电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。a20vＲ＝１ＫΩＶＤ10vba20vＲ＝１ＫΩＶＤ10vb10vＲ＝１ＫΩＶＤ20v3.在电路中测出某硅材料NPN三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__ICBO___。5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_uds＞UGS（OFF）__，它的截止条件为__uGs≤UGS（OFF）__。6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻RL=8Ω，则理想情况最大输出功率为_14.06_W，理想效率为78.5%_。7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF=0_。11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。12.半导体PN结具有单相导电性特性。13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，锗二极管的开启电压约为0.1V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。17.设某开环放大电路中，在输入信号电压为1mv时，输出电压为1v；当引入负反馈后达到同样的输出电压时，需加输入信号为10mv。由此可知所加的反馈深度为10，反馈系数为0.009。18.直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四部分组成。19、BJT属于电流控制电流型器件，对应的FET是属于电压控制电流型器件。20、在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的__差__；共模输入信号等于两个输入信号的_算术平均值。选择1.半导体中的少数载流子产生的原因是[C]A.外电场B.内电场C.热激发D.掺杂2．PN结加正向电压时，耗尽层[B]A．变宽B．变窄C.不变D．以上三种情况均有可能3．温度升高后，二极管的反向电流将[B]A．减小B．增大C.不变D．锗二极管减小，硅二极管增加4.某晶体管iB从20μA变到40μA时，对应iC从1.55mA变到3.05mA,则该管的β[A].A.β=75B.β=50C.β=100D.β5.晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于[D]

A.发射结反编、集电结反偏B.发射结正偏、集电结正偏C.发射结反偏、集电结正偏D.发射结正偏、集电结反偏6．在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz、5mV的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真时[B]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真7.场效应管本质上是一个[B]

A.电流控制电流源器件B.电压控制电流源器件

C.电流控制电压源器件D.电压控制电压源器件8.以下属于电压跟随器的电路有[B]A．共射极电路B．共集电极电路C．共基极电路D.共栅极电路9.放大电路在小信号运用时动态特性如放大倍数、输入电阻、输出电阻等应采用的方法[C]A.图解法B.瞬时极性法C.微变等效电路法D.估算法10.功率放大电路通常采用的分析方法是[A]A.利用三极管特性进行图解分析B.采用h参数等效电路C.采用简化的h参数等效电路D.采用π型等效电路11．理想集成运放两个输入端之间的电压非常接近简称。[C]A．虚地B．虚断C．虚短D．短路12.所谓放大器工作在闭环状态是指[B]

A.考虑信号源内阻B.有反馈通路C.接入负载D.信号源短路13.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为[B]A.18VB.24VC.9VD.28.2V14.产生正弦波振荡的条件是[C]

A.B.C.D.15.具有放大环节的串联型稳压电路中，比较放大电路所放大的量是[D]

A.经整流滤波后提供的直流电压B.稳压电路中的基准电压C.稳压电路中的输出采样电压D.采样电压与基准电压的差值16、杂质半导体中少数载流子浓度（D）A、与掺杂浓度和温度无关B、只与掺杂浓度有关C、只与温度有关D、与掺杂浓度和温度有关17、温度升高后，二极管的反向电流将（A）A、增大B、减小C、不变D、锗二极管减小，硅二极管增加18、工作在放大状态下的理想运放电路，运放两个输入端的电流vP=vN称此为（A）A、虚短B、虚断C、虚连D、虚地19、场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（B）A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压D、栅漏电压+Vcc-VccviT1+Vcc-VccviT1T2voRLA、T1为PNP;T2为PNPB、T1为NPN;T2为NPNC、T1为PNP;T2为NPND、T1为NPN;T2为PNP21、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（C）。

A、增加一倍B、为双端输入时的1/2C、不变D、不确定22、RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（D）。A、基本共射放大电路B、基本共集放大电路C、反相比例运算电路D、同相比例运算电路23、工作在放大状态下的理想运放电路，运放两个输入端的电流IP=IN≈0称此为（B）A、虚短B、虚断C、虚连D、虚地24．典型差动放大电路的公共射极电阻Re，对（B）抑制作用A、差模信号有B、共模信号有C、差模与共模信号均有D、差模与共模信号均没有O25、发光二极管发光时，其工作在(A)。OA、正向导通区B、反向截止区C、反向击穿区26、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是(C)。A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、效率高D、无交越失真27．具有放大环节的串联型稳压电路中，比较放大电路所放大的量是（D）A.经整流滤波后提供的直流电压B.稳压电路中的基准电压C.稳压电路中的输出采样电压D.采样电压与基准电压的差值28.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的[D]A.电子B.空穴C.三价硼元素D、五价磷元素29．温度升高后，二极管的反向电流将[A]A．增大B．减小C.不变D．锗二极管减小，硅二极管增加30．稳压管又称为_______二极管。[B]A.变容B.齐纳C.发光D.光电31.增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时[B]A.能够形成导电沟道B.不能形成导电沟道C.漏极电流不为零D.漏极电压为零32．带负载能力强的放大器一定是：[B]A．输出电阻高B．输出电阻低C.放大倍数大D．输出电阻和负载匹配33.有两个放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大电路Ａ和Ｂ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得Ａ的输出电压小，这说明Ａ的[B]A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小34．哪一类功率放大电路在一个周期内只有半个周期iC>0？[B]A．甲类Ｂ．乙类Ｃ．甲乙类D.丙类35.若要实现U0=-（10U1+5U2+U3）的运算关系，则可选用[C]A.反相比例运算电路B.同相比例运算电路C.反相求和运算电路D.同相求和运算电路36．关于反馈对放大电路输入电阻Ri的影响，哪个是正确的？[D]负反馈增大Ri,正反馈减小Ri串联反馈增大Ri，并联反馈减小Ri并联负反馈增大Ri，串联正反馈减小Ri串连负反馈增大Ri，并联负反馈减小Ri37.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为10V，此时，输出的电压约为[B]A.9VB.12VC.4.5VD.14.1V电路如图所示，已知Vs1=0.6V，Vs2=0.8V，R1=50kΩ，Rf1=100kΩ，R2=100kΩ，R3=33kΩ，Rf2=50kΩ，假设运放是理想的，试计算电路的输出电压Vo.VVoVs1Vs2Vo1R2R1Rf1Rf2R3++--某反馈放大电路的方框图如下，已知其开环电压放大倍数AU=2000，反馈系数。若输出电压VO=2V，求输入电压Vi、反馈电压Vf及净输入电压Vid的值。VVidViVoVfAUF单相桥式整流电容、滤波电路，电源变压器二次电压有效值V2=20V，RL=1KΏ，试求二极管的平均电流ID，最大反向电压VRM及负载电阻RL上的直流电压VL。如果有一个二极管极性接反。将出现什么现象。1.二极管电路如图1所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求输出端电压UAO。6V6VAO12V3k15VD2DD13kAO（a）（b）图112V15V导通-6VD2导通D1截止0V放大电路如图所示，已知：VCC=24V，RB1=33kΩ，RB2=10kΩ，RC=3.3kΩ,RL=5.1kΩ，RE=1.5kΩ,BJT的β=66，电路中电容容量足够大，并设RS=0。求：1．估算静态值IBQ，ICQ和VCEQ（设UBEQ=0.6V）2．画出放大电路的H参数小信号等效电路；3．求电压放大倍数Au，信号源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro。vvsRB1C2+RB2RS+VCC+ReCeRLTC1_+_RC《模拟电子技术》模拟试题一填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了（）而设置的。A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。A、1B、2C8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是（）、（）。A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=1试题一答案一、填空（每空1分共40分）1、导通截止单向2、反向少数温度无关3、零无穷大4、电流电压5、正偏反偏6、增加减小7、共射极共集电极共基极8、直流电流9、A/1+AF1/F10、1+AFfH–fL1+AF11、共模差模12、交越甲乙13、双单14、小于近似等于1大小15、零点温度集成16、调幅载波信号二、选择题（每空2分共30分）1、BCF2、CD3、BCE4、BE5、C6、A7、B8、A9、AB《模拟电子技术》模拟试题二一、填空题（每空1分共32分）1、P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。2、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。3、反向电流是由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。5、当温度升高时，三极管的集电极电流I（），发射结压降UBE（）。6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（），集电结（）。7、三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（）负反馈，为了减小输出电阻采用（）负反馈。9、负反馈放大电路电压放大倍数Af=（），对于深度负反馈Af=（）。10、共模信号是大小（），极性（）的两个信号。11、乙类互补功放存在（）失真，可以利用（）类互补功放来克服。14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（）网络。15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）。二、选择题（每空2分共30分）1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（）。A、12VB、5VC、9V2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（PNP）E、（NPN）3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。A、饱和B、截止C、交越D、频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。A、0~20B、20~200C、200~10007、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）UzA、0.45B、0.9C、1.28、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（）（）。A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=19、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。A、U0高，B、P0大C、效率高D、Ri大E、波形不失真10、振荡器的输出信号最初由（）而来的。A、基本放大器B、选频网络C、干扰或噪声信号试题二答案一、填空（每空1分共32分）1、多数少数2、导通截止单向3、少数温度无关4、电流电压5、增加减小6、正偏反偏7、共射极共集电极共基极8、直流电压9、A/1+AF1/F10、相等相同11、交越甲乙12、调频调制高频载波13、好1+β14、正反馈15、√2U2二、选择题（每空2分共30分）1、A2、CE3、BA4、C5、A6、B7、C8、AB9、BCE10、C《模拟电子技术》模拟试题三一、填空题（每空1分，共32分）1、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。5、晶体三极管的集电极电流Ic=()所以它是（）控制元件。6、当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（）所以Ic也（)。7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。9、反馈导数F=（）。反馈深度是（）。10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。二、选择题（每空2分，共34分）1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）A5vB9vC12v3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。A饱和 B截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。A稳定AuB放大信号C抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有（）（）（）AUo高B Po大C效率高DRi大E波形不失真7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=()U2。A0.45B0.9C1.28、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。AU-=U+BI-=I+=0CUo=UiDAu=19、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。AUo高B Po大C效率高DRi大E波形不失真10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。A基本放大器B选频网络C干扰或噪声信号试题三答案一、填空（每空1分共32分）1、多数少数2、正偏反偏3、少数温度无关4、反向正向5、β电流6、增加也增加7、直流电压串联8、扩展减少9、Xf/Xo1+AF10、共模差模11、双单12、调相调制载波13、下降好14、AF=1正15、√2U2二、选择题（每空2分共34分）1、A2、CD3、BA4、C5、BCE6、B7、C8、AB9、BCE10、C《模拟电子技术》模拟试题四一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。5、场效应管的漏极电流ID=(),所以它是（）控制文件。6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。7、为了提