苏教版高中化学必修1课时练习硅矿物与信息材料

课时分层作业（十九）

（建议用时：25分钟）

［合格基础练］

1.下列叙述正确的是（）

A.NazSiOs是硅酸盐，但不能溶于水

B.电影银幕用水玻璃浸泡，主要是了为防腐

C.建筑工业常用水玻璃作黏合剂

D.用水玻璃浸泡铁道的木制枕木，主要是为了防火

C［NafiOs既是硅酸盐，又是钠盐，硅酸盐大多难溶于水，而钠盐均易溶于水；浸泡银

幕主要是为了防火，而浸泡枕木主要是为了防腐；水玻璃有黏合作用，常作黏合剂。］

2.下列关于水玻璃的性质和用途的叙述中不正确的是（）

A.这是一种矿物胶，既不燃烧也不受腐蚀

B.在建筑工业上可以作黏合剂、耐酸水泥掺料

C.木材、织物浸过水玻璃后具有防腐性能且不易燃烧

D.水玻璃的试剂瓶可用磨口玻璃塞

D［水玻璃能够粘结玻璃，试剂瓶塞应用橡皮塞。］

3.下列说法正确的是（）

A.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质起反应

B.SiOz是制造玻璃的主要原料之一，它在常温下不与NaOH溶液反应

C.电脑芯片的主要成分是SiOz

D.CO2通入水玻璃中可以得硅酸

D［A中硅常温下能与F2、HF反应；B中SiOz常温下可与NaOH溶液反应；C中电脑芯片

的主要成分是Si；D中反应为NazSiOs+COz+HzOuHfiOs3+Na£03。］

4.昆仑玉的成分可简单看成是Ca2MgsSiGzSH）,,则其用二氧化硅和金属氧化物的形式可

表示为（）

A.CaO•MgO•SiO2•H20

B.2CaO•5MgO•8SiO2•H20

C.2CaO•MgO•SiO2•2H20

D.5CaO•2MgO•8SiO2•H20

B［根据昆仑玉的化学式，将Ca、Mg、Si、H分别写成氧化物的形式，按较活泼金属氧

化物一较不活泼金属氧化物一SiOz-HzO的顺序排列，再调整各氧化物前的计量数并使其与昆

仑玉化学式中一致，可得昆仑玉氧化物表示形式为2CaO-5MgO•8SiO2•上0。］

5.下列叙述正确的是()

A.CO?和SiO?都是酸性氧化物，所以两者物理性质相似

高温

B.因为CaC03+Si02=CaSi0s+C02t,所以硅酸的酸性比碳酸强

C.CO?和SiO?都能与碳反应，且都作氧化剂

D.SiOz既能和NaOH反应，又能和HF反应，所以二氧化硅属于两性氧化物

C［CO?和SiO?都是酸性氧化物，和其物理性质无因果关系，CO?熔、沸点低，硬度小，微

溶于水，Si02的熔、沸点高，硬度大，不溶于水。CO?和SiO?的物理性质相差较大，A项不正

高温

确；CaCO3+SiO2^=CaSiO3+CO2t,反应进行的原因是因为SiO?沸点高，CO?沸点低，而“较

强酸制较弱的酸”是溶液中复分解反应规律，B项不正确；CO?和SiO?都与碳反应，碳作还原

剂，CO?和SiOz作氧化剂，C项正确；SiO?与HF反应是HF的特性，SiO,不与其他酸反应，故

SiOz不属于两性氧化物，D项不正确。］

6.为确认HC1、H£03、HzSiOs的酸性强弱，某学生设计了如下图所示的实验装置，一次实

验即可达到目的(不必选其他酸性物质)。请据此回答：

(1)锥形瓶中装某可溶性正盐溶液，分液漏斗所盛试剂应为

(2)装置B所盛的试剂是,其作用是

(3)装置C所盛试剂是,C中反应的离子方程式是

(4)由此得到的结论是：酸性>>o

［解析］根据强酸+弱酸盐一弱酸+强酸盐分析可知，分液漏斗中盛装盐酸，A中盛放

Na2C03,根据Na2C03+2HCl=2NaCH-H20+C02t可以知道酸性HC1强于H2CO3,然后将生成的

CO2通入NazSiOs溶液中，反应为NaaSiOs+C02+H2O=H2SiO3I+Na2C03,由此判断酸性

H2CO3>H2SiO3,但需注意的是A中反应会有HC1气体逸出，故通入NazSiOs溶液前需将HC1吸收,

但不能吸收CO2,故选用饱和NaHCOs溶液。

［答案］(1)盐酸(2)饱和NaHCOs溶液吸收HC1气体(3)NazSi()3溶液SiO『+CO?+

H2O=H2SiO3I+COt(^SiOr+2CO2+2H2O=2HCOr+H2SiO3I)(4)HC1H2C03H2SiO3

［等级过关练］

7.将过量的CO?分别通入:①CaCL溶液②浓NazSiOs溶液③Ca(OH)?溶液④饱和NazCO：

溶液。最终溶液中有白色沉淀析出的是()

A.①②③④B.②④

C.①②③D.②③

B［CO?溶于水：C02+H20=H2C03,H2cO3的酸性比盐酸弱，而比硅酸强。根据酸与盐反应

的规律，COz通入CaClz溶液无明显现象；过量的COz通入浓NazSiOs溶液中有白色沉淀H2SiO3

生成;CO2通入Ca(OH)2溶液至过量,Ca(0H)2+C02=CaC03J+H2,CaCO3+H20+C02=Ca(HCO3)2,

最终生成Ca(HCO3)2而无沉淀；过量CO2通入饱和Na2cCh溶液中：Na2C03+H=0+C02=2NaHC03I,

生成的NaHCOs溶解度比NazCOs溶解度小而结晶析出。］

8.硅单质及其化合物应用范围很广。请回答下列问题：

制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(SiHCL)还原法是当前制备高纯硅的主

要方法，生产过程示意图如图所示：

跖英砂嗦耐573—，•上♦际侬粗)产"

|高纯硅I131K4SiHCb(纯———

(1)写出由纯SiHCL制备高纯硅反应化学的方程式：

(2)整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCL,遇水剧烈反应生成HzSiOs、HC1和另一种

物质，写出配平的化学方程式：

也还原SiHCL过程中若混入可能引起的后果是

［解析］(D根据质量守恒定律可知，SiHCL与压在高温下反应，生成Si和HC1,反应的

1357K

化学方程式为SiHCA+Hz=Si+3HClo(2)根据质量守恒定律，SiHCL遇水剧烈反应生成

H2SiO3>HC1和Hz,反应的化学方程式为SiHCl3+3H20=