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谐振型介电响应中电容率实部和虚部与频率的关系
2谐振型介电响应中电容率实部和虚部与频率的关系
3上式适用于各种阻尼振动系统,当用于声子系统时,
0应为光学横模频率。设立方晶体每个原胞有两种离子,分别求解他们在外电场作用下的受迫振动方程,可得出电容率的表达式如下
4式中n是单位体积的振子数,q是有效电荷,μ是约化质量,
TO是光学横模频率。右边第二项的系数无量纲,称为振子强度,记为f,于是上式变为
5与此相反,电容率(实部)在光学纵模频率为零。后者可由麦克斯韦方程看出。设晶体中不存在自由电荷,且解为平面波,故:此式表明,电容率(实部)在光学横模频率呈现极点。
6在一般情况下,波矢具有与电场垂直和平行的两个分量。对于纵波,因为:只有=0才能使上式成立,所以
7令阻尼系数=0,由式(6.10)解出静态(=0)电容率又由式(6.10)可知,当=LO时,有
8由此二式可得出LST关系,即:Softmode
9如果每个原胞含有多于两种离子,且形成振动偶极子的振模(称为红外性模)共有P个,则(6.10)可推广为其中fj为第j个振子的强度。
10与式(6.11)的推导相似,由式(6.12)可得到多振子系统的LST关系:式(6.12)所表示的三参量模型只适用于个振子频率相距较远,阻尼较小的情况。
11在接近相变时振模软化,声子谱一般有相互耦合,且严重阻尼的模组成,此时可采用以下的四参量模型:此式是多振子系统与频率有关的LST关系。
12光学横模的频率
TO一般在红外范围,所以研究位移型铁电体的介电色散要采用红外技术。又因为这些模的吸收系数大,通常不是测量红外吸收而是测量红外反射谱。通过与实验数据拟和来确定振模参量和电容率。图6.3示出的是位移型铁电体LiN
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