表面化学分析 X射线光电子能谱全扫描谱的准实时信息 含碳化合物表面污染的识别和校正规则 征求意见稿

1表面化学分析X射线光电子能谱全扫描谱的准实时信息含碳化合物表面污染的识别和校正规则而在全谱中观察到C1s峰。这些薄膜可以是通过有氧或电化学氧化在金属和合金上的表面污染中识别C1s信号的简单程序。当C1s峰被确定为来自于外来的覆盖层时，从全谱中得出的成—ISO在线浏览平台：https://www.iso.—IEC电子百科：http://www.electropedi选取部分完全可获得的光电子能谱进行详细采集，即窄谱扫a——在C1s峰之后的能量损失背景线性区域内在恒定强度下的最大值b——用以作为测量a数值时选择作为参考Ccontamination——污染层中碳的原子分数；2dcontamination——污染层的厚度；E——峰的电子动能（单位：eV），以校正覆盖层污染；Iz,measured——Z元素对应峰值的测量强度；Iz,corrected——对应于Z元素的校LC——污染层中C1s电子的衰减长度；5.1概述一些材料样品在其成分中不被认为是含碳的，在其X射线光电子谱图中经常观察到C1s峰。在少数在大多数情况下，C1s峰是有机化合物吸附膜存在的标志，通常称为污染层。污染可能走;空气本身含有各种各样的容易强吸附的分子，如洗衣服用的软化剂、个人护理产品及交通工具释放的石化化合物；或者实验室样品包装的薄膜（特别是在制造“塑料袋”中使用了增塑剂）。吸附可能析的样品本身。污染物的吸附受表面疏水/亲水特性的影响，或在水介质中受表面电势的影响，因此不应该注意的是，可以使用ARXPS（角分辨XPS）来获得污染表面膜，但由于缺乏合适的设备或对正确识别给定的C1s峰是来自于被吸附有机化合物的薄膜并表明其存在它不与材料表面的实际组件混淆;重要的是，它被认为具有表面膜的特性，因为只有在这种情况下，整它具有表面膜的特性。以下段落概述了评估这些属性与C1s峰相关的方法。每个属性的单个标识符以解污染膜的影响。3面分析中的实际使用的一个例子[15]。过IUVSTA研讨会34推荐的方法获得，即在一个包括CKVV俄歇峰的范围内，步长≤0.4eV[9]。一旦测量扫描完成，第一条规则就开始生效，但这要求C1s的预期位置峰值可以被识别。如果C1s峰是自动发现的，那么任何样品充电都应该是小的或已知的，以便其对峰的影响可以被补偿。在与C1s峰结合能没有明显冲突的情况下，根据结合能为285eV±0.4eV时是否存在峰值，可将碳-1s的值设为“是”，或默认为“否”。本文件中使用的规规则1仅仅表达了显而易见的东西，即如果在谱图中确定了C1s，那么碳元素将有助于对材料的整供分析，并在下一段中进行更详细的讨论。然而，这些知识被封装在即碳-污染N，以便能够对这些值进行分组，使达成共识，并设置未连接的对象的值，碳-污染为是或默4除了从C1s峰可以获得信息外，通过对样品类型及采样信息的掌握也可以获取相关信息。如果O1s峰出现在已获得的图谱中，那么它因为化学组成变化造成的化学位移将少于C1s峰[9]。因此，O1s峰和C1s峰之间的间隔可以被用来证明碳是以脂肪形式存在，所以样品存在被污染的特征合物甚至是碳化物有关。规则3体现了确定是否满足这一标识符号的方法。如果是“是”，那么这就代12如果样品是处于水-接触或空气-接触或谱图仪-未烘烤状态中，3456如果碳-Shirley-κ>0.01，75Y——cps5.3.3给出了将碳识别为可能是有机物的流程。本节给出了一种使用微分CKVV俄歇谱图来从sp3杂中的存在性是必要的，规则4确保了这一点。基于sp3杂化对分子位于D参数的值范围内，正是这一事实创造了基础用于识别有机污染的规则5。图2给出了所需测量值，表1中规则3给出了适当的范围6Y1——N(E)，计数×10-3Y2——dN(E)/dE输无关，导致峰的低动能侧的Shirley背景增加（即更大的结合参数κ是Shirley背景中台阶的高度[16]，在峰的高结合能端测量，并通过除以峰面积进行归一化。例内在损失结构，如图3所示[9]。当超过大约1%的峰面积时，此步骤在扫描中尤其明显。规则6表达了峰的这一属性，确定了碳化合物不具有固体有机聚合物的特性。图3给7则7将背景斜率视为对象，如果大于或等于0时，则表明碳化合物是表面层，满足污染的重要标准。图48何种方式满足这些属性已经以规则的形式列出。碳-污染-1或碳-污染-3的默认值均未被用于表示为了证因为碳的峰值位置表明碳化物或碳酸盐的存在。规则2总结了表明可能存在表面污染的样品采样，而规根据公式（1用由数据处理软件的常规定量程序得出的污染碳的原子分数Ccont染层的厚度，dcontamination：dcontamination=−LcCOSθln(1−ccontamination)(1)LC——污染层中C1s光电子的衰减长度[18]；），Iz,corrected=Iz,measuredexp(dcontamination/Lzcosθ)(2)L=0.00837∙E0.842E——待校正峰的电子动能（单位：eV）[19]。9(ASE).[2]ISO16243,Surfacechemicala(XPS).[4]ISO18115-2,Surfacechemicala[5]ISO18116,Surfacechemicala[6]ISO18117,Surfacechemicala7]ISO19318,Surfacechemicalanalysis-X-rayphotoelectronspectrrchargecontrolandch[8]ISO20579-4,Surfacechemicalanalysis-Guidelinestosamplehandling,preparati4:Reportinginformationrelatedtothehistory,preparation,handlingandmountingo[9]CastleJ.E.,&PowellC.J.Surf.InterfaceAnal.3[11]CastleJ.E.JVac[13]CastleJ.E.,&ElecJ.[14]J.VeghJ.Elec[17]C