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文档简介
传感器与自动检测技术全真模拟试卷四
试卷一(闭卷)
(考试时间90分钟,总分80分)
专
一二三
业题号总分
分数
评卷人
I一、单项选择题(本大题共10小题,每小题2分,共20分)
密在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合遨目要求的,
请将正确选项前的字母填在题后的括号内。错选、多选和未选
均不得分。
1、以下传感器中属于按传感器的工作原理命名的是()
A.应变式传感器B.速度传感器
C.化学型传感器D.能量控制型传感器
2、已知某温度传感器为对间常数汇=3秒的一阶系统,当受到突变温度
作用后,传感器输出指示温差的三分之一所需的时间为()秒
A.3B.1C.1.2D.1/3
3、直流电桥的平衡条件为()
A.相邻桥臂阻值乘积相等B.相对桥臂阻值乘积相等
C.相对桥臂阻值比值相等D.相邻桥臂阻值之和相等
线
4、霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括()
A.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
B.半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.周围环境温度变化
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
5、数值孔径NA是光纤的一个重要参数,以下说法不正确的是()
A.数值孔径反映了光纤的集光能力
B.光纤的数值孔径与其几何尺寸有关
C.数值孔径越大,光纤与光源的耦合越容易
D.数值孔径越大,光信号的畸变也越大
6、关于红外传感器,下述说法不正确的是()
A.红外传感器是利月红外辐射实现相关物理量测量的一种传感器
B.红外传感器的核心器件是红外探测器
C.光子探测器在吸收红外能量后,将直接产生电效应
D.为保持高灵敏度,热探测器一般需要低温冷却
7、微波传感器测量物体含水量主要利用下述微波的哪一个特点()
A.微波波长很短,频率很高B.水对微波的反射作用很强
C.微波的传输特性很好D.水对微波的吸收作用很强
8、采用下图所示的超声波传感器安装位置测量管道中流体的流量,图中
v代表被测流体的流速,若已知超声波在静止流体中的传播速度为c,
以下说法不正确的是()
A.若测得流体流速y后,根据管道流体的截面积,可求得被测流体
流量
B.若1为发生器,2为接收器,则超声波在流体中传播速度为
C+UCOS6
c.若1为接收器,2为发生器,则超声波在流体中传播速度为c-using
D.若采用时差法测流量,则测量精度主要取决于&的测量精度
9、采用50线/mm的计量光栅测量线位移,若指示光栅上的莫尔条纹移动了
12条,则被测线位移为()mm
A.0.02B.0.12C,0.24D.0.48
10、当氧化型气体吸附到P型半导体材料上时,揩导致半导体材料()
A.载流子数增加,电阻减小B.载流子数减少,电阻减小
C.载流子数增加,电阻增大D.载流子数减少,电阻增大
二、简答题(本大题共5小题,每小题6分,共30分)
1、什么是传感器的基本特性?传感器的基本特性主要包括哪两大类?解
释其定义并分别列出描述这两大特性的主要指标。(要求每种特性至少
列出2种常用指标)
2、试分析下图所示差动整流电路的整流原理,若招其作为螺线管式差动
变压器的测量电路,如何根据输出电压来判断衔铁的位置?
3、压电元件在使用时常采用串接或并接的结构形式,试述在不同接法下
输出电压、输出电荷、输出电容的关系,以及每种凑法的适用场合。
4、采用热电阻测量温度时,常用的引线方式主要有哪几种?试述这几种引
线方式各自的特点及适用场合。
5、什么是光电效应和光电器件?常用的光电器件有哪几大类?试解释这
第3页共5页
几类光电器件各自的工作基础并举例。
三、分析计算题(本大题共3小题,每小题10分,共30分)
注意:自动化、曲与专业的学生第1小题必做,并从第2-4小
题中选做两个小题;测控专业的学生在4个小题中任选3个小题。
1、通过某检测装置测得的一组输入输出数据如下表所示。试用最小二乘法
拟合直线,并求其线性度和灵敏度。
3、银铭一镣硅热电偶,工作时冷端温度为30r,测得热电动势
E(t,to)=38.560mv,求被测介质实际温度。(E(30,0)=1.203mv)
工作端0204060708090
温度(匕)热电动势(mv)
90037.32538.12238.91539.70340.09640.48840.897
4、利用一个六位循环码盘测量角位移,其最小分辨率是多少?如果要求每
个最小分辨率对应的码盘圆弧长度最大为0.01mm,则码盘半径应有多大?
若码盘输出数码为“101101”,初始位置对应数码为“110100”,则码盘实
际转过的角度是多少?
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试卷二(开卷)
(考试时间30分钟,总分20分)
题号评卷人得分
综合设计分析题
综合设计分析题(本大题共20分)
如上图所示为一弹性元件为圆柱型的应变式测力传感器结构示意
图。已知弹性元件横截面积为S,弹性模量为E,应变片初始电阻值(在
外力F=O时)均相等,电阻丝灵敏度系数为跖,泊松比为〃。
1、设计适当的测量电路(要求采用全桥电路),画出相应电路图,
并推导桥路输出电压工和外力F之间的函数关系式。(提示:AR«R,
推导过程中可做适当近似处理)
2、分析说明该传感器测力的工作原理(配合所设计的测量电路)。
传感器与自动检测技术模拟试卷四参考答案
试卷一
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一、单项选择题(本大题共10小题,每小题2分,共20分)
在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正
确选项前的字出填在题后的括号内。错选、多选和未选均不得分。
1、A2、C3、B4、C5、B
6、D7、D8、B9、C10、A
二、简答题(本大题共5小题,每小题6分,共30分)
6、什么是传感器的基本特性?传感器的基本特性主要包括哪两大类?解释
其定义并分别列出描述这两大特性的主要指标。(要求每种特性至少列出
2种常用指施
答:传感器的基本特性是指传感器的输入-输出关系特性。
传感器的基本特性主要包括静态特性和动态特性。
静态特性是指传感器在稳态信号作用下的输入-输出关系,描述指标有:
线性度(非线性误差)、灵敏度、迟滞、重复性和漂移。
动态特性是指传感器对动态激励(输入)的响应(输出)特性,即其输
出对随时间变化的输入量的响应特性,主要描述指标有:时间常数、延迟时
间、上升时间、峰值时间、响应时间、超调量、幅频特性和相频特性。
7、试分析下图所示差动整流电路的整流原理,若将其作为螺线管式差动变
压器的测量电路,如何根据输出电压来判断衔铁的位置。
答:该差动整流电路是把差动变压器的两个次级输出电压分别整流,然后再
将整流后的电压的差值作为输出,具体整流原理如下:
A当U上正下负时,上线圈a正b负,下线圈c正d负。
上线圈:电流从a—1—2—4—3—b,流过电容G的电流是由2到4,
电容G上的电压为U24:
下线圈:电流从c—5—6—8—7—d,流过电容C2的电流是由6到8,
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电容C2上的电压为U68o
B当Ui上负下正时,上线图a负b正,下线图c负d正。
上线圈:电流从b—3—2—4一1一a,流过电容G的电流是由2到4,
电容G上的电压为U24;
下线圈:电流从d—7—6—8—5—c,流过电容C2的电流是由6到8,
电容C2上的电压为U68O
由此可知,不论两个次级线圈的输出电压极性如何,流经电容G的电流
方向总是从2到4,流经电容C2的电流方向总是从6到8,故整流电路的输
出电压为:
Uo=U26=U24+1)86=U24—Ug
①当衔铁位于中间位置时,U24=U68,.-.Uo=O
②当衔铁位于中间位置以上时,U24>U68,AUo>O
③当衔铁位于中间位置以下时,U24<U68,AUo<O
如此,输出电压Uo的极性反映了倚铁的位置,实现了整流的目的。
8、压电元件在使用时常采用串接或并接的结构形式,试述在不同接法下输
出电压、输出电荷、输出电容的关系,以及每种接法的适用场合。
答:采用串接结构形式时:在外力作用下,压电元件正负电极上的电荷量与
单片时相同,总电容量为直片时的一半,输出电压增大了一倍。这种结构形
式主要适用于以电压作为输出信号且测量电路输入阻抗很高的场合。
采用并接结构形式时:和单片相比,在外力作用下,压电元件正负电极
上的电荷量增加了一倍,输出电容为单片时的两倍,输出电压与单片时相同。
这种结构形式主要适用于测量慢变信号且以电荷作为输出量的场合。
9、采用热电阻测量温度时,常用的引线方式主要有哪几种?试述这几种引线
方式各自的特点及适用场合。
答:热电阻常用引线方式主要有:两线制、三线制和四线制。
两线制的特点是结构简单、费用低,但是引线电阻及其变化会带来附加
误差。主要适用于引线不长、测温精度要求较低的场合。
三线制的特点是可较好地减小引线电阻的影响。主要适用于大多数工业
测量场合。
四线制的特点是精度高,能完全消除引线电阻对测量的影响。主要适用
于实验室等高精度测量场合。
10、什么是光电效应和光电器件?常用的光电器件有哪几大类?试解释
这几类光电器件各自的工作基础并举例。
答:所谓光电效应,是指物体吸收了具有一定能量的光子后所产生的的电效
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应。根据光电效应原理工作的光电转换元件称为光电器件。
常用的光电器件主要有外光电效应器件和内光电效应器件两人类。
外光电效应器件的工作基础是基于外光电效应。所谓外光电效应,是指
在光线作用下,电子逸出物体表面的现象。相应光电器件主要有光电管和光
电倍增管。
内光电效应器件的工作基础是基于内光电效应。所谓内光电效应,是指
在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的现象,它可分
为光导效应和光生伏特效应。内光电效应器件主要有:光敏电阻、光电池、
光敏二极管和光敏三极管。
三、分析计算题(本大题共3小题,每小题10分,共30分)
注意:自动化、曲专专业的学生第1小题必做,并从第2-4小题
中选做两个小题;测控专业的学生在4个小题中任选3个小题。
1、通过某检测装置测得的一组输入输出数据如下表所示。试用最小二乘法拟
合直线,并求其线性度和灵敏度。
X1234
y2.24.15.88.0
解:设拟合直线方程为y=4
由已知输入输出数据,根据最小二乘法,有:
410
・・・_=20^0・••方程有解
111030
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4?130-101.5-0.5
2o[-lO
'=向2A224-0.50.2
2.2
111ll4.120.1
ArL=34j5.8
1259.8_
8.0_
1.5-O.5T2O.I0.25
X=(AA)TAfL=0,2£59.8
-0.51.91
aQ=0.25,a.=1.91
・・・拟合直线为y=0.25+1.9U
・•・输入X:1234
输出y:2.24.15.88.0
理论值9:2.164.075.987.89
"=仅一9:0.040.030.180.11
非线性误差为:
=土也空x100%=土”■x100%=±2.25%
YFS8
灵敏度为:S“=?=1.91
ax
2、一个以空气为介质的平板电容式传感
器结构如右图所示,其中a=10mm,b=16mm,
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两极板间距d=lmni。测量时,若上极板在
原始位置(Ax=0mm)上向左平移了2mm
(即Ax=2mm),求该传感器的电容变化量、
电容相对变化量和位移相对灵敏度Ko
(已知空气的相对介电常数£产中小,真
空时的介电常数8o=8.854x10,2F/m)
解:电容变化量为:
3£o(a-£r£^ab
AC=C-C
0~~dd~~~d~
1x8.854xIO-12x2xIO-3x16x10~3
=—2.83x10*(/)
bl。-
即电容减小了283x1()73/
电容相对变化量为:
AC_d_Ax_2x10-3
-3
CoE&abalOxlO
d
位移相对灵敏度为:
△CAx
Co_o_j_1
====100
\x~\x~a~10x10-3
3、银错一银硅热电偶,工作时冷端温度为30C,测得热电动势
E(t,to)=38.560mv,求被测介质实际温度。(E(30,0)=1.203mv)
工作端0204060708090
温度(匕)热电动势(mv)
90037.32538.12238.91539.70340.09640.48840.897
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0
解:由已知条件可知:to=3O℃,E(t,to)=38.560mv
・・・根据中间温度定律:
E(t,to)=E(t,O)-E(to,0)=E(t,O)-E(30,0)=38.560
・・・E(t,0)=38.560+E(30,0)=38.560+1.203=39.763(mv)
39.703<39.763<40.096
・・・E卡39.763,E,=39.703,E,F40.096
ti=960,tn=970
・・・被测介质实际温度为:
j+tef(一)
=96°+默|瑟(970一960)=961.527g
4、利用一个六位循环码盘测量角位移,其最小分辨率是多少?如果要求每个
最小分辨率对应的码盘圆弧长度最大为0.01mm,则码盘¥径应有多大?若码
盘输出数码为“101101”,初始位置对应数码为“U0100”,则码盘实际转过
的角度是多少?
解:•・•该循环码盘为六位循环码盘
360°
:.最小分辨率为:0==5.625°
设码盘半径为,V5.625°的角度对应圆弧长度为0.01mm,
360°5.625°
2b0.01
360x0.01…
r=---------h0.
2^x5.625
又丁码盘输出数码为“101101”,将其转换为二进制码,则
第11页共5页
循环码:101101
㊉11011
----V////
二进制码:110110
・・・二进制码为110110,对应十进制数为:
25+24+22+2,=32+16+4+2=54
同理,由于初始位置对应数码为“110100”,将其转换为二进制码,
循环码:110100
©I10011
----7////
二进制码:100111
・・・二进制码为100111,对应十进制数为:
25+22+雪+2°=32+4+2+1=39
・・・码盘实际转过的角度为:
ex=(54-39)。=15。=15x5.625°=84.375°
试卷二
综合设计分析题(本大题共20分)。
第1页共5页
2
如上图所示为一弹性元件为圆柱型的应变式测力传感器结构示意图。已
知弹性元件横截面积为S,弹性模量为E,应变片初始电阻值(在外力F=0
时)均相等,电阻丝灵敏度系数为K。,泊松比为〃。
1、设计适当的测量电路(要求采用全桥电路),画出相应电路图,并推
导桥路输出电压U。和外力F之间的函数关系式。(提示:AR«R,推导过程
中可做适当近似处理)
2、分析说明该传感器测力的工作原理(配合所设计的测量电路)。
解:1、全桥电路图为:
_—2u=&R3-&gU
u°=
【6+必.R2+Rj‘一(%+租/?2+口3)
第1页共5页
3
初始状态(尸=0)时,R[=/?2=氏3=%=凡,
4=0
当尸时,
wOR=R0+A7?j,R2=R04-A7?2,&=R°+A/?3,
/?4=/?0+A/?4
(R0+NR、+RQ+NR4)(R0+A/?2+R0+△&)
・・♦A/?«/?
・•・对上式作近似处理,略去分母中△/?项及分子中M高次项,则
U"=-------------------
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