《半绝缘砷化镓单晶衬底片》

1YS/TXXXX—XXXX半绝缘砷化镓单晶衬底片本文件规定了半绝缘砷化镓单晶衬底片（以下简称“衬底片”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于垂直梯度凝固法（VGF）、液封直拉法（LEC）或垂直布里奇曼法（VB）生长的，用于射频、太阳能电池领域的衬底片的生产、检验和质量评价。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T6619硅片弯曲度测试方法GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T6621硅片表面平整度测试方法GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T8760砷化镓单晶位错密度的测试方法GB/T13387硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法GB/T14140硅片直径测量方法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法GB/T17170半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法GB/T19199半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法GB/T26067硅片切口尺寸测试方法SJ/T11488半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4牌号和类别4.1衬底片的牌号表示方法按GB/T14844的规定进行。2YS/TXXXX-XXXX4.2衬底片按直径分为50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm5种规格。5技术要求5.1电学性能衬底片的电学性能应符合表1的规定。I%,1×10)%5.2表面晶向及晶向偏离衬底片的表面晶向为＜100晶向偏离不大于0.5°。5.3位错密度衬底片的位错密度等级及要求应符合表2的规定。表2位错密度I5.4参考面的取向、形状和尺寸3YS/TXXXX—XXXX5.4.1以主副参考面为基准时，Ф50.8mm、Ф76.2mm、Ф100.0mm、Ф150.0mm衬底片参考面的取向、形状和尺寸应符合表3的要求。表3参考面的取向、形状和尺寸°［0ii］±0.5属于1个镓面，°5.4.2以V型切口(Notch)为基准时，Ф150.0mm、Ф200.0mm衬底片V型切口的取向和尺寸应符合表4的规定。表4V型切口的取向和尺寸°°5.5外形几何尺寸衬底片的外形几何尺寸应符合表5的要求。表5外形几何尺寸5.6碳原子浓度和深能级缺陷EL2浓度4YS/TXXXX-XXXX衬底片碳原子浓度和深能级缺陷EL2浓度应符合表6的规定。表6碳原子浓度和深能级缺陷EL2浓度5.7表面质量衬底片的表面质量应符合表7的规定。表7表面质量无无雾无无无无无无无无无无无无无无无无5.8其他需方如对衬底片的技术指标有其他要求，由供需双方协商确定，并在订货单中注明。5YS/TXXXX—XXXX6试验方法6.1电学性能6.1.1电阻率衬底片电阻率的测试按SJ/T11488的规定进行。6.1.2截面电阻率不均匀性衬底片截面电阻率不均匀性应测试样本的电阻率，在单晶横截面沿直径方向均匀取5个测试点，即中心取1点，左右各取2点。半绝缘砷化镓单晶截面电阻率不均匀性按公式（1）进行计算：式中：d——截面电阻率不均匀性；ρmax——截面电阻率最大值，单位为欧姆厘米(Ω·cm)；ρmin——截面电阻率最小值，单位为欧姆厘米(Ω·cm)；i——第i个测量点电阻率，单位为欧姆厘米(Ω·cm)；i——测试点数目，i=1～5；n——测试点总数，n=5。6.1.3霍尔迁移率衬底片霍尔迁移率的测试按SJ/T11488的规定进行。6.2表面晶向及晶向偏离衬底片表面晶向及晶向偏离的测试按GB/T1555的规定进行。6.3位错密度衬底片位错密度的测试按GB/T8760的规定进行。6.4参考面的取向、形状和尺寸6.4.1衬底片的主、副参考面取向的测试按GB/T13388的规定进行。6.4.2衬底片的参考面长度测试按GB/T13387的规定进行。6.4.3衬底片的参考面V型切口（Notch）形状及尺寸的测试按GB/T26067的规定进行。6.5外形几何尺寸6.5.1衬底片的直径及允许偏差的测试按GB/T14140的规定进行。6.5.2衬底片的厚度及允许偏差的测试按GB/T6618的规定进行。6.5.3衬底片总厚度变化（TTV）的测试按GB/T6618的规定进行。6.5.4衬底片总指示读数(TIR)的测试按GB/T6621的规定进行。6.5.5衬底片弯曲度(Bow)的测试按GB/T6619的规定进行。6.5.6衬底片翘曲度(Warp)的测试按GB/T6620的规定进行。6YS/TXXXX-XXXX6.6碳原子浓度和深能级缺陷EL2浓度6.6.1衬底片碳原子浓度的测试按GB/T19199的规定进行。6.6.2衬底片深能级缺陷EL2浓度的测试按GB/T17170的规定进行。6.7表面质量衬底片局部光散射体（LLS）数量的测试按GB/T19921的规定进行，其他表面质量的测试按GB/T6624的规定进行。7检验规则7.1检查和验收7.1.1产品应由供方或第三方进行检验，保证产品质量符合本文件和订货单的规定，并填写产品质量证明书。7.1.2需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验，若检验结果与本文件或订货单的规定不符时，应在收到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商解决。7.2组批衬底片应成批提交验收，每批应由同一根砷化镓单晶晶锭加工而成的、相同规格的产品组成。7.3检验项目及取样7.3.1衬底片的电学性能、表面晶向及晶向偏离、位错密度、碳原子浓度和深能级缺陷EL2浓度的检验项目及取样应符合表8的规定。表8检验项目及取样7.3.2每批衬底片的参考面取向、形状和尺寸及外形几何尺寸、表面质量的检验项目及取样应符合表9的规定，也可由供需双方协商确定。表9检验项目及取样7YS/TXXXX—XXXX表9检验项目及取样（续）7.4检验结果的判定7.4.1衬底片的电阻率、截面电阻率不均匀性、霍尔迁移率、表面晶向及晶向偏离、位错密度、碳原子浓度和深能级缺陷EL2浓度的检验结果中有任意一项不合格时，判该批产品不合格。7.4.2衬底片的参考面取向、形状和尺寸、直径及允许偏差、厚度及允许偏差、总厚度变化、总指示读数、弯曲度、翘曲度、表面质量的检验结果中有任意一项不合格时，供方可对不合格项进行逐片检验，除去不合格品后，合格品可以重新组批。8标志、包装、运输、贮存和随行文件8.1标志8.1.1检验合格的衬底片外包装袋上应粘贴标签，其上注明：a）产品名称、规格；b）产品批号；c）产品数量；d）生产日期。8.1.2衬底片的外包装箱上应贴有标签，其上注明：a）供方名称、地址、电话；b）产品名称、规格；c）产品数量或净重；d）“小心轻放”“防潮”“易碎”“堆叠层数”标志或字样。8.2包装8.2.1单片包装检验合格的衬底片可放置在专用的单片圆盒内。单片圆盒由聚丙烯（PP）、聚碳酸酯（PC）材料制成。衬底片清洗干净后，正表面朝下放入专用单片圆盒内，每盒1片，放置压环合盖后，用塑料袋、铝箔袋分别抽真空充高纯氮气(≥5N)密封。8.2.2多片包装检验合格的衬底片亦可放置在专用的多片盒内，每个卡塞放置多片清洗干净的衬底片（根据客户需求，一般放置25片）。卡塞盒由聚丙烯（PP）制成。衬底片清洗干净后，正表面朝U端，背面朝H端，合盖后用塑料袋、铝箔袋分别抽真空充高纯氮气(≥5N)密封。8.2.3外包装箱8YS/TXXXX-XXXX将完成真空包装的单片圆盒或多片盒放入四周有珍珠棉或海绵防护的包装箱中封箱。8.3运输产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震、防潮措施。8.4贮存产品应贮存在清洁、干燥的环境中。8.5随行文件每批产品应附有