角形C:输入三角形D:输出星形
答案:输出星形单相交交变频器是由()组反并联的晶闸管变流电路构成。
A:ZB:NC:PD:M
答案:N;P单相交交变频器输出电压的谐波频谱既和电网频率fi以及变流电路的脉波数有关,也和输出频率fo有关。()
A:错B:对
答案:对
第七章单元测试
脉宽调制技术英文缩写为()。
A:SVPWMB:SSPWMC:PWMD:SPWM
答案:PWM换正弦规律变化的PWM波称为()波。
A:SPWMB:SVPWMC:SDPWMD:sina
答案:SPWM调制法是在调制电路中设置信号波ur及载波uc,在ur和uc的()时刻控制IGBT的通断变压器。
A:上方B:极点C:下方D:交点
答案:交点PWM调制方式根据载波比可分为()两类。
A:反向B:正向C:异步D:同步
答案:异步;同步SPWM波中谐波主要是角频率为wc、2wc及其附近的谐波,很容易滤除。()
A:错B:对
答案:对空间矢量脉宽调制英文缩写为()。
A:SDPWMB:SVPWMC:PWMD:SPWM
答案:SVPWM在SVPWM控制中三相桥式电压型逆变器输出()
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