电子技术及实训模拟练习题+参考答案

电子技术及实训模拟练习题+参考答案一、单选题（共51题，每题1分，共51分）1.在晶体管放大电路中，电流放大倍数β值(____)。A、越大越好；B、在20～100之间C、越小越好；D、在10～20之间；正确答案：B2.正、反向电阻为零，说明二极管（）。A、断开；B、正常；C、需结合实际电路判断D、短路；正确答案：D3.在本征半导体中掺入适量的(____)价元素，可以形成P型半导体。A、3；B、6C、5；D、4；正确答案：A4.在本征半导体中掺入适量的(____)价元素，可以形成P型半导体。A、3；B、2；C、4；D、5正确答案：A5.只要是共射放大电路，输出电压的顶部失真都是（）失真。A、不完全B、饱和；C、截止；D、放大；正确答案：B6.在本征半导体中掺入适量的(____)价元素，可以形成N型半导体。A、3；B、5；C、6D、4；正确答案：B7.在微分运算放大器中，采用的反馈方式是(____)负反馈。A、并联电压；B、并联电流C、串联电压；D、串联电流；正确答案：A8.共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。A、同相位；B、相位差180度；C、相位差90度；D、不能确定正确答案：B9.射极跟随器当输入电压不变，放大电路带上负载与不带负载时相比，增益的值(____)。A、无法确定B、增大；C、不变；D、减小；正确答案：C10.二极管的导通电压是(____)。A、硅管0.7V，锗管0.3V；B、硅管0.5V，锗管0.1V；C、硅管7V，锗管3V；D、硅管3V，锗管7V正确答案：A11.多级放大电路最后一级的作用是（）A、提高放大倍数；B、提高共模抑制比；C、提高输入电阻；D、提高输出电阻正确答案：D12.共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。A、相位相反；B、不能确定C、0度；D、相位差90度；正确答案：A13.多极直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是(____)。A、输出级；B、增益最高的一级C、中间极；D、输入级；正确答案：D14.单相半波整流电路中，二极管中的电流与输出电流I0的关系为(____)。A、1/2倍B、1/3倍；C、相等；D、1/6倍；正确答案：C15.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。A、不易制作大容量电容；B、Ｑ点稳定；C、能放大直流电；D、性能优秀正确答案：A16.二极管的正向电阻越小，反向电阻越大说明其质量越(____)。A、好；B、差；C、一般D、无法确定；正确答案：A17.单相桥式整流电路中，二极管导通的时间是(____)周期。A、1/5B、1/3；C、1/2；D、1/4；正确答案：C18.射极输出器经常作为多级放大电路的（）。A、输入级；B、输出级C、中间级；D、偏置电路；正确答案：B19.共集电极放大器的输出电压和输入电压的大小关系是(____)。A、略小于1倍B、略大于1倍C、在10～20倍之间；D、在20～100倍之间正确答案：A20.工作在放大区的某三极管，基极电流从10微安增大到20微安时，集电极电流从1毫安变为1.5毫安，其电流放大系数β约为(____)。A、10；B、25C、100；D、50；正确答案：D21.已知降压变压器次级绕组电压为12V，负载两端的输出电压为10.8V，则这是一个单相()电路A、稳压B、桥式整流电容滤波C、桥式整流D、半波整流正确答案：C22.影响放大器静态工作点稳定的最主要因素是(____)。A、温度的影响；B、管子参数的变化；C、电阻变值；D、管子老化正确答案：A23.现将两个单管放大电路空载时的放大倍数都是100，将它们连成两极放大电路，其电压放大倍数为（）。A、10000；B、1000C、100；D、200；正确答案：A24.为调整放大器的静止工作点，使之上移，应该使RB电阻值(____)。A、减小；B、增大；C、不变；D、不确定正确答案：A25.锗三极管的截止电压UBE为(____)。A、0.2V；B、0.3V；C、0.5V；D、0.7V正确答案：A26.下面对于共集电极放大器的输出电压和输入电压的大小关系描述准确的是(____)。A、略小于1倍B、越大越好；C、越小越好D、略大于1倍正确答案：A27.集成运放中间级的作用是（）A、提高放大倍数；B、提高输入电阻；C、提高共模抑制比；D、提高输出电阻正确答案：A28.单相桥式整流中，负载RL承受的是整流变压器二次绕组的(____)。A、四分之一的电压；B、一半的电压；C、四分之三的电压；D、全部电压正确答案：D29.在同相比例运算放大器中，采用的反馈方式是(____)负反馈。A、并联电压；B、串联电压；C、串联电流；D、并联电流正确答案：B30.三极管可看成下列哪种电源：(____)。A、受电流控制的电压源；B、受电压控制的电流源；C、受电流控制的电流源D、受电压控制的电压源；正确答案：C31.放大电路的静态工作点过低容易产生(____)失真。A、截止；B、放大；C、缩小D、饱和；正确答案：A32.单相工频全波整流电路中，每个二极管导通的时间是(____)。A、2SB、0.02S；C、1S；D、0.01S；正确答案：D33.共发射极放大电路的输出电压与输入电压的相位关系是(____)。A、超前90度；B、反相；C、滞后90度D、同相；正确答案：B34.数字信号与模拟信号，下面正确的是：(____)。A、交流信号即为模拟信号；B、交流信号随时间不变C、直流信号即为数字信号；D、数字信号随时间突变；正确答案：D35.单相工频全波整流电路中，每个二极管导通的时间是(____)。A、0.01S；B、0.02SC、0.2S；D、0.1S；正确答案：A36.多极直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是(____)。A、增益最高的一级B、输入级；C、输出级；D、中间极；正确答案：B37.直流稳压电源中实现实质性改变的电路是（）A、滤波电路B、变压器降压；C、整流电路；D、稳压电路；正确答案：C38.在本征半导体中掺入适量的(____)价元素，可以形成N型半导体。A、5B、2；C、4；D、3；正确答案：A39.在单相全波整流电路中，整流二极管承受的最大反向电压等于变压器二次电压U2（有效值）的(____)倍。A、1；B、1.414；C、2.828；D、2正确答案：C40.当温度升高时，放大电路的静态工作点随之(____)。A、升高；B、降低；C、不变D、无法确定；正确答案：A41.单相全波整流电路中，用了几个二极管？A、1；B、4C、3；D、2；正确答案：D42.单相工频半波整流电路中，二极管导通的时间是(____)。A、0.01S；B、2SC、0.02S；D、1S；正确答案：A43.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为()A、正向电阻大，反向电阻小；B、反向电阻比正向电阻大很多倍；C、正、反向电阻相等；D、正、反向电阻都等于无穷大正确答案：B44.共集电极放大器的输出电压和输入电压的大小关系是(____)。A、略大于1倍B、略小于1倍C、越大越好；D、越小越好正确答案：B45.测得工作在放大电路中三极管的电位值V1=3.5V，V2=2.8V，V3=12V。判断管子的材料(____)。A、锂管B、钠管；C、硅管；D、锗管；正确答案：C46.单相桥式整流电路中，每个二极管导通的时间是(____)周期。A、1/2B、1/4；C、1/6；D、1/3；正确答案：A47.当PN结外加正向电压时，N区接电源()极A、负B、正C、零点D、公共正确答案：A48.将整流电容滤波电路的滤波电容值减小，输出电压平均值(____)。A、无法确定B、减小；C、不变；D、增大；正确答案：B49.单相桥式全波整流电路输出的平均电压值为(____)。A、1.2U2；B、0.45U2；C、0.9U2D、0.5U2正确答案：C50.温度对三极管参数有很大的影响，温度上升，则(____)。A、不影响放大倍数；B、放大倍数β增大；C、不能确定D、放大倍数β下降；正确答案：B51.单相桥式整流中，每个二极管导通的时间是(____)周期。A、1/4；B、1/6；C、1/3D、1/2；正确答案：D二、多选题（共31题，每题1分，共31分）1.三极管的放大条件：(____)。A、集电结反偏；B、集电结正偏；C、发射结正偏；D、发射结反偏正确答案：AC2.下面哪些是稳压电路的参数指标？A、纹波抑制比B、负载调整率；C、输出电阻；D、稳压系数；正确答案：ABCD3.万用表有时也被称为三用表——主要测量(____)。A、电阻B、电容；C、电压；D、电流；正确答案：ACD4.最简单的集成稳压电源有(____)，故称之为三端集成稳压器。A、输出端；B、任意端C、公共引出端；D、输入端；正确答案：ACD5.三极管的工作状态包括(____)。A、放大区；B、截止区；C、稳定区D、饱和区；正确答案：ABD6.光电二极管的应用：(____)。A、光电耦合器；B、整流C、光电传感器；D、测光；正确答案：ACD7.半导体具有(____)特性。A、单向导电B、掺杂；C、热敏；D、光敏；正确答案：BCD8.对放大电路进行动态分析的主要任务是(____)。A、确定静态工作点Q；B、确定电压放大倍数Au；C、确定输入电阻；D、确定输出电阻正确答案：BCD9.晶体三极管的三个区分别是(____)。A、发射区；B、过压区C、集电区；D、基区；正确答案：ACD10.N型半导体——(____)。A、电子为多子；B、电子为少子；C、空穴为多子；D、空穴为少子。正确答案：AD11.二极管按结构工艺分类，常用的有（）A、锗二极管；B、面接触型C、点接触型；D、稳压二极管；正确答案：BC12.三极管的三个电极分别叫(____)。A、基极；B、集电极C、输出极；D、发射极；正确答案：ABD13.下面哪些是三极管的参数指标？A、电流放大系数；B、ICBO；C、ICEO；D、集电极最大允许电流ICM正确答案：ABCD14.下列属于集成运行放大器特点的是(____)。A、可靠性高；B、成本低，体积小；C、输出电阻小；D、增益高，输入电阻大；正确答案：ABCD15.本征半导体的特性包括：(____)。A、常温下基本不导电；B、载流子少；C、热敏性D、光敏性；正确答案：ABCD16.杂质半导体包括：(____)。A、M型半导体；B、N型半导体；C、P型半导体；D、A型半导体正确答案：BC17.三极管的工作状态包括(____)。A、缩小区；B、放大区C、截止区；D、饱和区；正确答案：BCD18.P型半导体——(____)。A、自由电子为少子；B、自由电子为多子；C、空穴为多子；D、空穴为少子。正确答案：AC19.P型半导体——(____)。A、空穴为多子；B、电子为多子；C、空穴为少子。D、电子为少子；正确答案：AD20.分析运放的两个依据是（）。A、U-≈U+；B、I-≈I+≈0；C、U0=Ui；D、Au=1正确答案：AB21.三极管分类，按材料分(____)。A、硅管；B、锂管；C、锗管D、钠管；正确答案：AC22.杂质半导体包括：(____)。A、N型半导体；B、M型半导体；C、P型半导体；D、A型半导体正确答案：AC23.三极管分类，按结构分(____)。A、MPM；B、PMPC、PNP；D、NPN；正确答案：CD24.实验当中测得二极管正、反向电阻均为零，说明内部为(____)。A、短路；B、短接；C、断路D、开路；正确答案：AB25.以下哪些不属于反馈(____)。A、串联反馈；B、电容反馈；C、电阻反馈；D、正反馈；正确答案：BC26.三极管在饱和区有什么条件？A、集电结正偏；B、集电结反偏；C、发射结正偏；D、发射结反偏正确答案：AC27.三极管的电流放大系数β表明(____)极电流对(____)极电流的控制能力。A、基；B、集电C、发射；D、阳；正确答案：AB28.下列（___）属于场效应三极管。A、MOSFET；B、JFET；C、SFET；D、MOCSET；正确答案：AB29.函数信号发生器主要产生(____)。A、正弦波；B、锯齿波C、矩形波；D、三角波；正确答案：ABCD30.反相比例放大电路的特点有(____）。A、虚地；B、输出电压是运放的饱和电压C、放大倍数大于1；D、反相放大；正确答案：AD31.三端集成稳压器有哪几个典型电压等级(____)。A、15VB、9V；C、6V；D、5V；正确答案：ABCD三、判断题（共25题，每题1分，共25分）1.二极管的正向电阻大，就说明其质量好。A、正确B、错误正确答案：B2.杂质半导体的多数载流子数量取决于掺杂浓度。A、正确B、错误正确答案：A3.三极管的放大系数可以通过工艺浓度的配比做成无穷大。A、正确B、错误正确答案：B4.直流稳压电源包括：滤波电路、稳压电路、调压电路、整流电路四部分。A、正确B、错误正确答案：A5.杂质半导体的少数载流子数量取决于温度。A、正确B、错误正确答案：B6.三极管的放大条件（NPN型）：VC>VB>VE。A、正确B、错误正确答案：A7.三极管的饱和条件：发射结正偏、集电结反偏。A、正确B、错误正确答案：B8.三极管的饱和条件：发射结反偏、集电结正偏。A、正确B、错误正确答案：B9.三极管发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。A、正确B、错误正确答案：A10.硅二极管与锗二极管的热稳定性一样。A、正确B、错误正确答案：B11.三极管的截止条件：发