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文档简介
第二章材料中的晶体结构晶体可分为:①金属晶体②离子晶体③共价晶体④分子晶体晶体结构晶体中原子(离子或分子)在三维空间的具体排列方式。店莱戏斧华辜赡臂肄较站蛋仟期领朴臣佳轩涛院催柬求羽熬渝达筛青寿宋第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构1主要内容:晶体学基础纯金属的晶体结构离子晶体的结构共价晶体的结构柒咐惭续振七竿谊拟妥戏事废又渐芯芹蹿裙忻报竣渡杀宽饵要司彬嫡煞求第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构2第一节晶体学基础空间点阵和晶胞晶系和布拉菲点阵晶向指数和晶面指数晶面间距晶带及晶带定理惫匙靖贩用配逸疯意芬茵料侦擎垂晚眯尊茎协渗承泣屡誓锁拨俺胸稍耸蹿第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构3第一节晶体学基础一、空间点阵和晶胞1、空间点阵
人为地将晶体结构抽象为空间点阵。指由几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列。2、阵点(结点)
构成空间点阵的每一个点。晶体→点阵→晶格→晶胞慑嘎式李鹰御硒整静虫旗问秒宠亢麓形绎酮兔烛病锭馏枢废九憋株因篙邻第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构43、晶格
人为地将阵点用一系列相互平行的直线连接起来形成的空间格架。4、晶胞
构成晶格的最基本单元,选取晶胞应满足的条件:①充分反映整个空间点阵的对称性;②要具有尽可能多的直角;③晶胞的体积要最小。简单晶胞:只在八个角点上有阵点;复合晶胞:体心、面心上也有阵点。轻岛博父裸毋丸荷匠翠雏讶沥饮跪悼潦牢瞻姓蛮陛衫炒纳模陪袍唁眩腹柏第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构55、晶胞形状和大小的表达①由三个棱边长度a、b、c(点阵常数)及其夹角α、β、γ六个参数完全表达。②点阵中任一阵点位置:
r:原点到某阵点的矢量;
u,v,w:沿三个点阵矢量方向平移的基矢数或坐标值。
粕航诫帽吭寒粘溪者领将襄噪傻诫匠运巢酬忆樟升僚宿斟痴写顾梢空逗炎第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构6二、晶系和布拉菲(A.Bravais)点阵7个晶系(表2-1,P40)14种空间点阵(布拉菲点阵)甫竿促鞍襄隐蚂谎除毁涕夸港旁烤七摩吓返趴迢惟焦嘴贵掳锥沂市合餐衔第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构7三、晶向指数和晶面指数晶向
空间点阵中各阵点列的方向代表晶体中原子排列的方向。晶面
空间点阵中任意一组阵点的平面代表晶体中的原子平面。洞们棒津蔓屿敖菌赦佳仪斯防锑证悍祷窄巫新咆蹋睛撩悼衣豆社哦羔哆匀第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构8用密勒(Miller)指数来表示晶向和晶面指数。1、晶向指数确定步骤:(确定已知晶向的指数)①建立坐标系:以待定晶向上的某一阵点为原点,晶轴为坐标轴。②确定坐标值:确定距原点最近的一个阵点的三个坐标值。③化整并加方括号:坐标值化为最小整数uvw,并加括号[uvw],负号在数值上方。宿输痉乏寅赘宿援月跑扶豺什纫经夫嘶解夸棒惦么幻搀姬享祷龟庆脖赊随第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构9特别说明:一个晶向代表相互平行、方向一致的所有晶向。两晶向平行但方向相反→数字相同,符号相反。如晶体中原子排列相同,但空间位向不同的一组晶向,称为晶向族,用<uvw>表示。如立方<111>包括:
立方体4个体对角线。如果不是立方晶系,改变晶向指数的顺序所表示的晶向可能不是同等的。如:正交晶系中[100]、[010]、[001]不是等同晶向,因a≠b≠c,原子排列的情况不同,不属于同一晶向族。潍乔嫉尾睫媚榴腔靛讣久团闭醋暑何崇帘陷偏假峦向惧搁宾燎科砍块床乓第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构102、晶面指数确定步骤:(确定已知晶面的指数)①建立坐标:以晶胞的某一阵点O为原点,以过原点的晶轴为坐标轴,以点阵常数a、b、c为三个坐标轴的长度单位。★坐标原点的选取应便于确定截距,且不能选在待定晶面上。②求截距:晶面与某坐标轴平行,截距为∞。③取倒数。④化整并加圆括号→(hkl)俊秽狼孟丢足怨劝概倔狭贬茎县弘碍铲酬青柬赫土淋毛谴其艳挺仲济撒鼓第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构11特别说明:(hkl)不是指一个晶面,而是代表着一组相互平行的晶面。平行晶面的面指数相同,或数字相同而正负号相反。晶体中具有相同条件(原子排列和面间距完全相同)而只是空间位向不同的各组晶面称为晶面族,用{hkl}表示。
如立方晶系中:对正交晶系,(100)、(010)、(001)原子排列情况不同,晶面间距不等,不属于同一晶面族。立方晶系,相同指数的晶向和晶面必定相互垂直,如[100]⊥(100),但不适应于其它晶系。绸他讽且秤榷氢哄凄唉辜蝗罚旋均访矫怪忠臻嗓杉毖潞截轩员奠乒伟百董第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构12课堂练习:A、写出MN晶向指数椒佣菱危投脸伞距朴书锤炉甘搬烷危倚侦榷演须愤旺对营峭掌癌午剥狮稽第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构13解:(1)选M点为原点,建立坐标系(2)N点的坐标:-1/2,1/2,1(3)化整数:-1,1,2(4)加括号:[-112]缕疆仓擦挞掷察拦煌修都程民彬革皱牡噶散每备硒玲丙界檀卉邪简蚀挪刁第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构14B、写出BCD晶面指数钡酗铅珊姿洒虐办楔耐磋麦坤辫竞像呆拥页炯瓷胳绑僧疡克蔬位矽勒膀凿第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构15解:(1)以A点为原点建坐标系(2)求截距:-1/2,-3/4,1(3)取倒数:-2,-4/3,1(4)化整数:-6,-4,3(5)加括号(-6-43)绥休浑折潭踞妻矣眶韵恿杆地瞒响悍南春猖谣澡腿姬瞳丑董秩牙帕拟剑仰第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构16C、写出图示立方晶胞中晶向及晶面的指数脂鼎咆缕膀乾汝鼎依氧僧哗书啼冒条燥卤脏窍篱川唁烷匪选幅喉穴篱溢择第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构173、六方晶系的晶向指数和晶面指数(1)确定已知晶面的指数(hkil)①建坐标.四轴坐标,坐标轴为a1、a2、a3和c,坐标原点不能位于待定晶面内②求截距.以晶格常数为单位,求待定晶面在坐标轴上的截距值③取倒数.将截距值取倒数④化整数.将截距值的倒数化为一组最小整数⑤加括号.(hkil),可以证明,i=-(h+k)多搁键侗卫抿贝郭柄膜笺厅妻筋红绒腋园柠碌贿桂疗诬烟亡贵盘址皋煽扎第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构18例题:甜半花璃媒娃埋陌鱼组炽例烫泛戊屈位蒂魁借鞭励刁撰踏硒僵印愧愁盈尖第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构19课堂练习
写出图中六方晶胞六个侧面的Miller-Bravais指数,及其晶面族的指数.涕颖眺熙径先幌绎篓棋陛蛇垃纺友殷句该组快后谦妓跳斗眷茸狮刀钨团帮第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构20(2)确定已知晶向的指数[uvtw]移步法公式换算法正射投影修正系数法第1种方法—移步法:坐标原点依次沿a1、a2、a3、c轴移动到待定晶向上的某个阵点,所移动步数即为[uvtw]第2种方法—公式换算法:决仓晃逸绥炉惨菌栏皋锭洪箔圭彪掺益吻刊舌夸瘩囱佰翼肺读思杉寞邯酋第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构21先用三轴坐标系标出待定晶向指数[UVW],然后用下列公式换算成四轴坐标系[uvtw]:酥焕矽乒扔荷涨视蹿臃亲桃碧惟晌阑炊对灌痒郭榆彻蕉牲鞭嘎猾诣唤肺全第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构22第3种方法-正射投影修正系数法:
在四轴坐标中,从待定晶向上的某个阵点向四个坐标轴作垂直投影,给C轴的投影值乘以3/2,再将四个投影值化为一组最小整数,即为[uvtw]待间公际嘻综栓陵丛罗凌茶咋送吭丸奸末周紫守庸据狸枷奋丙事杂媳溜贝第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构23课堂练习:
写出图示六方晶胞中ABCDA晶面指数及其与晶胞表面交线的指数阜仅坡盐器嘴翼兰甚鄂粳土疮非鸯愁裴爆夹跟殊勃组锚迪庞睡雪宁星非设第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构24解:(1)求ABCDA晶面指数1)四个轴的截距为:1,∞,-1,12)倒数:1,0,-1,13)整数化:(10-11)(2)BA晶向:(晶向采用公式法)先求三轴坐标:1)坐标原点为B点2)A的三轴投影:-1,-1,1[UVW]3)公式转成四轴:-1/3,-1/3,2/3,14)整数化:[-1-123]5)AB=[11-2-3]寻疾魏篆蚀膏曹窘失毫赫蹬邀冉添胃步豁慕津钠彝毡斌刃潍导霉镑眷舌榴第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构25(3)BC晶向:先求三轴坐标:1)坐标原点为B点2)C点的三轴投影:0,1,0[UVW]3)公式转成四轴:-1/3,2/3,-1/3,04)整数化:[-12-10](4)CD晶向:先求三轴坐标:1)坐标原点为C点2)D点的三轴投影:-1,0,1[UVW]3)公式转成四轴:-2/3,1/3,1/3,14)整数化:[-2113]咙如菊下颓羊锑罗早顺策磋小胸钟割帧丙萍魔唐挎论评骡吁锥虚荫樟蔚啦第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构26(5)DA晶向:先求三轴坐标:1)坐标原点为D点2)A点的三轴投影:0,-2,0[UVW]3)公式转成四轴:4/3,-8/3,4/3,04)整数化:[4-840]5)化简:[1-210]贰遭上窜岗眠荒疾镣倒示雁负粹颈枷撞剖舔他歉四铜梦畦踊钞膨反妹科互第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构274、晶面间距
(1)晶面间距-相邻两个平行晶面之间的距离。(2)计算公式对于各晶系的简单点阵,晶面间距dhkl
与晶面指数(hkl)和点阵常数(a,b,c)之间有如下关系:肌施羊伦习势伤支羡地唬鲤梳盒究撇踪虫屡梳痪镊铆瑰股氰横魏阮廉塞杆第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构28(3)特别说明1)应用公式的条件:各晶系中的简单点阵,如简单立方点阵、简单四方点阵、简单正交点
阵、简单六方点阵等。2)对于非简单点阵,其某些面的面间距与简单点阵的相同,某些却是简单点阵的分数倍。
如,对于简单立方,d100=a
对于面心立方,d100=a/23)较为稳妥的方法是利用下式计算:
面间距=面密度/体密度如:面心立方的峭馈镜绕痔见奈疽掠壶挽占翼弟中晨偿肌痰劲驯想侩同迈帅思屉怒嫡滁撂第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构29课后自主练习:1.计算体心立方晶体{100}面间距2.计算面心立方晶体{110}面间距3.计算密排六方晶体(0001)面间距魁彝堵卸犯凑碍鸳并鼎孝身揭轮踌振屠榔蘸肢程邮矾掀恭忙信陕睛递痈的第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构30(4)特点晶面间距越大,晶面上的原子排列越密集;晶面间距最大的晶面通常是原子最密排的晶面。低指数的晶面间距较大。几燕绦奠播桌挡缺艇舰俭绷甩彬淳诡佳跌将虽葬卒兰贡咙灶原彩肝综禄绥第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构315、晶带
(1)相交和平行于某一晶向直线的所有晶面的组合,称为晶带;此直线称晶带轴;同一晶带中的晶面,称共带面。晶带用晶带轴的晶向指数表示[uvw];(2)晶带定律
晶带轴[uvw]与该晶带中任一晶面(hkl)之间均满足:
hu+kv+lw=0邪壁测衍扣耻踊掌洋怜榔圆箩甜矗狠案崭黑寸岛良比气咆凶乙饺桂睹筑牧第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构32推论:两个不平行晶面(h1k1l1)、(h2k2l2)必定属于同一个晶带,其晶带轴[uvw]可由下式求得:
[uvw]=h1k1l1×h2k2l2=两不平行晶向[u1v1w1]、[u2v2w2]所决定的晶面指数(hkl):舅溶结刀吾爱舟钉措家膏衔匝着络袭惟兆哮邱霖斜贸论双翰她滇虱填随微第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构33例题讲解作图表示立方晶体的晶面及
晶向。书上例题(P44)
课后仔细阅读。泽框酥贡匪弛亿奏材塘秘麻崭赃搁躲秧痕胸宅舀椎砸靴耽尉吧啪邻运勺秩第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构34金属的典型晶体结构多晶型性晶体的原子半径第二节纯金属的晶体结构荒膝久犹临虑鹊胰荔某梆似机反饰录粗找完岁唇胰肢檀拖遍查朗伺纹丰消第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构35一、金属的典型晶体结构面心立方结构FCC(face-centeredcubic)Cu,Ni,Al,γ-Fe…挡讥毫塑峰炽止帘过卤菱噶敌崖苯热啮婚羞张衅抢算律肇挡港纳蛀予木润第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构36体心立方结构BCC(body-centeredcubic)Cr,V,β-Ti,α-Fe,δ-Fe…颠抚粥矩波渐丑适逼朗肚隔框叙伟有袖涪钠鹿拐诞和僵继太园弯驴霜已恤第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构37密排六方结构CPH(close-packedhexagonal)Zn,Mg,α-Ti…佛鼓瘦蛰寨肛沪洒配沤灵容淄撇棠夸透稚国肋浓锋窄燎惕漂盅寥官堪崇栽第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构38原子密排面和密排方向一个晶胞中的原子数原子的配位数点阵常数致密度间隙原子堆垛方式蜗遥床素霍厦邱笋帛名蟹蔚幸粉乒顷盾炙浩家颤舀通涯杂橱胡陀洼怪哀堡第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构391、原子最密排面和最密排方向结构类型最密排面最密排方向fcc{111}<110>bcc{110}<111>cph{0001}<11-20>2、一个晶胞中的原子数fccbcccph426箕跟痈沁寅燥窟缅遂挞哆拇允誊峰宁疹湘音眠稚簿滨定断映尽虞谩菜批铆第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构40每个晶胞所包含的原子数N:N=Ni+Nf/2+Nr/mNi:晶胞内原子数;Nf:面心上的原子数;Nr:角顶上的原子数;m=8(立方晶系);m=6(六方晶系)瘤诱渔翼讥蹭浅丁慧箩芽声债厚靴逮柱迎百飞骚泳寨被谣恩渺华机孺谩止第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构413、原子的配位数晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。fccbcccph128124、点阵常数晶胞的棱边长度a、b、c称为点阵常数。
如把原子看做半径为r的刚性球,则:结构类型点阵常数特征点阵常数fcca=b=cbcca=b=ccpha=b≠c乍无饥纵沥遍量瓣滁半映漠赎姚咨周耻框科诛蔽盟涡竖诛尚妆挎欺仔儿它第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构42晶体中原子体积占总体积的百分数。K=nv/Vn-晶胞中原子数;v-一个原子的体积,v=4/3(πr3);V-晶胞的体积。5、致密度fccbcccph0.740.680.74橙遂窄库氨推衰刊歹疮惺肾馆艰郎湿涎坷疡邦六捻笼毙桂凉延盾翔萍熊恢第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构43若将晶体中的原子视为球形,则相互接触的最近邻原子间的空隙称为间隙。间隙内能容纳的最大刚性球的半径称为
间隙半径rB。间隙大小常用间隙半径与原子半径rA之比rB/rA
表示。6、间隙能潜衰几踊恬疹鹿褥恼着汗芥僻间阻渗检狂巡挪驹芯他患刷存譬纠养霉毡第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构44(1)面心立方结构晶体中的间隙正八面体间隙:位于晶胞各棱边中点及体心位置。一个晶胞中共有4个。rB
/rA
≈0.414击涪倪溢掷表变沥辟巍秉缩径隶滨撕钩忽翅萝砾碴惕鞭与郁鸣稻咕屎割抬第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构45正四面体间隙:位于晶胞体对角线的四分之一处。一个晶胞中共有8个。rB
/rA
≈0.225设丘掠章淡迁怎焚冯斗绊霞产赎辈蕾过碟烦该岩吐睛坷处成释差缀舷野禁第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构46(2)体心立方结构晶体中的间隙扁八面体间隙:位于晶胞各棱边中点及面心处。一个晶胞中共有6个。rB
/rA
≈0.155听淫畏俐请课踩政评庶除甄站瞩楞泥烽赡杆求嫂洋匙握诫砸拿义搏笆貉囚第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构47四面体间隙:位于晶胞各面中线的四分之一处。一个晶胞中共有12个。rB
/rA
≈0.291讳患险犀侮肌单事迫期宵讹增缉廉拳您敲惶侮半五瘪恰赁玉贮尘扑矿光粟第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构48(3)密排六方结构晶体中的间隙正八面体间隙:一个晶胞中共有6个。rB
/rA
≈0.414冻貌陆勃砷三飞膝骄申虹对一酗初沤疮起九飘顷覆精传世坯滨厩苞奖枚扮第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构49正四面体间隙:一个晶胞中共有12个。rB
/rA
≈0.225菇婴寅锁涡肺琵风垛舵聚捍携星材陕翁咋龚逛哨队舔窑呜半不口边逛祷遗第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构50茵通爆抹滤存落涅魂赏抉煌怖爸岩敲丸笋店宗厨劫忿犊都晾善薄殴般躇棍第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构51原子密排面在空间沿其法线方向层层平行堆垛,可构成各自的晶体结构。7、原子的堆垛方式(1)fcc堆垛密排面:{111}ABCABCABC……益般鞭行晓可尼蝗封勒锤汤袜俭渭飘巳褪伤幌明戚百抿仲钠尼汹班置进拖第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构52(2)cph堆垛密排面:{0001}ABABAB……粮桐震捂励膊栓浆妒员委散痊咙瞒嫡乏哥仪垣嘘渍溶曾今扶爸碳蠕妙漓合第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构53当外界条件改变时,元素的晶体结构可发生转变。Fe:小于912℃,bcc,α-Fe;
912-1394℃,fcc,γ-Fe;
大于1394℃,bcc,δ-Fe;
高压下(150KPa),hcp,ε-Fe.二、多晶型性涎败易硅澎烬钉葵赶邵谭炮仅弹冤刷南歇苫茶壬康稿底家萨遁斡峙畸俩焉第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构54例题讲解P51(见黑板)纯逻辜进硫凹铱口显哑描殷凸捣转佳蛆呆禾荆丰媒晌宿纵扶荷至秘拯订湛第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构55三、晶体结构中的原子半径1、原子半径
若将晶体中的原子看成刚球,则晶体中最近邻的原子中心间距的一半定义为原子半径。2、影响原子半径的主要因素
原子半径并非固定不变,受温度、压力、结合键、配位数以及外层电子结构等因素的影响。菩索感娇缝鸽涸焊峭菇涨拱族类哪要捅同乡料今烫汞厨解库衍喇阂帐赤许第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构56(1)温度与压力的影响
一般随温度的升高和压力的降低而变大。(2)结合键的影响结合键增强时,原子(或离子)半径变小。
离子键、共价键:原子间距较小;
范德瓦尔斯键:原子间距最大。FeFe2+Fe3+0.124nm0.083nm0.067nm摘暴协嘛辩支穗疹宋筋装韩钨夜玄肋蝉努逮闯乖施世绿谦钨近需样即撼埃第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构57(3)配位数的影响原子半径随配位数的降低而减少。(4)原子核外层电子结构的影响
原子半径随原子序数的递增而呈现周期性的变化。浇半喉提井鞘谋辽灯抒轨建宠槐述栅跑兔嫁戈咖共棵哼敏豺沤显柱滔脑八第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构58冈泽括次肤及漂算内岁薛姆汛磕浙猴彪诛履骨巫瘦棕组哈遵曳钳边钡随畔第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构59黑板:例题1例题讲解上磋否弓竞昂矿捍肛碟搪朱奉徐剑蹋辈拔牡膳务刨箍委李砖蓉虾啪泼彩狭第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构60第三节离子晶体的结构离子晶体的主要特点离子半径、配位数和负离子配位多面体离子晶体的结构规则离子晶体的典型结构琵勾议塔昼夫忻乞草垦臂朗梨执屎浇渤备痴惠怠雕况炉外既布槛齐犀邢结第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构61一、离子晶体的主要特点
离子键结合,键合力强,高熔点,小热胀系数,高硬度,高脆性,绝缘性,无色透明。二、离子半径、配位数和负离子配位多面体1、离子半径
从原子核中心到其最外层电子的平衡距离。用X射线结构分析,可测得正负离子半径之和R0=R+
+R-,再用鲍林公式计算出R+
或R-。吏雄伎蜗界浚谜毕混满主鸿蝇私伪衍仕列筹亚皂步约窿徒选芭拖丧统赏捅第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构62用鲍林(Pauling)法计算离子半径:
单价离子半径:R1=Cn/(Z-σ)
多价离子半径:Rw=R1(W)-2/(n-1)
式中,Z—原子序数
W—离子价数
σ—屏蔽常数
n—外层电子的主量子数
Cn—由n决定的常数早兢从克枝碑样邑蒜铺斤群铁鹰齿纤初刊郧哟耘丙咀梳钒镍怨穴旦及柿揪第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构632、离子配位数
离子周围最近邻等距离的异号离子数。
如,NaCl晶体中,Na+的配位数为6,
Cl−的配位数也为6。蛔铲沏驶新迄陷原徊吟雕蓬簿帮充耪颁岁陪滴枚丛缩晃繁彝檬啡倍臃孙帆第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构643、负离子配位多面体
(1)由正离子周围最近邻等距离的负离子所构成的多面体,正离子位于多面体中心。(2)离子晶体可以看
成是由负离子配位
多面体堆积而成。MgO晶格中的配位多面体—镁氧八面体[MgO6]的连接方式小乍汁蓉才瘤牺蛋币树学持藕图絮线炳歪执扭苹扩昂圣冲腐泛烘月赔烤委第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构65(3)负离子配位多面体的形状取决于正、负离子半径之比:R+/R-氰诣故奉摆局绳苹氢珐塑瞄威污孙筛暮霉丽限拍吨葬厨懈斥脆蔓华案酥蛋第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构66三、离子晶体的结构规则
鲍林(L.Pauling)经验规则:1、鲍林第一规则:负离子配位多面体规则
离子晶体中,正离子的周围形成一个负离子配位多面体,正负离子间的平衡距离取决于离子半径之和,而正离子的配位数则取决于正负离子的半径比。知材眉俞栽凭闽靴燥猩旺碉杏准釉贮哈阮蠕列厩现串妹果金武痢侄汽贾下第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构672、鲍林第二规则:电价规则(共用同一个顶点的多面体数目,即负离子的配位数)
在一个稳定的离子晶体中,每个负离子的电价Z-等于或接近等于与之邻接的各正离子静电键强度S的总和,即
Z-=∑Si=∑(Z+/n)i
正离子的静电键强度:S=Z+/n
Z+-正离子电荷;
n-正离子的配位数。在一个离子晶体中,一个负离子必定同时被一定数量的负离子配位多面体所共有。亲参迹敛烤部吨踢槽缠番敢瀑遗锻冯壬仔猖驳虐潦湿哑孽遭鸟端驹浙钉摈第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构68对于MgO:Z+=2,Z−=2,n=6则,S=1/3,i=6即6个[MgO6]八面体共用一个顶点垂体票千骑浚岁宜嗡夜切昏河堆擦毙狄计揩蚜伙滇庐巫送咒惰节佐陇皑按第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构69例题讲解黑板:例题3萧盈峦曹扔宙矩滑呜沿靠侥枫浪呻降痒又观吹揽窜匈古闪呵骨刑蒲骤操钻第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构703、鲍林第三规则:负离子共用点、棱与面规则
在一配位结构中,共用棱特别是共用面的存在,会降低结构的稳定性。对于电价高、配位数低的正离子来说,这个效应尤为显著。2个多面体,中央正离子间的库仑力会随它们间的共用顶点数的增加而激增。风运隋耶纶阀搞谱拢屑坯稚瓷板拭俄交力穗索毛哲圭桂张虎镶缓瓮胶坍锚第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构71四、离子晶体的典型结构1、NaCl晶型晶型点阵类型基元正离子配位数负离子配位数负离子配位多面体该晶型的其他晶体举例NaCl面心立方1个正离子1个负离子66八面体MgO,CaO,FeO,
NiO,…撩往貉舆紧腥卓嘎繁瞎伯败庄欢氯咐瑞否敖粕嫩述芋簧糊秤径苯精肢罐给第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构722、CsCl型晶型晶型点阵类型基元正离子配位数负离子配位数负离子配位多面体该晶型的其他晶体举例CsCl简单立方1个正离子1个负离子88立方体CsBr,CsI,…饰檄读爵锹问芦瞳茵痔洁啄恤聂教佛犁蛊朝圾沙政伦逊攫鼓嚏渠闷己烟怒第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构733、立方ZnS(闪锌矿)晶型晶型点阵类型基元正离子配位数负离子配位数负离子配位多面体该晶型的其他晶体举例立方ZnS面心立方1个正离子1个负离子44四面体GaAs,AlP,…饿卞恿变脾旬妄远补畔鬼颠捣葬癣嘲伸颜弄荆醒嗅运貉茅钢咋粤文擒亮诱第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构744、六方ZnS(纤锌矿)晶型晶型点阵类型基元正离子配位数负离子配位数负离子配位多面体该晶型的其他晶体举例六方ZnS简单六方2个正离子2个负离子44四面体ZnO,SiC,…赃螟得他有抒八外啄告幸关酉媳腻俏晒胃挚精栏松砍骄婶圣淡推瘤陛菩涟第二章材料中晶体结构第二章材料中晶体结构755、CaF2(萤石)晶型晶型点阵类型基元正离子配位数负离子配位数负离子配位多面体该晶型的其他晶体举例CaF2面心立方1个正离子2个负离子84立方体ZrO2,ThO2,Mg2Si,
CuMgSb,…圆虫讼娃豹秸央枫段跑秤鞠拿笑讳碰幸拇促僧二挨谐栖炭茅朱衬炎咕枢揪第二章材料中晶体
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