高级半导体分立器件和集成电路装调工技能鉴定考试题库（含答案）

从0变化到50%)等于0.38RC。从0变化到50%)等于0.69RC。形标志。通常的外型是()。17.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定A、iE18.假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，Reqp和Reqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻，则反相器的传播延时定义为()。答案：C19.二场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()。A、饱和区B、非饱和区C、禁止区D、穿破区答案：A20.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将()。23.电阻器在电路中用字母()表示。延时的方法是()。B、将关键路径上的晶体管调整至靠近门的输入端C、逐级加大晶体管尺寸D、变换逻辑来减少单个门的输入信号个数28.Bi-Sr-Ca-Cu-0超导陶瓷的临界温度()。29.以下具有较低韧性的氧化锆陶瓷是()。30.氮化硅陶瓷具有()等性能特点。A、自膨胀D、自润滑31.标识为2n2的电容器，其容值应该是()。32.绝缘材料的耐热等级为E级时，其极限工作温度为()℃。所以在实际使用中发射极与集电极()。60.用万用表测量1.9k的电阻，档位应该选择()。61.人体消化道不包括：()。66.单极型半导体器件是()。70.某电阻的阻值是3300欧姆，误差范围是±1%,使用五色环标识时应是()。73.常用的焊料的主要成分是()。82.标识为473的贴片电容，其容值应该是()。83.以下不符合助焊剂要求的是()。A、熔点应低于焊料C、表面张力小D、具有强腐蚀性84.陶瓷的有()的性能特点。A、熔点高以近似为()。106.复合管，已知V1的1=30,V2的2=50,则复合后的约为()。则这只三极管是()。B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管109.属于配电电器的有()。120.稳压二极管主要是利用其()特性，可以在电路中稳压。B、导电性C、反向击穿特性D、非一线性言将呈现()。123.某色环电感的色环排列是“黄紫金银”,此电感的实际电感量和误差是(137.某电阻的阻值是20欧姆，误差范围是±5%,使用四色环标识时应是()。D、最大值为10V,最小值为0V行道最小距离不应小于()米。而()。187.在高频电路中，一般不允许选用()电阻统称为()。203.万用表电压量程2.5V是当指针指在()位置时电压值为2.5V。C、传播延时tp是tpLH(门的输出由低至高翻转的响应时间)和tpC、P沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管A、10uH±2%C、约等于150V221.根据国家规定，凡在坠落高度离基准面()以上有可能坠落的高处进行的作则M1管的阈值电压Vth1与M2管的电压Vth2的关系是()。231.D2均为硅管(正向压降0.7V),D为锗管(正向压降0.3V),U=6V,忽略二极管的反向电流，则流过D1、D2的电流分别为()。A、2mA,2mAD、晶型陶瓷材料247.摇表的两个主要组成部分是手摇()和磁电式流比计。A、直流发电机D、三相异步电动机248.当使用互补CMOS门实现一个具有N个输入的逻辑门时，所需要的晶体管数目为()个。A、抗氧化259.碘钨灯属于()光源。E、环保性(如无铅、无卤)B、干法清洗(如等离子清洗)A、X射线检测A、T0系列(如T0-92,T0-220)B、SOP(小外形封装)有重要影响。()eBonding)以实现芯片与外部电路的连接。()从晶圆上分离出来。()知识产权保护的范畴。()段。()功能正常。()热等功能。()和定位。()过此值器件将永久损坏。()特定的容器中。()在晶圆上形成图形。()可靠性。()的粗糙度和损伤层。()试，以确保其质量。()引脚之间的连接方式。()温度升高而增大。()精度和可控性。()大类。()并去除表面缺陷。()有低功耗的优点。()了沟道的导电性。()导电类型和