项目名称：表面等离子体超分辨成像光刻基础研究首席科学家

项目名称：罗先刚起止年限：2011.1本项目以国家在国民经济和国防高科技领域对信息科学技术中新一代微纳信息器件的重大需求为牵引，研究P“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”两个重大专项对微纳制造技术的重P（衍射极限问题、分辨极限问题、感光机制问题、损耗问题、P超分辨成像器件和创新性贡献，建立相应的研究基地和人才队伍，形成具有核心自主知识产权的P光刻技术平台。通过本项目研究，使我国在P超分辨成像光刻理论、技新一代光学光刻技术路线，为采用光学方法突破16nm、甚至10nm以下光刻线宽节点奠定基础。建立SP超衍射和超分辨成像理论和技术体系，为16nm线宽节点以下光SPSP光刻分辨力极限、SP感光培养一支该领域高水平研究人才队伍和一批学术带头人，建立SP超分辨5～1016nm线宽SP超分辨成像理论模型，建立超衍射与衍射受限光学成像一体化设SP超分辨光刻感光机理模型，并用于研究对比度、焦深、工作距等SP光学光刻工艺理论和技术。（1）365nm32nmSP超分辨成像器件；（2）制作特征尺寸为32nm的光栅、NEFO16nm线宽分辨力SP光学成像设计结果。SCI10010065国新一代微纳光子功能材料和器件的长远发展奠定坚实的基础。973PPPPP成像光刻器件原理和方法以及P超衍射光学光刻技术和工艺等关键科学技术问题，获得32nm线宽分辨力P超分辨成像器件，制作特征尺寸为32nm的光栅、O字符等集成电路常用典型图形结构两项标志性成果，并建立P超分辨成像应用基础研究的理论和技术平台、研究基地以及人才队伍。继续发展矢量杨顾算法，使其能适用于分析亚波长范围的超衍射电磁PSM以及微区RamaFTIR-可见-米金属微结构的形貌、尺寸、周期性、介电参数等对超衍射行为的影响。类比传统材料科学中原子、分子、晶胞、缺陷、复合材料的结构划分（的影响，总结归纳结构类型和特征规律，为单元结构电磁振荡模型提供思路。在超衍射材料结构与电磁物性之间的关系模型上，主要从电偶极子、对比分析。超衍射光学材料的一般电磁特性的结构逆向设计，例如介电常数、磁利用色散匹配的复合单元结构等进一步对其优化。超衍射光学材料的损耗优化，用高分辨力的暗场显微镜研究纳米结构对光超衍射散射，用透射显微的P超衍射行为特征。从单层薄膜制备技术入手，包括单一组份、多种组份共存的膜层制备成分比例控制等方面的要求，攻关相关工艺技术问题。针对曲面膜层超衍射材料结构，发展面形可控的曲面膜层制备技术。量的薄膜沉积技术获得特定厚度分布的薄膜结构。利用扫描电子显微镜（M、原子力显微镜（AM）等精密纳米测层致密性、膜层厚度、纳米图形层结构尺寸等。利用X射线散射分析方法测试部缺陷。利用紫外光频段多光谱椭偏仪精确测试超衍射材料单元膜层结构的光在超分辨成像原理、物理机制、成像特性和规律研究方面采用理论分析和实验相结合的方案，从一些典型亚波长金属薄膜结构的P参数空间分布下的光波传输行为的数理公式利用多重级数展开和微扰近似理论（关系曲线。建立系统的超衍射材料中光波汇聚的理论模型，考察理想汇聚焦点的在研究超分辨成像器件与传统光学元件的组合成像特性和一体化分析系的对接，为一体化成像设计提供理论指导。超分辨成像器件结构建模和计算机辅助设计基本平台。在分析和归纳本运行环境。光线超衍射追迹方法成像分析方法和模拟计算软件。结合超衍射行为针对分辨力、焦深、放大率、畸变等超分辨成像器件关键光学特性，析方法，展开器件各种像差的数值模拟和仿真分析。建立超分辨成像器件光学设计软件与传统光学设计软件的接口，在超精确计算和模拟，可以在两者之间进行协同设计和优化。根据理论模型结合自行编制的电磁计算模拟软件，全面分析不同结构利用高倍率镜头将传统星点/分辨力检验靶投影到超分辨成像器件的物面上，然后再成像到像面上，进而检测器件的星点/分辨力聚焦情况。通过高分辨图像采集设备获得星点/分辨力的光强信息和分布特性。此方法同时适用于等倍率和缩上，再通过高倍率镜头进行观察。利用特殊设计和制作的接近式分辨力检验靶检测超分辨成像器件的实过分辨力靶的光成像在像面上。再通过高分辨图像采集设备获得分辨力图像。利用特殊设计和制作的接近式星点检验靶检测超分辨成像器件的星点分布特性。超分辨成像器件的光学调制传递函数检验采用对刀口扩展函数进行扫M在减小SPSP优化材料结构中的特征参数，根据P超衍射传输和耦合的物理机制和模型，减少局域电磁模式中的磁流损耗环路，将电磁能量集中在非损耗区域，减少电磁能在共振环路中的局域特性。365nm193nm等光刻波长下的增益材料和技术，通过在超衍射材料中嵌入有源材料实现SP波能量补偿，理论和实通过在感光层与超分辨成像器件之间建立局域共振模式，利用SP成在基于新现象的SP表面等离子体亚波长高分辨光学成像及光刻过程中的焦深调控和能量损耗补偿问题。结合超分辨结构(Super-RENS)技术，引入非线性光学效应及有SP的发展针对高分辨光学光刻结构的新测试手段和方法。发展如P光刻实验系统的关键单元技术方案主要有基于近场光学光纤探针纳米测和光学光刻实验应用研究演示。光刻工艺是P光学光刻技术的重要组成部分。超分辨成像器件具有利用传统长波长光源实现32nmP学光刻工艺。本项目提出的P32nm线宽分辨力的P超分辨成像器件及其实验验证，得到16nm线宽节点的超分辨成像设计结果，为未来16nm、甚至10nm以下线宽的光学光刻技术奠定了理论和方法基础，同时也为我国中长期科技战略发展规划中的“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”和“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”两个重大专项提供前沿制造技术基础。项目提出建立衍射受限与超衍射光学成像统一的理论和技术体系，可以P面地开展PP理论和技术基础。针对PP率的P光学光刻成像器件能够有效地解决掩模制备工艺中特征尺寸为32nm结衍射受限光学光刻系统的集成奠定了理论和技术基础。目前，P超分辨成像技术绝大部分是等倍率缩放，或在曲面结构上实现缩小倍率成像（如等，对实际应用带来巨大困难。本项目提出平面结构的缩小PPP分辨成像光刻技术的“波前工程”理论技术体系，同时结合P耦合匹配膜层结构思想，拓展P超分辨成像的工作距和焦深，解决P光学光刻应用方面的重大SP光学光刻技术向实用化方向发展。目前，这方面的研目总体目标和关键科学问题开展研究，或者从P成像光刻分辨力、光刻介质、光围绕P超分辨成像光刻研究的重大科技问题开展协同研究，彼此既有关联又有各自主攻的科研目标。SPSP分辨力极限的物理SP光刻分辨力研究的理论基石。第二课题研究PP型，并分析光刻材料对光刻分辨力的影响特性。该课题是研究P光刻工艺的理论基础。SP材料介电常数、损耗等特性的物理机制和途径，SP超分辨成像器件的研究提供材料基础。第四课题研究波前工程技术、P超衍射光学光刻工艺技术等提高P光刻图形论和实验基石。SPSP成像器件的物理原理和实现方法，为4-1课题1、限制SPSPSP成像分辨力、视场、焦深受限的物理因素并给出理论解决途径，研究影响SP成像和光刻分辨力极限的建立一套完整的P超衍射、超分辨成像理论仿真和优化设计平台。提供描述436nm、365nm、248nm或193nm波长入射光波前分布、偏振状态、膜层出能够实现波前调控提高P出实现P光刻长焦深器件设计软件和详细说明。提供一种拓展SP成像焦深（>100nm@32nm线宽）的有效方法，并为项35~451010~15SPSP超分辨成建立基于P光学的超分辨成像模型，系统地描述P超衍射成像光刻的物理过程，发展并完善SP超衍射成像的数值计算方法和理论模型，研究P体与电磁瞬逝波相互作用机理及其传播、耦合特性，研究限制P超衍射成像性能的因素，对P超衍射成像光刻分辨力的理论极限进行预测和分析。针对P超衍射成像的机理，在436nm、365nm、248nm或193nm波长光源条件下，提出P365nm波长光源条件下建立优化P光刻技术的衔接，探索利用传统光学的波前调控和预畸变技术提高P研究各种因素对SP利用内容（1）建立的理论模型和数值计算平台系统研究各种因素对P成P缘形貌、图形质量等对P光刻质量的影响，为制定P掩模设计和工艺标准提供依据。研究膜层厚度、重复周期、平整度、均匀度等因素对成像质量的影响，为PPP光刻质量提供前提。探索进一步提高SP在前面工作的基础上，同课题4，5结合，研究提高P光刻质量的理论机PPP成像的长焦深成像器件、相移器件等亚波长光学器件，用于改善P成像P扩展SPSP365nm波长光源条件下通过在传统光刻输入端SP成像时对相位进行调制，扩展成像焦深，改进工作距离。同其他课题合作，SP成像的特性，实现长焦深成像。研发一种焦深检测的系学术骨干：课题2、SP与光刻介质相互作用的机理研究本课题针对表面等离子体超分辨成像光刻中SP光场与光刻介质相互作用，研究在365nm波长光源条件下SP与光刻介质相互作用过程中电磁能量转换机制，分析光刻介质性能参数与光刻分辨力和图形质量之间的关系，建立SP光刻过程的物理描述和分析方法；基于光学非线性等效应，发展新型SP光刻介质，SP光刻的分辨力和灵敏度。获得SP与光刻介质相互作用过程中电磁能量转换机制，以及光刻介质性能参数与光刻分辨力和图形质量之间的关系。建立SP与光刻介质相互作用过程P光刻分辨力和灵敏度的新型P刻介质，为32nm线宽节点以下P光刻技术提供物理和技术支撑。给出32nm报告。发表论文35-506-1010-15人才和技术队伍。P365nm波长光源条件下P激发的过程和场分布特点；研究光刻掩模高频分量与P的耦合、转化以及P与P特性对P光刻过程中电磁能量利用和转换的影响。光刻介质的性能参数、表面平整度与P光刻图形质量的关系。研究并分析在365nm波长光源条件下PP光刻中相干效应以及改善P光刻线条对比度、陡度、边缘粗糙度的方法研究。SPP发展用于描述P）等计算分析工具。在365nmPP程及特性对成像光刻空间分辨力及局域场增强效应的影响。研究非线性等效应对P光刻介质中局域光场分布，以及焦距、能量集中度、形状的调控。365nmSP光刻介质的探索研究。探索金属纳米团簇的加入对SP光刻介质分辨力、灵敏度焦深等性能的改进。研究金属纳米团簇的种类、尺寸、浓度、形状等参数及引入方式对SP光刻介质性能的调控。研究究所课题负责人：学术骨干：SPSP耗的物理机制和技术途径，建立损耗影响SP光刻效率的分析方法和提高途径,深SP材料介电常数、损耗、色散行为的物理机制和技术途径。365nm193nmAg、Au、Al材料膜层，给出介电常数的测试结果（介电常数实部调制范围：3~-10)，提供完整详细可重复的提出增益补偿的SP传输、耦合多层金属介质薄膜结构，明确该结构样品的工艺制备方法以及其中SP传输和耦合损耗特性的测试分析方法，获得指导性Commented[s1]:代替“20mm薄膜的制备”20-300nmSP（365nm和193nm），论证SP传输与耦合损耗小于0.2dB/Commented[s1]:代替“20mm薄膜的制备”25~401010~155SPSP传输、耦合结构参量的相关性，SPSP在增益材料中的传输规律的研究，探索利用半导体增益材料补SP传输损耗。增益补偿方式的低损耗SP12的基础上，针对实现增益补偿的低损耗的传输、耦合，设SPSP光刻效率的应用要求，优低损耗SP在理论研究的基础上，为有效提高SP纳米光刻效率，开展制备低损耗SPSP模式的模场和损耗特性，并进一步实验分析造SP损耗的机理。SP在理论研究P传输、耦合与结构参量关系的基础上，探索调控P模式特性（包括波长、色散、能量分布、耦合等）的物理机理，研究金属/构中利用热光效应、电光效应实现P调控的有效途径。SPSPSP传输、耦合结构，SP的传输、耦合、色散特性进行测试。承担单位：课题负责人：黄翊东学术骨干：课题4、提高SP光刻图形质量的原理和验证方法研究高深宽比、陡直度好的高质量P光刻图形的原理和方法，为课题五P超分辨成像光刻技术实验验证奠定理论基础，并提供可靠的工艺技术支持。SP32nm203510~15本课题在课题一针对PPPPSP研究基于SP超分辨光刻的配套光刻工艺和方法，研究用于提高SP光刻质量的提高SP针对P成像光刻技术特点，研究提高P光刻图形质量的新机理和新方法，探响。研究波前照明技术对SP照明等波前照明技术对P法及仿真模型方式、照明偏振特性优化方法及仿真模型及其选择依据。提高SP分别搭建针对提高SP承担单位：课题负责人：姚汉民学术骨干：课题5、超分辨成像光刻器件原理和方法研究阐明超分辨SP成像器件物理原理，获得成像特性和规律，解决与超分辨搭建P16nm线宽分辨力SP光学成像设计结果。365nm32nmSP超分辨成像器件，制作32nm的光栅、NEFO字符等集成电路常用典型图形结构。20~303510~15本课题在前期P超分辨PSP在P超分辨成像物理机制方面主要研究内容包括：倏逝波以P波形式作P超分辨成像光学特性的相关数理模型和计算方法。在PP系模型；有效提高P光刻分辨力、延伸P成像工作距和焦深的理论和技术途径。可制备的超分辨成像光刻器件结构设计和优化方法，包括器件结构的设计依据、□缩小倍率超分辨成像器件和SPP纳米光学聚焦透镜中可对倏逝波光波振幅和位相调制的亚波长纳米PP纳米光像差分析等成像特性表征技术。SP开展超分辨成像器件与投影光学系统组合后实现缩小投影P光学光刻的工作P承担单位：课题负责人：罗先刚学术骨干：主要涉及SP超分辨成像理论模型及物SP1、建立SP型和表征平台，SPSP波SP2SP光刻质量对掩模参数的依赖特性，SPSP对光刻质量的影响，邻近效应修正的高质量P统研究SP超分辨成像特性规律和超分41P超衍射成像光刻的物P超衍射成像的数P与电磁瞬逝波相互作用机理及其传播、耦合特P2、研究P光刻过程中高频信息的传递过程，分析光刻结构特征参数对分辨力和图形质量的影响，SP光刻过程中的电磁能量转换机制。给出P光刻微观和料特性对光刻质量的影响，发展365nm感光显影数理模型和计算分析方法。5、制备金属(Au或Ag)的纳米颗粒；研制出体积百分比的均匀分散的金属纳米颗粒－料（线宽分辨力提高1.2倍以上。6、建立研究SPSP得SP模式特性和耦合特性与2、金属纳米颗粒的制备。通过物理和化学方法制备获得一定尺寸和形状的金属纳米颗粒。将非线性光学介质与光刻介质或金属掩膜结构复合，研究非线性等效应对P以及焦距、能量集中度、形状的调控。3、研究分析P模式损耗与结构参量之间的关系；系统研究高质量金属（Ag、Au）纳米膜层的制备工艺和方法；研究金属薄膜厚度和介电常数的测试方法，系统研究金属薄膜质量的量化表征参数和受工艺条件影响的规律。4、系统理论分析研究影响P光刻质量的各个因素，包括光源、照明、掩模、成像质量、基片、感光材料、曝光显影及处理工艺等。5、研究SP光刻中光学邻近效应掩模优SP光刻掩模检验的光刻实验系统和开展相关实验，45nmSP光刻掩6成像机理；超衍射材料用于成像的理论和设计途径，成像结构的设计原则，研究超分辨成像器件的放大倍率、焦深、视场、工作距等成像特性。7SPSP20～30nm3nm，有域内缺陷尺寸50nm～100nm9、建立光学邻近效应修正掩模建用于检验掩模质量的实验系掩模技术进行实验验证，P光刻实现45nm以下线宽的高质量一维光刻线条图形。1045nm的SP超分辨成像器件的优化分辨成像器件的成像性能测试45nm45nm1125～35篇，申请16～20项。SP分析和表征理论，提高分辨力、视场和焦深的物理技术途径，发展与P关的波前工程理论和技术，P影响感光特性和质量的规律，纳米金属颗粒对P属介质混合材料P1SP成像波长、振幅、SP成像质量表征的系统，给SP成像、分辨料薄膜层的制备工艺和方法，研究光源P光刻质量的影响和实验系统搭建、样品制备，45～32nm线宽P光刻掩模及光刻图形制备，与传统物镜对接和一体化设计分析方法，研究65nm2、初步建立感光物理模型、感光材料特性影响光刻质量的规律，初步建立365nm感光显影数理模型计算分析软件方法。3、分别制备出分辨力为1SP超衍射成像质量，像差分析SP的光刻胶与金属纳米颗粒的复SPSP光刻技术的衔接，探索利用传统光学的波前调控和预畸变技术提高SP光刻质量3、研究光刻光源P激发的过程和场分PP量耦合和转换过程；研究掩模版结构参数、膜层结构特点，以及光刻介质的特性对P光刻过程中电磁能量利用和转换的影响。4（如粘滞性、粘附性、抗蚀性、表面张力、平整度、以及力学模量等参数分辨力的影响。光刻介质的性能参数、表面平整度与P光刻图形质量的关系。研究并分析P膜层参数、材料匹配以及金属固有吸收损耗等对分辨力和图形质量的影响；进行SP光刻中相干效应以及改善SP光刻线条对比度、陡度、边缘粗糙度的方法研究。SP4、给出旋涂速度与光刻胶厚度100nm，伽马值：1.4～2出偏振选择性感光材料的初步试验效果。3～-10的6、给出有效激发真空波长为365nm、248nm、193nmSP于1nm，有效薄膜区域尺寸膜区域内缺陷尺寸50nm～100nm的空洞数目<10，100nm波前工程技术应用于SP光刻究多层金属/SPSP模SP模式的传输损耗特性。9SP光刻的1：1实验研究SP7、研究光源偏振态、离轴照明对SP1032nm超分辨成像器件40nmSPSP光刻质量的影响规律、分析及45SP11分辨成像器件的测试系统，提供i线缩小投影式SP光刻实验9和SP超分辨成像的对接方法和一体化1230~40篇，申请15~20项。1065nm研究基于相移等机理的长焦深SP超分P过程的数值仿真方法，研究光场空间偏P光场分布的影响，研究多层金属介质交替纳米薄膜结构中膜层之间物质渗透特性和分析评价方法，研究高质量多层金属/介质结构的制备工艺和方法，适合365nm、248nm、193nm的P料和方法途径，研究光刻材料处理工艺对SP光刻质量的影响，研究P光刻配套传递工艺，利用光刻实验系统与超分辨成像器件进行投影光刻，开展提高光刻图形质量的实验研究，根据像差补偿技术和光刻实验结果，优化改进超分辨成像器件制备工艺。1于表面等离子成像的长焦深成像器件、相移器件等亚波长光学器件，用于改善P成像、聚焦光刻功能器件的性能分析和优化设计。2SP光刻工艺过程的数31、提交长焦深SP顾算法”等优化设计算法进行SP成像器件的设计，实现焦深2Lens视场SP16nm5：1，1000nm。365nm感光显影数理模颗粒改善32nm光刻胶相关性线性系数3~10-10esu（50～100nm，伽马值：2.0～2.5SP究径向偏振光高效最优SP特性对成像光刻空间分辨力及局域场增强效应的影响。研究非线性等效应对光刻介质中局域光场分布，以及焦距、能量集中度、形状的调控。研究金属纳米颗粒的浓度、尺寸、形状等参数对光刻胶相关参数的影响。4/SPPurcell效应的影响；研构中有效激励波长为365nm、248nm、193nmSP模式的方法；实验研究多层金属/介质结构中SP模式的传输损耗特6、研究光刻材料处理工艺对P量的影响，搭建用于检测光刻材料处理工艺结果的实验系统。7、研究P光刻对图形传递工艺的特殊要求及相互作用影响，利用光刻实验系统与超分辨成像器件进行投影光刻，开展提高光刻图形质量的实验研究。87、制备出多层金属/10～20nm，SiO2薄膜厚度10～20nm，总厚度>100nm度为<10nm，最大起伏小于<2nm，空洞缺陷少（1mm尺度范围缺陷数目<1个。9的检测系统（厚度、表面等，实验研究光刻材料处理工艺评价对P光刻质量的影响。10SP光刻图形传递工艺宽比（大于2：1）的深刻蚀工11SP光刻质量提高手段，实现40nm～32nm线宽SP1.5：1i线波长条件下获得初步的32nm线宽分辨力光32nm辨成像的成像理论和像差理论，改进32nm22nm1325~40篇，申请15～20项。拓展SP超分辨成像焦深和工作距的方1、实现SP学设计软件的衔接和数据接口和详细说明。2、实现利用传统光学波前工程进行P完成焦深检测系统方案的实验验证。3365nm感光显影表面粗糙度1nm)或金属纳米4、实现SP100nm2.0～2.7，1.4倍以上。SP模式传输损耗的补偿特性，SPSPSP能量分布、耦合特性的物理机理，实验研究增益补偿的P型P究32nm线宽的光刻工艺及提高光刻图P32nm1SP成像原理模型，通过在传统光刻输入端或SP成像时对相位进行调2、研究基片上金属纳米薄膜或阵列（薄膜厚度和阵列参数）3等材料与结构参数对P光刻线条宽度及光刻质量的影响，给出优化的理论与实验结果。对比研究线偏振光、轴对称偏振光在P激发方面的不同特性以及与光刻介质相互作用的特点。开展径向偏振光光刻的实验研究工作。4、理论分析有源增益材料和结构对模式传输损耗的补偿方式，设计并制备传输、耦合等结构。5、优化多层金属/介质结构参数，摸索365nm193nm工作波长有效降低SP模式传输损耗的方法；实验研究增益SPSP模SP模式SP调控的结构。7、开展新型P光刻介质的光刻工艺研究，实验验证提高线宽分辨力、光刻质P32nm宽的光刻工艺及提高光刻图形质量的方法。8、理论和实验探索研究SP与辐射电子SP>Ф5mm,金属薄膜厚度1020nmSiO2薄膜厚度1020nm，总厚度>300nm7、制备出多层薄膜结构，SP传5dB/mm。8P光刻新方法和新技术以及优化工艺流程等，实现深宽比达到2：1的32nm线宽的P光刻一维、二维线条和O字符图形。916nm超分辨成像器件制备工艺的32nm超分辨成像1032nm典型集成电路SP光刻图形的制作，得到任意字符O32nm辨成像器件的像差特性的实验检测结果。11、发表论文30~40篇，申请15～20项。9、完善32nm及以下超分辨成像器件的像差特性及理论模型。完善传统光学和P超衍射成像系统的对接设计方案。设计16nm32nm以下超分辨成像器件的像差特性的实验验证方法及实现技术途径。1032nmSPP成像光刻分辨力理P成像光刻实验研光刻的线宽分辨力，研究金属纳米团簇对提高光刻分辨力和质量的影响作用，设计和制备低损的P实验研究光刻胶感光波长下增益补偿传输、耦合多层金属介质薄膜结构，完善并优化金属/介质多层膜的制备工艺,总结介电常数与材料和组分的关系,系统研究高质量PP光刻分辨力和图形质量的方法和可行性，完善32/22/16nm的的超分辨成像器件的设计32nm线宽光刻图形制备，研究探索248nm、193nm波长下1SP光刻超分SP光2、给出P感光物理模型、感光材料特性影响光刻质量的规365nm计算分析软件方法。3、给出满足365nm波长下32nm光刻需要的新型光刻介质光刻胶厚度：22～100nm2.0～3，非线性感光材料（线宽分辨力提高1.5倍以SP完成长焦深SP光刻超分辨成像器件的2、综合前期对P光刻的感光物理模型的分析、仿真结果，以及对光刻工艺参数的模拟分析，形成可以对光刻过程进行计算分析的程序模块。3、探索金属纳米团簇的加入对P光刻介质分辨力、灵敏度等性能的改进。研究金属纳米团簇的种类、尺寸、浓度、形状等参数及引入方式对P光刻介质性能的调控。研究金属纳米团簇与感光颗粒的微观结构、分布形态对光刻灵敏度的影响。试验其在365nm刻性能，测试其最小光刻分辨本领。继续开展非线性光学材料辅助的超分辨光刻的实验研究，轴对称偏振光源照明下的新型光刻方法研究，进一步提高其光刻的线宽分辨力。4SP传输损耗、耦合损耗与结构SP光刻效率，54、获得SPSP传输、耦合结构。>Ф5mm,金属薄膜厚度SiO2薄膜厚度<10nm>500nm6、获得增益补偿的P将增益补偿的P层结构应用于光刻技术的可行性，得到指导性结果。20300nmSP横向传输波长范围内（工作波长365nm193nm）SP传输与耦合损耗0.2dB/mm的可行性。8、建立和完善P超分辨光刻工艺操作流程及评价标准，制定SP超分辨光刻工艺标准草案。922nm、16nmSP作；实验探索在光刻技术中利用增益材料有效降低P模式损耗的可行性。6/32nmNEFO字符等集成电路常用典SP7、建立系统的SP光刻工艺实验平台和实现高质量SP光刻图形制备的工艺标32nm1130-4015-20SP等方面，完善32/22/16nm932nm超分辨成像器件的制备工SP对接的光刻实验验证系统，完成高质量的32nm线宽光刻图形制备，实验探索32nm线宽以下光刻分辨力。10、研究探索248nm、193nm径，为开发高能量利用率的超衍射材料，提出导向性方案。紫外/SPg线（436nm）i（365nm），其超衍射分辨能力（22nm以下）（如193nm5nm等10nm1nmP金属PP耦合和传输模式行为理论分析和实验测试等。SP在系统掌握亚波长超衍射材料中的超衍射行为规律和机制等方面的知识基P慧差、像散、色差等初级像差缺乏准确的物理分析、数学模型和光线追迹方法，因而尚未建立合理的P分辨成像器的制作提供清晰的蓝图，并能够有效地指导制作工作的完成。成像分析等方面的理论和技术接口。影响SP分辨力理论极限。P光刻是通过操纵倏逝波的传输、耦合模式，实现空间截止频率调制，突等因素的影响对提高P道，缺乏对这些影响因素与P光刻分辨力之间关系的系统分析。解决P光刻分辨力极限将面临着以下几个关键科学技术问题需要研究：由于SP光刻分辨力的实现首先是通过SP波与光刻介质相互作用，进行电PPP光刻分辨力必须面对的关键科学技术问题和难点。超衍射材料和SP超衍射材料和器件的主要制作手段目前仍是微细加工技术和化学自组装技以及缺陷的人为引入一直是科研工作者努力解决的问题。超衍射材料和器件制备中关键科学问题包括纳米模板技术制备金属材料多是制约亚波长金属微纳结构光学性质研究的关键因素。6、基于超分辨成像的高质量SPSPSP光刻技术走向应用的重要条件。SP光刻的独特物理特性，尽管于传统光刻材料和工艺兼容，SP光刻的最佳设计和工艺参数，实现高深SPSP光刻技术应成的各种局域、耦合P波模式分布，研究P波模式之间的相互激发、转换规P的各种匹配条件以及相关参数与超衍射光强定域分布的关系。研究实现超衍射光学行为调控手段和结构设计原则，包括实现特定方向的折射/反射、电磁波空间频谱裁剪、倏逝波与传输波之间的耦合转换、电磁波沿特定方向衍射等等。针对紫外光、深紫外频段电磁波，研究在超衍射人工结构中表现出的（究提供超衍射材料方面的光学宏观描述方法。研究紫外到深紫外频段下，实现特定宏观光学介电常数、磁导率、表面阻抗和调控P计算法和分析软件。研究紫外到深紫外频段下，用于实现电磁波超衍射传输和调控的各种研究掺杂型复合金属薄膜材料的制备方法和介电常数调节和测试，研究降低P传输耦合损耗的理论和方法技术途径，探索增益补偿方式的P传输耦合材料和可行性研究。研究分析超分辨P成像器件的各种成像基本特性，包括光学传递函/P超分辨成像的像质评判、像差分析等方面的完整数理模型，研究各种像差（包括球差、慧差、色差等）校正和补偿的原理和实现方法。研究超分辨成像与传统衍射受限成像光学系统的共