1+X集成电路开发与测试学习通超星期末考试答案章节答案2024年

1+X集成电路开发与测试学习通超星期末考试章节答案2024年(1分)为了做好防静电和防尘工作,车间内()等都应采用防静电的不发尘材料。

答案:设备仪器;墙壁;天花板;地板;空调(1分)通常钽、钴、镍等难熔金属应用于()。

答案:阻挡层辅助运放测试法的注意事项如下:测量时被测运放应在指定条件(依据芯片数据手册要求)下工作;如果待测器件的失调电压可能超过几mV,则辅助运放的供电应当用±5V。()

答案:错ST板函数:_turn_switch()函数原形:void_turn_switch(char*state,unsignedintn,...);函数功能:打开或关闭用户继电器;参数说明:*state--接点状态标志(“on”,“off”),on:接通,off:断开n,…--继电器编号序列(1,2,3,···32),序列以0结尾;应用实例:_turn_switch(“on”,1,2,0);//闭合用户继电器1,2;()

答案:对()分选工序依靠主转盘执行,上料后主转盘旋转,每转动一格,都会将产品送到各个工位,每个工位对应不同的作用,包括上料位、光检位、旋转纠姿位、功能测试位等,从而实现芯片的测试与分选。

答案:转塔式分选机清除焊点周围的碳化助焊剂时应使用()。

答案:洗板水(1分)平移式分选机在芯片进入测试环节时,下列是不会在测试区遇到的故障有:()。

答案:吸嘴未吸起芯片;待测料盘无芯片探针卡是晶圆测试重要的材料,对测试结果起到重要作用。当探针卡使用次数过多会影响扎针测试结果。过多使用探针卡的表现有()。

答案:探针针尖过短;探针针尖变粗;探针针尖断裂使用重力式分选机进行芯片测试过程中,测试完成后,测试的结果会从测试机传到分选机内,分选机依据测试结果控制分选梭将芯片放入相应的位置。合格芯片由红色透明料管进行收料,而不合格芯片则由白色透明料管进行收料。()

答案:错(1分)热氧化工序结束后需进行膜厚测量,机械手臂将测试圆片送入测试腔体后,若是产品片,设备自动测试圆片。对错

答案:错(1分)重力式分选机进行并行测试时只能选择2sites进行测试。对错

答案:错(1分)在扎针测试时,核对信息一致后,可以直接进行测试。对错

答案:错(1分)转塔式分选机上的测试工位的测试内容是一样的。对错

答案:错(1分)扎针测试时,整个晶圆都会被测试。对错

答案:错根据产品参数特性,重力式分选机可分为并行测试和串行测试。并行测试一般是进行单项测试,适用于DIP24/DIP27的芯片;串行测试一般是进行多项测试,适用于普通DIP/SOP封装等模块电路。()

答案:错(1分)重力式分选机进行芯片串行测试时,每个测试轨道各连接一块不同测试程序的测试卡,不同的测试卡之间工作时互不干扰。对错

答案:对(1分)重力式分选机测试过程中,串行测试进行的是单项测试。对错

答案:错和待测芯片并行测试一样,串行测试也是由测试夹具(金手指)夹持固定后再进行测试,不同点在于串行测试区有A/B/C三个测试轨道,每个测试轨道各连接一块测试卡,测试卡之间互不干扰,模块电路依次进行不同电特性参数的测试。()

答案:对(1分)扎针测试即WAT测试。对

答案:对/star3/origin/3d3bd0f5c9b9639735dc382c191cbd39.png

答案:TOTAL=6000,PASS=5820最大不失真输出电压测试,输入信号步进值(),但测试时间会随输入电压步进值()。

答案:越小越好、减小而增加()可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一一对应。

答案:探针台/star3/origin/21bce606a55264c86f657f4047fba320.jpg

答案:PASS=5920,FAIL=80(1分)平移式分选机进行芯片测试时,()实现将测试区的芯片转移至分选区。

答案:出料梭(1分)扎针测试的步骤是:()。

答案:输入晶圆信息→清零→测试→检查扎针情况(无异常)→继续测试→记录测试结果(1分)转塔式分选机进行芯片测试时,进入测试工位的前一道工序是()。

答案:旋转纠姿(1分)平移式分选机进行芯片测试时,()将“中转站”的芯片转移至测试区。

答案:入料梭/star3/origin/1d635cf53f69be0e358545c63a151bcd.png

答案:A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管芯片测试的步骤为()。

答案:上料、测试、分选待测芯片的封装形式决定了测试、分选和包装的不同类型,而不同的性能指标又需要对应的测试方案进行配套完成测试,测试完成后,经()即可进入市场。

答案:人工目检、包装(1分)扎针测试时,在测试机界面输入晶圆信息,在扫描晶圆测试随件单的条形码时,不会出现的信息是()。

答案:晶圆片号/star3/origin/92086e42dec825308fd5fda8a292005e.png

答案:A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管晶圆进行扎针测试时,测试机将测试结果通过()传输给探针台。

答案:GPIB(1分)扎针测试时,测试机将测试结果通过()传输给探针台。

答案:GPIB(1分)IC封装根据材料可分为塑料封装、金属封装、陶瓷封装、和玻璃封装等,其中塑料封装为常用的封装形式。对错

答案:对(1分)()即方形扁平无引脚封装,表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。封装四侧配置有电极触点。

答案:QFN(1分)引脚从封装两侧引出,呈海鸥翼状(L字形)的封装形式是()封装。

答案:SOP(1分)封装按材料分一般可分为塑料封装、()和陶瓷封装等。

答案:金属封装封装工艺中芯片粘接环节的“芯片”就是晶粒。()

答案:对(1分)四侧引脚扁平封装英文简称为“QFN”。对错

答案:错封装工艺中切筋的目的是要将整条引线框架上已经封装好的元件独立分开,切筋后每个独立封装元件是一块树脂硬壳且其侧面伸出许多外引脚。()

答案:对封装工艺中,晶圆贴膜的主要目的有()。

答案:保证晶圆切割时不发生移动;粘附切割后的晶粒,防止其散落封装工艺中,晶圆框架盒的作用是()。

答案:固定并保护晶圆,避免其随意滑动而发生碰撞;便于周转搬运塑料封装的主要特点有()。

答案:工艺简单;成本低廉、质量轻;便于自动化生产芯片进行封装的目的是()。

答案:防止湿气等外部入侵;以机械方式支持导线架;将内部产热排除;提供可手持的形体封装材料一般可分为()等封装形式。

答案:金属封装;塑料封装;玻璃封装;陶瓷封装(1分)SOP封装的芯片一般采用()形式进行包装。

答案:编带封装工艺中,引线键合的前一道工序是()。

答案:芯片粘接(1分)()封装的芯片可以进行编带包装。

答案:SOP封装工艺中,塑封一般采用()为塑封料。

答案:热固性塑料窄间距小外形封装的英文简称为()。

答案:SSOP(1分)DIP封装一般采用()进行包装。

答案:料管封装工艺中,晶圆划片的作用是()。

答案:将完整的晶圆分割成单独的晶粒下列芯片封装形式错误的是()。

答案:BGA直插式封装/star3/origin/551d55bc65bf365e1bfa5dc8d8707d20.png

答案:图2芯片封装按材料一般分为塑料封装、()和陶瓷封装等。

答案:金属封装(1分)将烘烤完成的晶圆从烘箱中取出后,不需要核对晶圆印章批号和晶圆测试随件单信息。对错

答案:错(1分)进行晶圆盒包装时,在最后一层tyvek纸上方需放入海绵、干燥剂、晶圆测试随件单等辅材。对错

答案:对(1分)导片是在核对晶圆与晶圆测试随件单上的信息一致后,将同一批次的晶圆按片号依次放入常温花篮的过程。对错

答案:对(1分)在全自动探针台上进行扎针调试时,需要根据晶圆测试随件单在探针台输入界面输入的信息有()。

答案:晶圆产品名称;晶圆印章批号;晶圆片号;晶圆尺寸;X轴步距尺寸;Y轴步距尺寸(1分)以下选项中,属于特殊晶圆测试的有:()。

答案:避光测试;加温测试(1分)晶圆检测工艺流程中,使用全自动探针台对晶圆测试时,探针台的常规设置参数不包括()。

答案:目镜倍数(1分)在进行晶圆盒包装时,放入晶圆测试随件单后,盖上包装盒封盖,()贴标签,包装完成。

答案:在包装盒封盖上(1分)以下不属于根据晶圆测试随件单输入晶圆信息时输入的参数的是:()。

答案:Z轴步距尺寸/star3/origin/b4942baf40a3acbe7b8c24b27969d8b6.jpg

答案:AD36G1.1晶圆制造过程中,检测刻蚀质量的好坏,一般通过以下几个方面体现出来:()。

答案:刻蚀均匀性;图形保真度;刻蚀选择比;刻蚀的洁净度清洗是晶圆制程中不可缺少的环节,使用SC-1清洗液进行清洗时,可以去除的物质是()。

答案:颗粒清洗是晶圆制程中不可缺少的环节,使用SC-2清洗液进行清洗时,可以去除的物质是()。

答案:金属清洗是晶圆制程中不可缺少的环节,使用DHF清洗液进行清洗时,可以去除的物质是()。

答案:自然氧化物CadenceSE主要用于集成电路版图自动布局布线。()

答案:对标准单元版图其主要是用于大规模数字集成电路版图的自动布局布线。()

答案:对/star3/origin/45405d7085b8943e21dc83439cafeb5c.jpg

答案:有源区多晶层/star3/origin/43482d7811b03e6ba8687fe0da0d525c.png

答案:图4/star3/origin/99d36f50b5c0e1a3cd7a1d784cebaa21.png

答案:最小间距/star3/origin/eba27f2cd11bad6c6508abd703ba4cc6.jpg

答案:金属2上方孔请同学们把运行的界面加上你的学号和姓名贴图上来。

答案:无基区主扩散属于有限表面源扩散。()

答案:对以全自动探针台为例,在上片过程中,需注意花篮位置放置准确,否则有可能导致晶圆探针错位、破片。()

答案:对134、(1分)热封区域温度过高，操作人员需注意安全，防止烫伤。

答案:对(1分)打标时首先需要试片进行确认,先完成一个框架条的打标,若刻写位置无误、刻写线均匀、文字图案都清晰无误,打印没有问题,即可开始批量生产。对错

答案:对67、(1分)点胶头是通用的，不同的引线框架使用相同的点胶头。

答案:错(1分)铝的腐蚀液是磷酸腐蚀液。对错

答案:对在晶圆检测工艺中,如果遇到需要高温加热的晶圆,需要根据晶圆测试随件单上的加温条件进行加温后再调整打点器墨点的位置。()

答案:对(1分)进行化学机械抛光时,抛光液呈酸性。对错

答案:错防静电点检与门禁系统结合后可实现（）功能。

答案:C、身份自动识别;D、检测人体带有的静电是否超出进入车间的标准(1分)用转塔式分选机进行芯片检测时,需要在上料前进行的操作是:()。

答案:更换测试卡;更换测试程序;参数设置(1分)直径大于8英寸的单晶硅锭可以用()方法制备出来。

答案:CZ法;直拉法(1分)将烘烤完的晶圆从高温烘箱中取出后,需要核对的信息有:()。

答案:晶圆批号;晶圆片号;晶圆片数可作为引线键合材料的有()。

答案:铜线;铝线;金线(1分)用晶圆镊子夹取晶圆时,晶圆镊子的()应置于晶圆正面,()应置于晶圆背面,夹晶圆的空白部分,不可伤及晶圆。

答案:锯状头、平头;短边、长边(1分)在离子注入完成后,检验到硅片表面有颗粒污染严重的情况,该情况引起的主要问题有()。

答案:在局部阻挡掺杂;对微小器件结构造成沟型损伤;对器件结构造成连接或短路(1分)离子注入过程中,常用的退火方法有()。

答案:快速热退火;高温退火(1分)进入芯片封装工艺过程中塑封之后的工序车间必须穿戴的是()和()。

答案:防静电帽或发罩;防静电服(1分)芯片处于裸露状态的工艺车间,所穿戴的工作服的主要作用是()。

答案:防静电;防尘测试风淋设备可以对其两侧区域起到（）与（）的作用。

答案:D、隔离;B、缓冲(1分)进入芯片裸露状态的车间着装因注意()。

答案:头发要全部塞入帽子内;将个人物品(如钥匙、手机、工具等)放入置物柜中;胸牌别在工作服左边的插笔位置80、(1分)以下属于载带的特点的是：()。

答案:C、有用于索引定位的定位孔;B、有放置电子元器件的孔穴;A、等距分布(1分)制备电子级纯度的多晶硅的方法主要有()、()、()。

答案:四氯化硅氢还原法;三氯氢硅氢还原法;硅烷热分解法(1分)转塔式分选机的上料机构主要由()和()组成。

答案:气轨;振动料斗108、(1分)料盘外观检查时，需要检查的内容有：()。

答案:B、印章;A、管脚4、(1分)晶圆贴片环的主要作用是（）。

答案:A、使切割后的晶圆保持原来的形状/star3/origin/a360d5eb23fcd6f07005ce32cd3f464d.png

答案:编带/star3/origin/e448d38c9c9b375372d7f59f430ac045.jpg

答案:图4(1分)料盘进行真空包装时,一般会在内盒侧面的空白处贴()个标签。

答案:12、(1分)既保证二氧化硅的厚度及效率，又改善表面完整性，解决光刻时的浮胶问题的氧化方式是（）。

答案:D、干-湿-干氧化/star3/origin/c012f8a4a1d4e0d3be0463c98f0d8869.jpg

答案:图228、(1分)晶圆检测工艺中，在进行烘烤之前，通常需要进行的操作是()。

答案:B、打点/star3/origin/ea32a156fe15515a1aa67300f6252987.png

答案:A、图1(1分)封装工艺的车间一般采用下列选项中的()管理方法。

答案:5SLK32T102单片机工作频率最高支持()。

答案:72MHz(1分)料盘外观检查前期,将料盘从中转箱中取出后,将测试合格的料盘放在()。

答案:待检品区(1分)进行编带包装时,一个内盒中通常装有()盘真空包装完的编带。

答案:2(1分)完善的精馏技术可将杂质总量降低到()量级。

答案:10-7~10-10(1分)先进的平坦化技术有()。

答案:化学机械抛光法/star3/origin/ff1dc1c1888f66ee31c84cd14929798f.png

答案:B、AD36G1.1(1分)平移式分选机设备进行上料时,()进行芯片转移。

答案:需要用料盘(1分)转塔式分选机进行编带的步骤是:()。

答案:芯片光检→载带移动→热封处理→编带收料→清料(1分)用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时,通过()可以得到高纯度的四氯化硅。

答案:精馏塔/star3/origin/10ef8300a3227214a463ec1ce6cf53fb.jpg

答案:图1(1分)下面选项中不属于镀锡工序中酸洗的目的是()。

答案:消毒(1分)直拉单晶硅中放肩的工艺控制为()。

答案:采用大幅度地降低提拉速度,控制出一个均匀平滑的晶肩(1分)热氧化生长过程中,以下对氧化速率对氧化速率影响最大的因素是()。

答案:温度(1分)晶圆检测工艺中,在进行烘烤之后,通常需要进行的操作是()。

答案:外检/star3/origin/b0d7ef7c755b3e0bb997f66439fc40cf.png

答案:C、SOJ(1分)重力式分选机进行自动上料时,进入上料架,上料夹具准备夹取的料管中的芯片位置()要求:()。

答案:有;芯片印章在上面15、(1分)以下不属于根据晶圆测试随件单输入晶圆信息时输入的参数的是：()。

答案:D、Z轴步距尺寸(1分)集成电路制造工艺车间的清洁要求中,进行清洁需要使用()。

答案:清洁剂对于芯片检测工艺的车间，操作人员在进入前不需要（）。

答案:C、风淋(1分)可用于重力式分选机串行测试的芯片有()。

答案:模块DIP2422、(1分)塑封料的预热温度为（）。

答案:90-95℃3、(1分)贴膜机启动后首先需要设置温度进行加温，其目的是（）。

答案:D、增加蓝膜粘性63、(1分)平移式分选机进行芯片检测时，芯片在该区域的操作完成后会进入()区域。

答案:D、分选(1分)在外观检查中发现料管破损,应()。

答案:及时更换(1分)重力式分选机的测试环节是在()中进行。

答案:测试轨道11、(1分)当需要刻蚀的图形尺寸大于3μm时，一般使用（）。

答案:A、湿法刻蚀(1分)重力式分选机设备进行芯片检测的第三个环节是()。

答案:分选(1分)将上料槽最底端的待测料管推出,夹起料管,芯片根据自身重力沿送料轨下滑。上述所描述的是哪种分选机()。

答案:重力式分选机/star3/origin/716d0c320ff3aaddc724b95eccb6f7c5.png

答案:与非门/star3/origin/3bf2a8672be8c5cdeff402ee9c73db11.jpg

答案:1/star3/origin/d24d3baead8893f0ee103030248f7e7c.png

答案:分选/star3/origin/175816df904e56ed03cf0eb45bf60357.png

答案:图4(1分)化学机械抛光中,抛光液的作用是()。

答案:与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化(1分)引线键合机内完成键合的框架送至出料口的引线框架盒内,引线框架盒每接收完一个引线框架会()。

答案:自动下移一定位置(1分)铜电镀之前,需要沿着侧壁和底部,淀积一层连续的薄种子层,若种子层不连续可能导致电镀的铜产生。

答案:空洞/star3/origin/ee533a9e44c60ab7ce36b21b0d060d44.jpg

答案:分选区8、(1分)晶圆切割进行“对刀”操作时，应该将主轴移到晶圆的（）位置。

答案:B、中心(1分)塑封工序需要的设备有()。

答案:排片机(1分)编带完成外观检查后,需要进入()环节。

答案:真空包装(1分)通常情况下,以下()封装形式的芯片采用重力式分选机设备进行测试。

答案:DIP(1分)6inch晶圆烘烤时,温度一般设置在()℃。

答案:12012、(1分)以全自动探针台为例，()，承重台上的位置指示灯开始亮起。

答案:B、花篮的卡槽与承重台的上片槽密贴时(1分)以下哪种情况,探针针尖无法进行修复?()

答案:探针针尖被磨平/star3/origin/ebed280b8b17e1fbef7095ed05801b3d.png

答案:D、8英寸(1分)下列哪些工艺需要进行贴膜操作?()

答案:晶圆减薄(1分)DIP/SOP管装芯片采用()的方式进行检查。

答案:抽取零头盒+整数盒中随机抽一盒(1分)清洁车间内的墙面时要求使用()进行清洁。

答案:无尘布单晶炉加热过程中炉体冷却水中断或流量不足,提示水流量低报警,该故障是()。

答案:断水(1分)晶圆检测工艺中,在进行打点之后,通常需要进行的操作是()。

答案:烘烤54、(1分)平移式分选机设备没有()区。

答案:D、编带(1分)平移式分选机进行芯片检测时,当分选区的料盘放满进行收料时,需要将该料盘放在收料架上的()。

答案:最底层(1分)下列不属于晶圆划片的注意事项的是()。

答案:运行过程中要充入氮气,防止氧化/star3/origin/59ff18aca0977c815019cc52ad0767ab.png

答案:上片30、(1分)使用重力式分选机进行芯片检测时，上料完成后，设备进行的操作是()。

答案:B、分选(1分)转塔式分选机进行测前光检时,会在光检显示区显示光检结果,其中进行方向判断时,会在界面上显示的角度360度。对错

答案:错70、(1分)影响氧化速率的因素主要有氧化方式、氧化温度、硅片晶向、氧化剂压力、掺杂水平等，其中，湿氧氧化速率>水汽氧化速率>干氧氧化速率。

答案:错(1分)完成规范的着装后,不可以直接进入车间。对错

答案:对热扩散掺杂的工艺可以一步实现。()

答案:错温度对氧化速率常数A、B都有影响,压强只影响氧化速率常数B。()

答案:对根据光刻胶如何响应紫外光的方式,可以将光刻胶分为正性胶和负性胶。()

答案:对蒸发镀膜中电阻加热源可分为直接加热源和间接加热源,其中直接加热源的加热体和待蒸发材料的载体为同一物体;而间接加热源是把待蒸发材料放入坩埚中进行间接加热。()

答案:对82、(1分)真空包装机是将抽嘴放入防静电铝箔袋内，抽空空气后，退出抽嘴，完成封口。封口采用气压式，仅2-10秒即可完成。

答案:对(1分)球键合一般采用75μm以下的细金属丝,并且用于焊盘间距大于100μm的情况下。对错

答案:对电阻器的主要技术指标有额定功率、标称阻值、允许偏差(精度等级)、温度系数、非线性度、噪声系数等项。()

答案:对68、(1分)装片机进行芯片拾取时，晶圆以及载片台保持不动，机械吸嘴与摄像头按照设定的步进与吸取顺序移动，每次移动一个晶粒的距离。

答案:错58、(1分)间隙原子是线缺陷。

答案:错123、(1分)料管与编带的防静电铝箔袋是一样的。

答案:错(1分)需要加温的晶圆是在扎针调试完后,再对晶圆进行加温。对错

答案:错编带外观检查结束后,打印的标签需要贴在()上。

答案:编带盘;防静电铝箔袋;内盒(1分)塑封工艺中,需要进行预热的是()。

答案:塑封料;待塑封芯片辅助运放测试法的注意事项包括以下哪些()。

答案:电阻为的平衡电阻(减少输入电流对测量的影响),所以和需精密配对;测量时被测运放应在指定条件(依据芯片数据手册要求)下工作;与的精度决定测试精度(1分)编带由()和()组成。

答案:盖带;载带42、(1分)在烘干箱中进行银浆固化时，需要注意以下事项（）、（）以及（）。

答案:A、烘干箱需检查气密性是否良好;D、烘烤过程中需要及时排出挥发物;B、在烘烤过程中需要充入氮气(1分)扎针测试时检查到扎针有异常情况,则接下来的步骤有:()。

答案:扎针调试;记录测试结果(1分)影响显影工艺的因素有()。

答案:显影液浓度;曝光度;显影方法;工序的温度和时间(1分)平移式分选机芯片检测结束后会进行清料,清料结束后,会在中转箱中放()等材料。

答案:芯片测试随件单;料盘(1分)切片是抛光片制备中一道重要的工序,因为这一工序基本上决定了硅片的四个重要参数,即晶向、()、()、()。

答案:平行度;翘度;厚度/star3/origin/7d598bf2ee12b6817bf0b9abd6be2bff.png

答案:C、放肩晶圆检测工艺在（）无尘车间内进行。

答案:C、十万级薄膜淀积完成后,需要进行质量评估。其中()是检测薄膜质量、组分及纯度的有效参数,可以用椭偏仪测量。

答案:折射率/star3/origin/02c284374729c5fead8c3a8a7a2ab96c.png

答案:测试(1分)装片机运行过程中,当视觉识别系统没有识别到芯片时,则()。

答案:进行换行识别或停止粘片(1分)既有物理反应又有化学反应的刻蚀方法是()。

答案:反应离子刻蚀25、(1分)在进行打点调试时，需要在晶圆的()进行打点调试，直至墨点合格。

答案:A、沿边直接剔除区域(1分)利用高能粒子撞击具有高纯度靶材料表面,撞击出的原子最后淀积在硅片上的物理过程是()。

答案:溅射(1分)在进行打点调试时,需要在晶圆的()进行打点调试,直至墨点合格。

答案:沿边直接剔除区域(1分)高温回流一般用于()。

答案:金属前介质(1分)()是连接测试系统和晶圆的纽带。

答案:探针测试卡/star3/origin/217926a54ff48c0e52566185eb19f93a.jpg

答案:引线键合/star3/origin/975e2955badbac5585e5e49f0746a11c.jpg

答案:粘接区/star3/origin/1e427b4d013191d06e92802bf70f41a2.jpg

答案:图226、(1分)在一片晶圆上进行打点的位置有()。

答案:C、沿边直接剔除区域和测试不合格区域/star3/origin/5f8a4eb71fbd92877cd3a93e05495604.png

答案:QFP/star3/origin/fe8c4e4a32f27d64375ba35c5a1497f9.png

答案:图227、(1分)以下步骤顺序中，正确的电镀流程为（）。

答案:A、装料→前期清洗→电镀槽电镀→后期清洗→高温退火(1分)真空包装时,需要在包装盒外套上()。

答案:防静电铝箔袋12、(1分)以下芯片粘接步骤顺序正确的是（）。

答案:D、放置引线框架和晶圆→参数设置→框架上料→点银浆→芯片拾取→框架收料→银浆固化(1分)若需要点出直径为2mm左右的胶点,则应选择内径为()的圆孔型点胶头。

答案:1.0mm/star3/origin/fff0e44b12e5a06e0718795549f61229.png

答案:人工加红色空料管(1分)料盘外观全部检查完后,对合格的料盘需要进行临时捆扎,临时捆扎时将()盒料盘(不含空料盘)捆扎在一起。

答案:10(1分)扎针测试时,完成晶圆信息的输入后,需要核对()上的信息,确保三者的信息一致。

答案:MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单(1分)请选择光刻工序的正确操作步骤()。

答案:预处理→涂胶→软烘→对准和曝光→曝光后烘焙→显影→坚膜烘焙→显影检查(1分)编带包装时,将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后,需要在内盒的封口边()处贴上“合格”标签。

答案:中央(1分)平移式分选机进行料盘上料时,在上料架旁的红色指示灯亮的含义是()。

答案:上料架上有料