半导体器件物理知到智慧树章节测试课后答案2024年秋无

半导体器件物理知到智慧树章节测试课后答案2024年秋无第一章单元测试

对于离子注入或在轻掺杂的原始晶片上进行浅结扩散的情况，突变结是一个可接受的近似。（）

A:对B:错

答案:对理想PN结的内建电势小于禁带宽度的电压值。（）

A:对B:错

答案:对线性缓变结的耗尽层宽度正比于（）

A:B:C:其中，为轻掺杂一侧的杂质浓度D:

答案:下面哪个图代表线性缓变PN结热平衡的电场分布：（）

A:B:C:D:

答案:PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压的增加而升高。（）

A:错B:对

答案:错在反向偏置下，靠近PN结耗尽区边界的准中性区内载流子会发生什么过程？（）

A:产生和扩散B:产生和漂移C:扩散和复合D:漂移和扩散

答案:产生和扩散下面那个图正确表示了PN结正偏的少子浓度分布图：（）

A:B:C:

答案:在推导理想二极管方程中，下面哪一个假定没有使用？（）

A:不存在“其他”过程，也就是说没有光子产生，也没有雪崩和隧穿发生，等等。B:窄基区二极管，即n和p的准中性宽度远小于各自的少数载流子扩散长度。C:小注入水平D:在耗尽区中没有复合-产生

答案:窄基区二极管，即n和p的准中性宽度远小于各自的少数载流子扩散长度。在理想pn结中，正偏稳态扩散时，单位时间、单位体积内扩散和漂移积累的少子数量等于复合损失的少子的数量。（）

A:错B:对

答案:错正偏稳态理想pn结中，载流子的连续性方程为。（>0，>0）（）

A:对B:错

答案:错PN结正偏时，扩散区中非平衡少子浓度随扩散距离的增大而指数增大，逐渐趋向热平衡值。（）

A:对B:错

答案:错以下哪个选项是理想二极管电压-电流公式中的与外加偏压无关的参数J0：（）

A:B:C:D:

答案:反偏PN结空间电荷区。（）

A:对B:错

答案:错以下哪个不属于PN结伏安特性非理想效应（）

A:载流子大注入（正偏）B:耗尽区扩散电流（正偏）C:耗尽区产生电流（反偏）D:结击穿（反偏）

答案:耗尽区扩散电流（正偏）下面哪一种说法是不正确的？（）

A:如果要在PN结二极管中发生齐纳过程，要求耗尽区宽度必须非常窄（<10-6cm）B:在保持于室温下的硅二极管中，如果，那么齐纳是造成击穿的主要原因。C:雪崩击穿电压近似地随p+-n和n+-p结中轻掺杂一侧的掺杂浓度成反比变化。D:PN结雪崩和齐纳击穿都是可恢复的过程

答案:在保持于室温下的硅二极管中，如果，那么齐纳是造成击穿的主要原因。PN结在较低正偏压下，随正向电压的增加，扩散电流变的越来越不占主导。（）

A:对B:错

答案:错相同正偏压下，相同掺杂浓度分布的硅PN结比锗PN结空间电荷区复合电（）流大。

A:错B:对

答案:对下图表示了PN结正偏电流随正向偏压的变化曲线，c区域中：（）

A:B:C:D:

答案:PN结的势垒电容随反偏电压的增大而增大。（）

A:对B:错

答案:错下面关于PN结的势垒电容和扩散电容的说法哪个是正确的？（）

A:这两个电容都是因为势垒区中的电荷随外偏压变化而引起的B:势垒电容只存在于反偏压下，扩散电容只存在于正偏压下C:这两个电容的正负电荷在空间上都是重叠的；D:减少PN结结面积可以减少这两个电容

答案:减少PN结结面积可以减少这两个电容关于PN结的扩散电容的描述，以下哪一个是不正确的（）

A:扩散电容在高频电路中特别重要，而在低频时扩散电容很小。B:减少少子寿命可以减小扩散电容C:正向偏压越大，扩散电容越大D:工作电流越大，扩散电容越大

答案:扩散电容在高频电路中特别重要，而在低频时扩散电容很小。PN结小信号模型中的准静态是指信号变化速率低于器件内载流子弛豫到稳态的速率，即器件内部的载流子分布的变化跟得上信号的变化。（）

A:对B:错

答案:对PN结由正偏突变成反偏时，电流与电压存在延迟现象，这是因为正偏稳态存储的电荷不能立刻消失。（）

A:对B:错

答案:对PN结由正偏突变成反偏时，立刻出现少子抽取。（）

A:错B:对

答案:错下图给出了硅PN结关断过程的电流随时间的变化曲线，判断下面说法正确的是：（）

A:若I1提高两倍，则相应的增大两倍B:总的关断时间为C:减小I2或掺金有助于提高关断速度D:为存储时间，即空间电荷区边缘少子浓度达到热平衡值所经历的时间

答案:为存储时间，即空间电荷区边缘少子浓度达到热平衡值所经历的时间

第二章单元测试

晶体管是一种无源器件。（）

A:对B:错

答案:错双极型晶体管是通过调控结势垒高度来控制电流大小，场效应晶体管是通过调节导电沟道的电导来控制电流。（）

A:对B:错

答案:对关于理想MOS结构的描述，下面不正确的是（）

A:金属与半导体之间存在一个电势差B:氧化层不导电，也不荷电C:金属栅足够厚，在交流和直流偏置条件下可以看作为一个等电势区D:半导体足够厚，不管加什么栅电压，在达到背接触之前总有一个零电场区域(即所谓硅体区)

答案:金属与半导体之间存在一个电势差理想n型MOS电容的不同静态偏置下的能带图如下所示，其中对应载流子反型程度最强的是（），表示所施加的栅极的电压（）

A:B:C:D:

答案:下面关于MOS电容表面势与费米势的说法错误的是：（）

A:是半导体发生反型的临界条件B:的大小与掺杂浓度有关C:表面势是体内与表面之间的势垒高度D:费米势的符号可以反映掺杂类型，如果半导体为P型，则；如果为n型，则

答案:费米势的符号可以反映掺杂类型，如果半导体为P型，则；如果为n型，则半导体的电子亲和势是真空能级与半导体表面的导带能级Ec之差。（）

A:错B:对

答案:对在测量MOS电容低频C-V特性时采用“准静态技术”。（）

A:对B:错

答案:对下图是p型衬底的MOS电容随栅压的变化关系图，下列说法不正确的是：（）

A:当信号频率比较高，耗尽层中电子—空穴对的产生和复合跟不上信号的变化，反型层中的电子电荷Qn来不及改变，在高频情况下C维持极小值，如DG段所示B:CD段处于耗尽区C:AB段总电容由绝缘层电容决定（类同于平行电容器）D:EF段发生在高频强反型区

答案:EF段发生在高频强反型区下图中表示氧化层正的陷阱电荷引起的N型MOS电容C-V曲线平移的是（）

A:B:C:D:

答案:“场效应”是指载流子被平行于半导体表面的电场加速的现象。（）

A:错B:对

答案:错下列对MOSFET阈值电压衬底偏置效应（反向偏置）描述正确的是：（）

A:衬偏效应会导致阈值电压增大B:衬偏效应会导致阈值电压减小C:对于nMOS，为了保证不发生衬偏效应，需要保证源到衬底的PN结必须为零或反偏D:对于pMOS，为了保证不发生衬偏效应，需要保证源到衬底PN结必须为零或反偏

答案:对于nMOS，为了保证不发生衬偏效应，需要保证源到衬底的PN结必须为零或反偏下面关于影响MOSFET阈值电压大小的因素不包括：（）

A:功函数差B:氧化层厚度C:界面固定电荷D:所施加的栅电压大小

答案:所施加的栅电压大小理想MOSFET采用的缓变沟道近似是指沿垂直于沟道方向电场变化很小。（）

A:对B:错

答案:错MOSFET的亚阈值电流正比于表面势的指数.（）

A:错B:对

答案:对下列减小MOSFET亚阈值摆幅的途径不包括（）

A:减小氧化层电容COXB:器件工作温度不能过高C:减小界面充放电电荷密度NssD:减小势垒电容Cd

答案:减小氧化层电容COXMOSFET中会有哪些寄生电容（）

A:栅极沟道和衬底之间也存在栅衬电容，表示为CGBB:都是C:源极、漏极和衬底之间的寄生PN结电容，分别写成CGS和CGDD:栅极和源之间的交叠部分有交叠MOS电容，分别写成CGSO和CGDOE:栅极和源之间不交叠的部分则存在分布电容，分别写成CGS和CGD

答案:都是下列对于MOSFET的栅源、栅漏之间的分布电容描述不正确的是：（）

A:栅源分布电容CGS等于栅氧化层存储电荷QG随栅源电压VGS的变化率，栅漏分布电容CGD的定义同理B:当器件进入饱和区，栅源之间的分布电容CGS等于总氧化层电容CG的二分之三C:当器件进入饱和区，漏端附近的沟道夹断，反型层消失，栅极电荷将不随漏极电压变化而变化，此时栅漏之间的分布电容CGD为零D:考虑到线性区中漏极电压很小，栅源电压与栅漏电压近似相等，栅源、栅漏分布电容均等于

答案:当器件进入饱和区，栅源之间的分布电容CGS等于总氧化层电容CG的二分之三实际MOSFET高频等效电路相比理想MOSFET高频等效电容多考虑了哪些因素？（）

A:都是B:源极与衬底、漏极与衬底之间存在寄生PN结DS和DD以及相应的结电容Cjs和CjdC:在实际电路连接中，源极和漏极与外部端口之间存在一定的体电阻Rs和RdD:栅源和栅漏交叠电容CGSO和CGDO

答案:都是MOSFET器件截止频率fT，定义为跨导衰减到低频跨导gm的的时（也就是功率跨导减小到低频时的2分之1时）。（）

A:错B:对

答案:错MOSFET器件的跨导截止频率和器件截止频率均越高越好。（）

A:错B:对

答案:对提升MOSFET截止频率的方法错误的是（）

A:减小半导体表面态和界面态，削弱载流子在表面或界面上的散射B:选用高迁移率材料，例如NMOS、应变硅、高迁移率化合物半导体C:增大沟道长度，减少短沟道效应D:让器件工作在饱和区，让栅漏之间断路，避免栅漏分布电容的影响

答案:增大沟道长度，减少短沟道效应

第三章单元测试

双极晶体管的“双极”代表两种载流子共同参与导电。（）

A:错B:对

答案:对下面选项是同一类双极晶体管的是：（）

A:化合物晶体管、平面管、低噪声管B:点接触型晶体管、面接触型晶体管C:高频管、微波管、台面管、开关管D:合金管、合金扩散管、Si晶体管

答案:点接触型晶体管、面接触型晶体管下列关于BJT中浅埋层的描述错误的是：（）

A:浅埋层同时起到了隔离器件的作用B:浅埋层是为了解决器件微小化过程中出现的表面复合增大的问题C:浅埋层的加入可以使得发射结的厚度变浅，增大晶体管的电流增益D:浅埋层是利用多晶硅工艺制作形成发射结接触

答案:浅埋层同时起到了隔离器件的作用下图给出了一个双极晶体管的简单电路，回答以下问题：该双极晶体管是哪种电路接法（）

A:共集电极B:共基极C:共射极

答案:共射极下图给出了一个双极晶体管的简单电路，回答以下问题：以下哪种简化电路图对应题目所给的双极晶体管电路（）

A:B:C:D:

答案:下图给出了一个双极晶体管的简单电路，回答以下问题：该电路的直流放大系数怎么表示：（）

A:D.B:C:D:

答案:下图给出了共射极组态的npn晶体管的电路图，请回答以下问题：下面对于三股电流的描述正确的是：（）

A:B:C:D:

答案:下图给出了共射极组态的npn晶体管的电路图，请回答以下问题：下面关于该BJT晶体管发射效率与基区输运描不正确的是：（）

A:发射效率，其中为发射区空穴电流，为发射区电子电流B:发射效率是表示有效注入电流占总发射电流的比例C:基区输运系数，其中为基区复合电流，为发射区电子电流D:基区输运系数表示注入集电区电流占输入集电区有效电流的比例，它代表了基区对载流子输运性能的强弱

答案:发射效率，其中为发射区空穴电流，为发射区电子电流以下哪个选项不属于均匀基区晶体管的前提条件：（）

A:发射结势垒区的宽度远小于少子的扩散长度B:发射结和集电结的PN结都是突变pn结C:外加电压全部降落在发射结的势垒区D:发射区、集电区、基区的杂质分布性质都是均匀分布

答案:外加电压全部降落在发射结的势垒区下列对于BJT的放大作用描述错误的是：（）

A:当基区宽度远小于少子扩散长度时，绝大多数少子通过扩散到达集电结耗尽区B:晶体管的电流放大过程主要是发射结的注入和基区的输运C:在发射结中扩散流小于漂移流，集电结中漂移流小于扩散流D:正向有源工作模式，发射结正偏，集电结反偏

答案:在发射结中扩散流小于漂移流，集电结中漂移流小于扩散流假设BJT晶体管参数如下：，，，，以及，则该晶体管的发射极注入效率（）

A:1.9934B:0.9934C:0.0066D:1

答案:0.9934下面对于缓变基区晶体管的描述不正确的是：（）

A:基区出现自建电场且自建电场的方向与扩散场方向一致B:多子在基区中存在净电流流动C:基区自建电场增强少子的扩散D:发射结和集电结都是缓变结，基区杂质分布存在一定梯度

答案:多子在基区中存在净电流流动已知一个双极晶体管的参数为：，Wb=2μm，，，（1）若该晶体管是缓变基区晶体管，则它的基区复合电流大小是多少：（）

A:B:D.C:D:

答案:已知一个双极晶体管的参数为：，Wb=2μm，，，（2）若该晶体管是均匀基区晶体管，则它的基区输运系数是多少：（）

A:D.1.999B:B.1.001C:D:A.0.0006

答案:已知一个双极晶体管的参数为：，Wb=2μm，，，（3）若该晶体管是缓变基区晶体管，则它的基区输运系数是多少：（）

A:D.0.99968B:B.0.00032C:A.1.0003D:C.1.9997

答案:D.0.99968已知一个双极晶体管的参数为：，Wb=2μm，，，（4）比较（2）和（3）的结果，两种晶体管谁的电流增益更大？（）

A:均匀基区晶体管B:一样大C:缓变基区晶体管

答案:缓变基区晶体管以下提高双极晶体管直流电流增益的方法不正确的是：（）

A:改善器件的表面状况来减小表面复合B:减小基区宽度的数值，来增大基区少子浓度梯度，增大漂移电流，减小基区复合C:增大基区少子寿命和少子迁移率来来减小复合损失D:增大发射区的杂质浓度与基区的杂质浓度之比，来提高发射效率

答案:减小基区宽度的数值，来增大基区少子浓度梯度，增大漂移电流，减小基区复合下面对于BJT发射结对电流增益的影响说法错误的是（）

A:重掺发射结会导致杂质能级交叠，在禁带中出现能带，使得发射区禁带变窄，从而导致发射区的复合效应增大，降低了直流电流增益B:发射结的掺杂浓度应该控制在C:重掺的发射结的复合效应主要来源于俄歇复合和SHR复合D:发射结势垒区的复合电流会降低直流电流增益

答案:发射结的掺杂浓度应该控制在下面关于BJT发射结的复合效应说法正确的是：（）

A:发射结结深较大时，主要以SHR复合为主，可以忽略禁带窄化效应B:SHR复合是指一种三粒子复合过程，是带间的直接复合，是碰撞电离的逆过程C:俄歇复合是一种借助禁带中央的缺陷作为复合中心的复合过程D:发射结电流较小时，主要以俄歇复合为主。

答案:发射结结深较大时，主要以SHR复合为主，可以忽略禁带窄化效应下列对于双极晶体管的反向直流参数的描述不正确的是（）

A:实际中晶体管的反向电流还包括表面漏电流B:反向截止电流越小越好C:击穿电压越小越好D:反向截止电流按照电极接法的不同可以分为三类，且大小关系是：

答案:击穿电压越小越好下面有关BJT击穿电压的描述正确的是：（）

A:对于缓变基区晶体管，击穿电压与杂质浓度梯度无关B:发射结的击穿电压由基区的掺杂浓度决定，基区杂质浓度越大，发射结的击穿电压越大C:双极晶体管相比于PN结更难发生雪崩击穿D:共射极连接时，基极悬空会使得雪崩击穿更容易发生

答案:共射极连接时，基极悬空会使得雪崩击穿更容易发生下面关于BJT基极电阻描述不正确的是：（）

A:基极电阻又称基极扩展电阻B:基极电阻的分布不均匀是由于不同位置的平均压降与电流的比值不同C:梳妆管芯的基极电阻由n+1个发射条和n个基极条组成D:基区的电流流向会影响基极电阻

答案:梳妆管芯的基极电阻由n+1个发射条和n个基极条组成以下减少BJT基极电阻的措施不正确的是：（）

A:减少并联单元的个数B:减小发射区条宽和基区条宽，增大发射区条长C:降低基区的方块电阻D:增大发射极的条数

答案:减少并联单元的个数上图给出了pnp晶体管的测试电路，请回答问题：这个晶体管的连接方式是：（）

A:共集电极B:共基极C:共射极

答案:共射极上图给出了pnp晶体管的测试电路，请回答问题：以下哪个图能正确反映该晶体管的输入特性曲线：（）

A:B:C:

答案:上图给出了pnp晶体管的测试电路，请问：以下哪个图能正确反映该晶体管的输出特性曲线：（）

A:B:

答案:EM模型通过将BJT看成两个背靠背的PN结来建立模型。（）

A:对B:错

答案:错

第四章单元测试

下列对于小信号模型下双极晶体管各区域的变化描述错误的是：（）

A:发射结的扩散电容会导致基区输运系数增大B:处于放大状态下的BJT基区的集电结的扩散电容很小，一般忽略不计C:集电结的扩散电容是由于基区宽化效应造成的基区电荷积累的变化引起的D:发射结和集电结都会出现势垒电容，它的形成与PN结的势垒电容相似

答案:发射结的扩散电容会导致基区输运系数增大交流小信号条件下的BJT集电结势垒区两侧的电流不相等，是因为集电区势垒区有一定宽度，载流子存在时间延迟，导致两侧的载流子浓度不一样，因此电流不相等。（）

A:错B:对

答案:对下列对混合π模型求出的BJT器件参数描述或公式正确的是：（）

A:输出电导是输出电流随集电结电压的变化率，他的大小为B:跨导gm是晶体管放大功能强弱的标志，它的大小C:反馈电导是输入电流随发射结电压的变化率，它的大小D:输入电导是输入电流随输出电压的变化率，它的大小

答案:输出电导是输出电流随集电结电压的变化率，他的大小为下列对混合π模型的意义描述正确的是：（）

A:引入了结构参数相关的模型参数B:模型中不包含温度参数TC:主要考虑的是交流下的势垒电容，扩散电容很小忽略不计D:建立了由有源元件组成的简单电路

答案:引入了结构参数相关的模型参数交流小信号下正常工作状态的BJT的集电结延迟时间主要是因为集电结势垒电容的充放电时间。（）

A:错B:对

答案:对延迟时间越短，则BJT的电流增益会越大。（）

A:对B:错

答案:对下列关于共基极组态下BJT的基区小信号特性参数描述正确的是：（）

A:交流小信号下基区的输运系数大于静态工作下的基区输运系数B:小信号下基区输运系数是一个复数C:基区渡越截止频率是指当基区输运系数为静态工作下的基区输运系数的D:基区的渡越时间主要是由于集电结扩散电容的充放电时间构成的

答案:小信号下基区输运系数是一个复数下列关于共BJT的集电区小信号特性参数描述错误的是（）

A:信号频率增大，集电区衰减因子减小B:延迟时间包括集电结势垒区的渡越时间和集电结势垒电容的延迟时间C:集电区衰减因子与集电极延迟时间无关D:集电结势垒区渡越时间越大，集电结势垒区输运系数越小

答案:集电区衰减因子与集电极延迟时间无关硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：求（1）发射结电容充电时间：（）

A:23psB:24psC:26psD:22ps

答案:26ps硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：求（2）基区渡越时间:（）

A:40psB:60psC:50psD:30ps

答案:50ps硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：求（3）集电结耗尽区渡越时间:（）

A:24psB:23psC:22psD:21ps

答案:24ps硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：求（4）集电结电容充电时间：（）

A:4psB:6psC:7psD:5ps

答案:4ps硅NPN晶体管在300K时具有如下参数：求（5）发射区-集电区渡越时间：（）

A:110psB:104psC:108psD:100ps

答案:104ps频率大于一定值的双极晶体管的电流增益会随信号频率的增益而增大。（）

A:错B:对

答案:错下列对于BJT的频率特性描述正确的是：（）

A:截止频率下的共基极晶体管的放大功能仍然存在B:截止频率下的共射极晶体管的放大功能基本消失C:低频下，晶体管的电流增益基本不变D:特征频率下共射极晶体管的电流放大功能仍然很大

答案:低频下，晶体管的电流增益基本不变下列改善双极晶体管频率特性的途径不正确的是：（）

A:减小晶体管高频下的延迟时间B:减小基区宽度、提高场因子大小、增大基区少子的扩散系数C:减低管壳寄生电容和延伸电极电容D:减小晶体管发射结面积、增大和集电结的面积，提高集电结的收集能力

答案:减小晶体管发射结面积、增大和集电结的面积，提高集电结的收集能力下列对于增大BJT功率增益有效的途径是：（）

A:增大集电结的面积B:降低特征频率C:高频率管选择PNP晶体管D:降低基区电阻

答案:降低基区电阻双极晶体管的开关可以分为饱和型开关和截止型开关。（）

A:对B:错

答案:错过驱动状态是指BJT基极电流大于临界饱和基极电流的状态，此时晶体管处于饱和状态。（）

A:对B:错

答案:对下列对共射极组态双极晶体管描述错误的是：（）

A:增大饱和深度可以降低饱和压降和正向压降B:饱和状态下的输入压降是指基极和发射极之间的压降C:饱和状态下的输出压降是指集电极和发射极之间的压降D:减小集电极厚度可以增大饱和压降和正向压降

答案:减小集电极厚度可以增大饱和压降和正向压降共射组态双极晶体管的开关过程的波形图如下图所示，回答以下问题：t1-t2时间段对应的哪个过程？（）

A:延迟过程B:上升过程C:储存过程D:下降过程

答案:上升过程共射组态双极晶体管的开关过程的波形图如下图所示，回答以下问题：t=t1时下列正确的是：（）

A:基区内少子密度大于反向偏置时的情况B:势垒宽度变大，相当于给集电结和发射结势垒电容充电C:发射结反偏，集电结正偏D:晶体管处于截止状态

答案:基区内少子密度大于反向偏置时的情况共射组态双极晶体管的开关过程的波形图如下图所示，回答以下问题：下面对于下降过程描述不正确的是：（）

A:是指t4时IC＝0.9ICS到t5时IC＝0.1ICS的过程B:发射结和集电结势垒区宽度进一步增大，CTE和CTC继续放电C:整个过程晶体管从放大状态过度到截止状态D:基区电荷浓度下降，积累电荷快速减少，即CDE继续放电；

答案:整个过程晶体管从放大状态过度到截止状态双极晶体管的开关时间由开启时间和下降时间构成。（）

A:错B:对

答案:错BJT的关断时间是决定器件开关频率上限的主要因素。（）

A:错B:对

答案:对下面对于BJT电荷控制模型描述错误的是：（）

A:该模型将晶体管端电流和各区域的电荷关系建立函数关系B:该模型是基于晶体管的开关过程为高度的非线性过程作为物理依据的C:该模型不考虑非平衡少子的分布梯度，只关心各个时间段电荷总量的变化D:它是针对大信号问题提出来的

答案:该模型将晶体管端电流和各区域的电荷关系建立函数关系下面对于BJT电荷控制模型的时间常数描述不正确的是：（）

A:发射极时间常数与基区渡越时间近似相等B:基极时间常数表明基极电流全部用来补充基区内部非平衡少子的复合C:集电极时间常数大小等于基区总电荷量除以集电极电流D:三个时间参数大小关系：

答案:基极时间常数表明基极电流全部用来补充基区内部非平衡少子的复合下面对于不同工作状态的BJT的电荷控制方程的描述不正确的是：（）

A:截止状态下，基区对集电区无注入电荷，基极电流所提供的载流子主要用于空间电荷区的电荷积累B:饱和工作状态下，发射极和集电极电压保持不变，没有电容的充放电C:饱和工作状态下，基极电流由三部分构成，用于抽取超量储存电荷D:放大工作状态下，基极电流一部分用于空间电荷区的电荷积累，另一部分全部用于补充复合损失的电荷

答案:放大工作状态下，基极电流一部分用于空间电荷区的电荷积累，另一部分全部用于补充复合损失的电荷下列影响BJT开关过程中上升时间的因素错误的是：（）

A:基极电流越大，上升时间越小B:基区少子寿命越大，上升时间越大C:基区的宽度越大，上升时间越大D:两结的结电压，结电压越大，上升时间越大

答案:两结的结电压，结电压越大，上升时间越大下列影响BJT开关过程中储存时间和下降时间的因素中正确的是：（）

A:超量存储电荷越大，储存时间越小B:基区宽度和集电区宽度不会影响储存时间的大小C:集电区少子寿命越大，超量存储电荷小时越慢，储存时间越短D:基区少子寿命越大，下降时间越小

答案:集电区少子寿命越大，超量存储电荷小时越慢，储存时间越短当BJT由发射极注入基区的少子浓度大于或约等于基区多子浓度时，则发生大注入。（）

A:错B:对

答案:对下面对于NPN管的基区电导调制效应说法错误的是：（）

A:发射结结电压增大有可能导致基区发生大注入B:大注入下，基区电阻率可表示为：C:是由于基区中发生电子的大注入，为了满足电中性条件，基区中空穴浓度减小从而导致基区电阻率显著下降。D:是基区电导随非平衡少子的变化而变化的效应

答案:是由于基区中发生电子的大注入，为了满足电中性条件，基区中空穴浓度减小从而导致基区电阻率显著下降。下列对于强场下BJT基区扩展效应描述不正确的是：（）

A:强场下，载流子将以饱和漂移速度通过集电结势垒区B:强场指的是势垒区的电场强度大于C:高频下，基区扩展会导致器件更容易失去放大功能D:强场大电流注入，有效基区宽度增大，电流增益增大

答案:强场大电流注入，有效基区宽度增大，电流增益增大下列对于弱场下BJT基区扩展效应描述正确的是：（）

A:晶体管处于饱和工作状态B:集电区中电阻率增大，出现感应基区C:发生条件是饱和状态下外电压基本都降落在高阻的集电区D:有效基区宽度与集电极电流有关

答案:集电区中电阻率增大，出现感应基区下列对NPN管的发射极电流集边效应描述错误的是：（）

A:发射极电流实际流过的发射结面积比发射结面积小很多B:他是发射极电流主要集中在发射结边缘流过的现象C:他又称为基极电阻自偏压效应D:大电流下，要考虑发射极电极上产生的压降会导致实际输出电压减小，增大电流增益

答案:大电流下，要考虑发射