TIAWBS 021-2024 碳化硅晶片边缘轮廓检测方法

H80/84团体标准碳化硅晶片边缘轮廓检测方法中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布T/IAWBS021—2024 II 12规范性引用文件 3术语和定义 14方法提要 15干扰因素 16仪器设备 27试样 28测试程序 29精密度 310测试报告 3T/IAWBS021—2024本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟标委会归口。本文件起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材料有限公司本文件主要起草人：佘宗静、彭同华、王大军、刘祎晨、王波、赵宁、张平、杨建、郑红军、蔡丽艳本文件为首次制定。1碳化硅晶片边缘轮廓检测方法本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓(包含切口)的检测方法。本文件适用于检测倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓(包含切口),其他材料晶片边缘轮廓的检测可参照本文件执行。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4方法提要将碳化硅晶片放置在LED光源下，光源照在碳化硅晶片边缘，CCD相机将碳化硅晶片边缘(不包括参考面)或切口轮廓形状的图像导入电脑，进行二值化(即将图像上的像素点的灰度值设置为0或255,将整个图像呈现出明显的黑白效果的过程)处理后，通过曲率及直线切点计算得出边缘轮廓长度，测试原理如电脑显示(包含图像处理软件)光源电脑显示(包含图像处理软件)光源碳化硅晶片载物台图1所示。电脑显示(包含图像处理软碳化硅晶片载物台光源图1(a)检测晶片边缘图1轮廓仪测试原理图5干扰因素5.1已倒角碳化硅晶片边缘的表面颗粒或沾污，会掩盖晶片的轮廓形状，对测试结果产生误差，因此应保证洁净的环境。5.2碳化硅晶片的翘曲度会对测试结果产生误差。5.3碳化硅晶片厚度的变化会对测试结果产生误差，因此应保证晶片厚度均匀。26.1LED光源：提供边缘轮廓的光照亮度，最大额定电流0.07A。6.2CCD相机：在2倍/4倍镜头下采集碳化硅晶片边缘轮廓(切口)形貌，2倍镜头测量晶片厚度范围6.3载物台：它是支撑测量碳化硅晶片的平台，通过旋转6.4数据分析系统：图像二值化处理后，提取边缘轮廓(切口)形貌，通过及直线切点计算得出边缘轮7试样8测试程序差应在标准误差范围(≤1μm)。8.2.1根据晶片尺寸调整载物台导柱位置，并将碳化硅8.2.2根据晶片类型及测试要求，选择CCD相机类型(Edge相机和Notch相机)及磨石样式(T型磨石和R型磨石)。8.2.3根据CCD相机提取静止图像并进行二值化图像处理，开始测量。边缘轮廓形状和测试结果会显示型(见图3)、切口(见图4)3不t碳化硅晶片厚度；图4切口偏差不大于20%;半径(R)的单个实验室标准偏差不大于15%,多个实验室再现性标准偏差不大于20%;测试报告应至少包括以下内容：4T/IAWBS021—2024d)测试类型（R型、T型、切口）；e)碳化硅晶