硅光产业生产项目可行性研究报告-AI算力系列之硅光：未来之光趋势已现

硅光产业生产项目可行性研究报告-AI算力系列之硅光：未来之光，趋势已现编制单位：北京智博睿项目管理有限公司1、硅光技术及应用领域硅光技术是以硅和硅基衬底材料（如SiGe/Si、SOI等）作为光学介质，通过互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容的集成电路工艺制造相应的光子器件和光电器件（包括硅基发光器件、调制器、探测器、光波导器件等），并利用这些器件对光子进行发射、传输、检测和处理，以实现其在光通信、光传感、光计算等领域中的实际应用。从1969年美国贝尔实验室提出集成光学开始，到21世纪，Intel等企业开始进入硅光领域协助突破发展，硅光子技术开始进入产业化技术突破阶段。2008年后，Luxtera、Intel等公司开始推出商用硅光集成产品，硅光芯片开始正式进入市场化阶段。硅光技术的发展整体可分为四个阶段：第一阶段，通过硅基材料制造光通信的底层器件，逐步取代光分立器件；第二阶段，集成技术从混合集成逐渐向单片集成发展，将各类器件通过不同组合实现不同功能的单片集成，这也是目前硅光子技术的发展现状；未来第三阶段，预计将通过光电一体技术融合，实现光电全集成融合；第四阶段，器件分解为多个硅单元排列组合，矩阵化表征类，通过编程自定义全功能，实现可编程芯片。小规模硅光子集成时代，PIC上有1到10个组件，其中包括高速pn结调制器和光电探测器（PD），以及III-V激光器与硅PIC的异质集成；中等规模集成时代，Mach-Zehnder调制器（MZM）成功用在数据中心内的收发器中——PIC上有10到500个组件，包括单波长和多波长，基于微环调制器的收发器也体现了PIC技术的多路复用和能效优势。硅光子/电子平台中的相干收发器证明，该技术可以在性能上与LiNbO3光子和III-V族电子媲美。除了通信，硅光子还有更多新的应用，如生物传感器。大规模集成时代，在同一芯片上实现500到10000个组件，应用包括激光雷达、图像投影、光子开关、光子计算、可编程电路和多路复用生物传感器；甚至超大规模集成电路（>10000个元件）的原型现在也已出现。数通应用占硅光应用90%以上：市场研究机构Yole数据显示，2022年硅光芯片市场价值为6800万美元，预计到2028年将超过6亿美元，2022年-2028年的复合年均增长率为44%。推动这一增长的主要因素是用于高速数据中心互联和对更高吞吐量及更低延迟需求的机器学习的800G可插拔光模块，数通光模块的应用占硅光芯片市场的93%，复合增长44%。此外在电信领域、光学激光雷达、量子计算、光计算以及在医疗保健领域都有广阔的发展前景。LightCounting预计，基于GaAs和InP的光模块的市场份额将逐步下降，而硅光子（SiP）和铌酸锂薄膜（TFLN）PIC的份额将有所上升。LPO和CPO的采用也将促进SiP甚至TFLN器件的市场份额增长。LightCounting预计硅光芯片的销售额将从2023年的8亿美元增至2029年的略高于30亿美元。采用TFLN调制器的PIC销售额将从现在的几乎为零增长到2029年的7.5亿美元。传统DWDM光模块中使用的块状LiNbo3调制器的销售额将继续下降，到2029年将变得微不足道。2、硅光份额市场不断扩大，国内厂商积极布局硅光即硅基光电子，是以硅和硅基为衬底材料（如SiGe/Si、SOI等），并利用CMOS工艺对光电子器件进行开发和集成的新技术。普通光模块是实现光电转换的装置，其在功能上需对光信号进行调制和接收。普通光模块在制造上需要经过封装电芯片、光芯片、透镜、对准组件、光纤端面等器件，最终实现调制器、接收器以及无源光学器件等的高度集成。各器件主要通过封装技术进行集成。硅光模块所使用的硅光子技术是利用CMOS工艺进行光器件的开发和集成，基于CMOS制造工艺进行硅光模块芯片集成便是其最大的特点，亦是它与普通光模块最大的区别。硅光模块芯片通过硅晶圆技术，在硅基底上利用蚀刻工艺加上外延生长等加工工艺制备调制器、接收器等关键器件，以实现调制器、接收器以及无源光学器件的高度集成。硅光模块可突破传统单通道光芯片的传输瓶颈，在未来高速传输时代具有较大优势。相较传统分立光模块，硅光模块还拥有成本低、功耗低、兼容CMOS工艺、集成度高的优势。目前光集成商业产品技术路线主要分为III-V族和Si两大阵营，其中DFB、DML、EML等激光器是InP阵营，虽然技术相对成熟，但是成本高，与CMOS工艺(集成电路工艺)不兼容，其衬底材料每2.6年才翻一倍。而Si硅光器件，采用COMS工艺实现无源光电子器件和集成电路单片集成，可大规模集成，具有高密度的优势，其衬底材料每1年可翻一倍。QYResearch调研团队最新报告《硅光子学光学模块-全球市场洞察和销售趋势（2024年）》显示，预计2029年全球硅光模块市场规模将达到57.1亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为35.2%。与电芯片相似，硅光芯片的产业链上游为晶圆、设备材料、EDA软件等企业；中游可分为硅光设计、制造、模块集成三个环节，其中部分公司如Intel、ST等为IDM企业，可实现从硅光芯片设计、制造到模块集成的全流程；下游则主要包括通信设备市场、电信市场和数通市场（数据中心通信市场）。随着硅光市场规模逐渐扩大，传统光模块厂商也在通过自研/并购切入硅光设计领域。在数据通信市场，英特尔以61%的市场份额领跑，思科、博通和其他小公司紧随其后。在电信领域，思科（Acacia）占据了近50%的市场份额，Lumentum（Neophotonics）和Marvel（Inphi）紧随其后，相干可插拔ZR/ZR+模块推动了电信硅光市场的发展。在目前市场竞争中，中国厂商份额较少，但国内的中际旭创、新易盛、光迅科技、博创科技、铭普光磁、亨通光电等开始参与竞争，推出了400G、800G甚至1.6T的硅光模块，旭创1.6T硅光模块更是采用自研硅光芯片并已处于市场导入期。硅光模块产业链分析Intel的100GCWDM4模块采用1271，1291，1311，1331nm波长，最长传输距离可达10km，采用QSFP28封装，有0-70℃和15-55℃两种温度规格。Intel的CWDM4的TX和RX芯片是分开的，TX是由4个III-V/Si混合集成激光器、4个MZ光调制器及调制器驱动芯片、基于EDG技术的MUX、光纤耦合部分组成，RX由4个Ge/Si探测器、TIA、PLC基DeMUX、光纤耦合部分组成。TX和RX的时钟和数据恢复采用MACOM的4通道25GCDR芯片。TX和RX光纤阵列多余的尾纤，通过盘纤进行整理固定。硅光技术在光开关、光波导、硅基探测器（Ge探测器）及光调制器（SiGe调制器）等已实现了突破。目前的硅光技术仍主要体现成两种基本形态，除采用大规模集成电路技术（CMOS）工艺集成单片硅光引擎方案外，市面上更常见的方案为混合集成方案，主要是光芯片仍使用传统的三五族材料，采用分立贴装或晶圆键合等不同方式将三五族的激光器与硅上集成的调制器、耦合光路等加工在一起电光调制器完成从电信号到光信号的转换功能，是光互连、光计算和光通讯系统的关键器件之一。在硅基电光调制器中，应用最广的调制机制是等离子色散效应：外加电场作用改变硅波导中的载流子浓度，从而改变波导折射率和吸收系数。调制器常用光学结构有马赫-增德尔干涉仪（MZI）型和微环谐振腔（MRR）型。连续波激光器又称CW激光器，指拥有稳定工作状态，可发出连续激光的激光器。CW激光器具有相干性好、可靠性高、波长可调谐、使用寿命长等优势，在航空航天、医疗卫生、汽车制造、机械加工、电子产品等领域应用较多。硅光方案中，CW激光器芯片作为外置光源，硅基芯片承担速率调制功能。CW大功率激光器芯片，要求同时具备大功率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片要求更高。目前绝大多数硅光模块的应用场景用外置光源封装的方法已经能够满足要求。目前大部分主流客户需要的是70mw的产品，对于大部分400G与800G硅光模块已经足够，100mW的CW光源产品除了可用于400G硅光模块外，也可用于800G及1.6T的硅光模块，400GDR4硅光模块仅需1颗100mW光源就能实现，简化光模块设计，显著降低光模块成本。硅光模块必须采用高精度的自动耦合封装设备保障封装精度、良率和效率：传统的光模块采用自由空间的设计方式，对于封装耦合的精度要求较低，通常采用人工或半自动耦合的方式，封装的成本较低。硅基光电子技术面临不少难点，其中包括光纤和波导的高效耦合、封装。硅光模块集成度高，封装难度大，其耦合对准与封装的精度要求高，较难实现高质量、低成本的封装。根据Yole数据，目前阶段在硅光模块成本中，硅光芯片仅占约10%，封装成本占比约为80%。项目可行性研究报告（2023年5月1日新版）编制大纲第一章概论1.1项目概况1.2项目单位概况1.3编制依据1.4主要结论和建议第二章项目建设背景及必要性2.1项目建设背景2.2规划政策符合性2.3建设必要性第三章项目需求分析与产出方案3.1需求分析3.2建设内容和规模3.3项目产出方案第四章项目选址与要素保障4.1项目选址4.2项目建设条件4.3要素保障分析第五章建设方案5.1工程方案5.2建设管理方案第六章项目运营方案6.1运营模式选择6.2运营组织方案6.3安全保障方案6.4绩效管理方案第七章环境保护7.1执行依据7.2建设期环境影响分析及环保措施7.3运营期污染防治及处理措施7.4水土保持措施7.5特殊环境影响分析7.6结论7.7建议第八章节能分析8.1编制依据8.2节能原则8.3项目能源消耗的种类8.4节能措施第九章项目投资估算与资金筹措9.1投资估算9.2资金筹措第十章项目影响效果分析