半导体基础知识单选题100道及答案解析

半导体基础知识单选题100道及答案解析1.半导体材料的导电能力介于（）之间。A.导体和绝缘体B.金属和非金属C.正电荷和负电荷D.电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。2.常见的半导体材料有（）。A.硅、锗B.铜、铝C.铁、镍D.金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。3.在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。A.不变B.减弱C.增强D.不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。4.半导体中的载流子包括（）。A.电子B.空穴C.电子和空穴D.质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。5.P型半导体中的多数载流子是（）。A.电子B.空穴C.正离子D.负离子答案：B解析：P型半导体中多数载流子是空穴。6.N型半导体中的多数载流子是（）。A.电子B.空穴C.正离子D.负离子答案：A解析：N型半导体中多数载流子是电子。7.当半导体两端加上电压时，会形成（）。A.电流B.电阻C.电容D.电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。8.半导体的电阻率随温度升高而（）。A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。9.二极管的主要特性是（）。A.单向导电性B.放大作用C.滤波作用D.储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。10.三极管的三个电极分别是（）。A.基极、发射极、集电极B.正极、负极、地极C.源极、漏极、栅极D.阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。11.场效应管是（）控制器件。A.电流B.电压C.电阻D.电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。12.集成电路的基本制造工艺是（）。A.光刻B.蚀刻C.扩散D.以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。13.半导体存储器分为（）。A.随机存储器和只读存储器B.静态存储器和动态存储器C.闪存和硬盘D.光盘和软盘答案：A解析：半导体存储器分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。14.以下哪种不是半导体的应用领域（）。A.通信B.医疗C.航空航天D.纺织答案：D解析：纺织行业一般较少直接应用半导体。15.半导体的能带结构包括（）。A.价带和导带B.满带和空带C.禁带D.以上都是答案：D解析：半导体的能带结构包括价带、导带和禁带。16.半导体中的施主杂质提供（）。A.电子B.空穴C.质子D.中子答案：A解析：施主杂质提供电子。17.半导体中的受主杂质提供（）。A.电子B.空穴C.质子D.中子答案：B解析：受主杂质提供空穴。18.半导体的霍尔效应可以用来测量（）。A.电流B.电压C.磁场D.电阻答案：C解析：霍尔效应可用于测量磁场。19.半导体的光电效应可用于（）。A.太阳能电池B.发光二极管C.激光二极管D.以上都是答案：D解析：光电效应在太阳能电池、发光二极管、激光二极管等中有应用。20.半导体的热敏特性可用于（）。A.温度传感器B.压力传感器C.湿度传感器D.加速度传感器答案：A解析：热敏特性常用于温度传感器。21.半导体的压敏特性可用于（）。A.压力传感器B.位移传感器C.速度传感器D.角度传感器答案：A解析：压敏特性可用于压力传感器。22.硅的原子序数是（）。A.14B.28C.6D.32答案：A解析：硅的原子序数是14。23.锗的原子序数是（）。A.32B.28C.14D.36答案：A解析：锗的原子序数是32。24.本征半导体在绝对零度时（）。A.导电B.不导电C.电阻为零D.电阻无穷大答案：B解析：绝对零度时，本征半导体没有载流子，不导电。25.半导体中的扩散电流是由（）引起的。A.浓度差B.电位差C.温度差D.压力差答案：A解析：扩散电流是由载流子的浓度差引起的。26.半导体中的漂移电流是由（）引起的。A.浓度差B.电位差C.温度差D.压力差答案：B解析：漂移电流是由电场作用（电位差）引起的。27.PN结加正向电压时（）。A.导通B.截止C.电阻不变D.不确定答案：A解析：PN结加正向电压时导通。28.PN结加反向电压时（）。A.导通B.截止C.电阻不变D.不确定答案：B解析：PN结加反向电压时截止。29.发光二极管的发光颜色取决于（）。A.材料B.电流C.电压D.温度答案：A解析：发光二极管的发光颜色由材料决定。30.太阳能电池是基于（）效应工作的。A.光电B.热电C.压电D.磁电答案：A解析：太阳能电池基于光电效应工作。31.半导体中的杂质能级位于（）。A.禁带中B.导带中C.价带中D.满带中答案：A解析：杂质能级位于禁带中。32.半导体的禁带宽度一般在（）范围内。A.0-1eVB.1-3eVC.3-5eVD.5-7eV答案：B解析：半导体的禁带宽度通常在1-3eV之间。33.以下哪种不是常见的半导体制造工艺中的清洗方法（）。A.湿法清洗B.干法清洗C.超声波清洗D.激光清洗答案：D解析：激光清洗在半导体制造工艺中不常见用于清洗。34.半导体芯片制造中，光刻使用的光源通常是（）。A.可见光B.紫外线C.X射线D.红外线答案：B解析：光刻通常使用紫外线作为光源。35.金属-半导体接触可以形成（）。A.欧姆接触B.肖特基接触C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：金属-半导体接触可以形成欧姆接触和肖特基接触。36.肖特基二极管的特点是（）。A.恢复时间短B.导通压降大C.反向漏电流小D.以上都不是答案：A解析：肖特基二极管恢复时间短。37.以下哪种不是半导体封装的形式（）。A.DIPB.SOPC.BGAD.LGAE.PGA答案：E解析：PGA一般不是常见的半导体封装形式。38.半导体材料的纯度通常要求达到（）。A.99%B.99.9%C.99.99%D.99.9999%答案：D解析：半导体材料的纯度通常要求极高，达到99.9999%以上。39.在半导体制造中，用于刻蚀的气体通常包括（）。A.氯气B.氟气C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：氯气和氟气等常用于半导体的刻蚀。40.半导体中的晶格振动会影响（）。A.载流子迁移率B.禁带宽度C.杂质能级位置D.以上都是答案：D解析：晶格振动会对载流子迁移率、禁带宽度、杂质能级位置等产生影响。41.量子阱是一种（）结构。A.一维B.二维C.三维D.零维答案：B解析：量子阱是二维结构。42.量子点是一种（）结构。A.一维B.二维C.三维D.零维答案：D解析：量子点是零维结构。43.半导体中的隧道效应发生在（）。A.强电场下B.低温下C.薄势垒下D.以上都是答案：D解析：在强电场、低温、薄势垒等条件下会发生隧道效应。44.半导体中的热载流子效应会导致（）。A.器件性能下降B.电流增大C.电压升高D.电阻减小答案：A解析：热载流子效应通常会导致器件性能下降。45.半导体中的库仑阻塞效应在（）中较为显著。A.纳米器件B.大规模集成电路C.分立器件D.传统电路答案：A解析：库仑阻塞效应在纳米器件中较为显著。46.半导体中的自旋电子学研究的是（）。A.电子的电荷B.电子的自旋C.电子的轨道D.电子的能态答案：B解析：自旋电子学研究的是电子的自旋。47.半导体激光器的工作原理基于（）。A.受激辐射B.自发辐射C.热辐射D.光电效应答案：A解析：半导体激光器工作基于受激辐射。48.半导体探测器常用于（）。A.核辐射探测B.光探测C.磁探测D.以上都是答案：D解析：半导体探测器可用于核辐射探测、光探测等。49.半导体的磁阻效应可以用于（）。A.磁传感器B.压力传感器C.温度传感器D.湿度传感器答案：A解析：磁阻效应可用于磁传感器。50.半导体异质结的特点是（）。A.能带不连续B.载流子迁移率高C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：半导体异质结具有能带不连续、载流子迁移率高等特点。51.半导体中的深能级杂质对（）影响较大。A.少数载流子B.多数载流子C.电阻D.电容答案：A解析：深能级杂质对少数载流子影响较大。52.半导体中的表面态会（）。A.影响器件性能B.增加导电能力C.减小电阻D.以上都不是答案：A解析：表面态会影响半导体器件的性能。53.半导体中的电导调制效应常见于（）。A.三极管B.二极管C.电阻D.电容答案：A解析：电导调制效应常见于三极管。54.半导体中的雪崩击穿发生在（）。A.低反向电压B.高反向电压C.正向电压D.零电压答案：B解析：雪崩击穿发生在高反向电压下。55.半导体中的齐纳击穿发生在（）。A.低反向电压B.高反向电压C.正向电压D.零电压答案：A解析：齐纳击穿发生在低反向电压下。56.半导体中的扩散电容与（）有关。A.正向电流B.反向电流C.正向电压D.反向电压答案：A解析：扩散电容与正向电流有关。57.半导体中的势垒电容与（）有关。A.正向电流B.反向电流C.正向电压D.反向电压答案：D解析：势垒电容与反向电压有关。58.半导体中的少子寿命通常用（）来测量。A.光电导衰减法B.霍尔效应C.电导法D.电容法答案：A解析：少子寿命通常用光电导衰减法测量。59.半导体中的施主能级靠近（）。A.导带底B.价带顶C.禁带中央D.以上都不是答案：A解析：施主能级靠近导带底。60.半导体中的受主能级靠近（）。A.导带底B.价带顶C.禁带中央D.以上都不是答案：B解析：受主能级靠近价带顶。61.半导体中的电导有效质量（）。A.等于惯性质量B.大于惯性质量C.小于惯性质量D.以上都有可能答案：D解析：电导有效质量可能等于、大于或小于惯性质量。62.半导体中的霍尔系数的符号可以判断（）。A.半导体类型B.载流子浓度C.迁移率D.以上都是答案：A解析：霍尔系数的符号可以判断半导体类型。63.半导体中的电导与（）成正比。A.载流子浓度B.迁移率C.载流子浓度和迁移率的乘积D.以上都不是答案：C解析：电导与载流子浓度和迁移率的乘积成正比。64.半导体中的热导率与（）有关。A.晶格振动B.载流子浓度C.迁移率D.以上都是答案：A解析：热导率主要与晶格振动有关。65.半导体中的介电常数反映了（）。A.对电场的屏蔽能力B.导电能力C.热传导能力D.以上都不是答案：A解析：介电常数反映了对电场的屏蔽能力。66.半导体中的费米能级的位置反映了（）。A.半导体的导电类型B.载流子浓度C.温度D.以上都是答案：D解析：费米能级的位置与半导体的导电类型、载流子浓度和温度等都有关。67.半导体中的施主杂质电离能（）。A.等于受主杂质电离能B.大于受主杂质电离能C.小于受主杂质电离能D.以上都有可能答案：C解析：施主杂质电离能小于受主杂质电离能。68.以下哪种测试方法常用于测量半导体的电阻率（）。A.四探针法B.三探针法C.两探针法D.单探针法答案：A解析：四探针法常用于测量半导体的电阻率。69.半导体中的间接复合需要通过（）。A.杂质能级B.导带C.价带D.禁带答案：A解析：间接复合需要通过杂质能级。70.半导体的电导率随温度升高的变化趋势取决于（）。A.本征激发和杂质电离B.载流子浓度C.迁移率D.以上都是答案：D解析：半导体电导率随温度升高的变化趋势受本征激发、杂质电离、载流子浓度和迁移率等多种因素影响。71.对于半导体，以下说法正确的是（）。A.导带中的电子可以导电B.价带中的空穴不能导电C.禁带中的电子可以导电D.以上都不对答案：A解析：导带中的电子可以参与导电。72.半导体中的施主杂质浓度增加，费米能级（）。A.向禁带中央靠近B.向导带靠近C.向价带靠近D.位置不变答案：B解析：施主杂质浓度增加，费米能级向导带靠近。73.半导体中的受主杂质浓度增加，费米能级（）。A.向禁带中央靠近B.向导带靠近C.向价带靠近D.位置不变答案：C解析：受主杂质浓度增加，费米能级向价带靠近。74.以下哪种半导体器件具有放大作用（）。A.二极管B.三极管C.电阻D.电容答案：B解析：三极管具有电流放大作用。75.半导体的能带结构是由（）决定的。A.晶体结构B.原子结构C.电子结构D.以上都是答案：D解析：半导体的能带结构由晶体结构、原子结构和电子结构共同决定。76.在半导体中，电子和空穴的复合会（）。A.释放能量B.吸收能量C.不释放也不吸收能量D.以上都有可能答案：A解析：电子和空穴复合时会释放能量。77.半导体的扩散长度与（）有关。A.扩散系数B.寿命C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：半导体的扩散长度与扩散系数和寿命都有关。78.半导体的电阻率与（）成反比。A.载流子浓度B.迁移率C.载流子浓度与迁移率的乘积D.以上都不是答案：C解析：半导体的电阻率与载流子浓度与迁移率的乘积成反比。79.半导体中的杂质分布可以是（）。A.均匀分布B.非均匀分布C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：半导体中的杂质分布可以是均匀的，也可以是非均匀的。80.以下哪种不是半导体的光学性质（）。A.吸收B.反射C.折射D.磁性答案：D解析：磁性不是半导体常见的光学性质。81.半导体中的激子是（）。A.电子和空穴的束缚态B.自由电子C.自由空穴D.以上都不是答案：A解析：激子是电子和空穴的束缚态。82.半导体中的施主杂质在低温下（）。A.全部电离B.部分电离C.不电离D.以上都有可能答案：B解析：施主杂质在低温下部分电离。83.半导体中的受主杂质在低温下（）。A.全部电离B.部分电离C.不电离D.以上都有可能答案：B解析：受主杂质在低温下部分电离。84.以下哪种材料不是宽禁带半导体（）。A.硅B.碳化硅C.氮化镓D.氧化锌答案：A解析：硅不是宽禁带半导体，碳化硅、氮化镓、氧化锌是宽禁带半导体。85.宽禁带半导体的特点是（）。A.耐高温B.耐高压C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：宽禁带半导体具有耐高温、耐高压等特点。86.半导体中的量子限制效应在（）结构中表现明显。A.超晶格B.量子阱C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：在超晶格和量子阱结构中量子限制效应表现明显。87.半导体中的杂质散射会（）。A.降低迁移率B.增加迁移率C.不影响迁移率D.以上都有可能答案：A解析：杂质散射会降低迁移率。88.半导体中的晶格散射会（）。A.降低迁移率B.增加迁移率C.不影响迁移率D.以上都有可能答案：A解析：晶格散射会降低迁移率。89.半导体中的电导与温度的关系在低温下主要由（）决定。A.杂质电离B.本征激发C.晶格散射D.杂质散射答案：A解析：低温下电导主要由杂质电离决定。90.半导体中的电导与温度的关系在高温下主要由（）决定。A.杂质电离B.本征激发C.晶格散射D.杂质散射答案：B解析：高温下电导主要由本征激发决定。91.以下哪种不是半导体的制备方法（）。A.化学气相沉积B.物理气相沉积C.液相外延D.锻造答案：D解析：锻造不是半导体的制备方法。92.