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文档简介

1半导体芯片封装用导电胶性能要求及测试方法GB/T35494.1各向同性导电胶粘剂试验方法第1部分：ASTMD7028ASTMD418DASTM-E14613.13.23.323.43.53.63.7流体在剪切力的作用下结构被破坏后恢复原有结构的能力的好坏,用4缩略语RBOResinbleedingout树5.2性能要求5.2.1粘度半导体芯片封装用导电胶的玻璃化转变温度Tg选择取决于具体的封装工艺需求，应满足应用端的封装导电胶在低于玻璃化转变温度Tg时，其热膨胀系数CTE1应不大于80ppm/℃;在高于玻璃化转在常温下，半导体芯片封装用导电胶模量应在1000N/mm2~5000N/mm2范芯片封装用导电胶模量应在100N/mm2~435.2.7失重率半导体芯片封装用导电胶的RBO应满足应用端需求，以不进5.2.10剪切强度A>55(A>3.5483)5.2.11离子含量半导体芯片封装用导电胶中Cl-、Na+5.2.12气孔比例5.2.13高温高湿吸水率4导电胶粘剂根据GB/T20740规定进行取样并按照GB/T2导电胶粘剂的旋转粘度应按照GB/T2794中7.1的规定进行测量，其结TI=······································································7.4不挥发物测试57.5保质期测试法测试测定在25℃下的粘度，对比冷藏前后的粘度值，粘度变化应根据客户要求的固化条件进行测试并记录可条形薄膜,根据需要也可选择损耗模量读取Tg，测量的方法二：按照GB/T19466.2规定进行测试测量材料的比热容随温度的变化，并由所得的曲线确定玻璃化9.2拉伸模量拉伸模量测定按照GB/T33061.10-2剪切强度测定应按照GB/T7124-29.5导热系数将固化后的试样制成圆片形薄膜，选择水平扫描方式，按照GB/T22588的规定进行测试。9.6热膨胀系数9.7离子含量导电胶粘剂样品固化后制成粉末并充分回流制得萃取溶液，检测导电胶中Cl-、Na+、K+的含量。

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