SJ∕T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度_第1页
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SJ∕T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度_第3页
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ICS31.080代替SJ/T2658.8—1986—Part8:Radiantintensity2015-10-10发布2016-04-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布I——第3部分：反向电压和反向电流；——第9部分：幅射强度空间分布和半强度角；——第10部分。调制带宽；——第11部分：响应时回——第13部：辐射功率温度系数——第15部分；光电转换效率本部分代替SJ/T2658.8—1986《半导体红外发光二极管测试方法法间辐射率的测试方法》,除编——修改了辐射强度的测量原理图(见图1);——补充了辐射强度测量方法的规定条件(见5.3)。1半导体红外发射二极管测量方法本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定本部分适用于半导体红外发射二极管。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2900.65—2004电工术语：照明SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则CIE127:1997技术报告LED测量3术语和定义4一般要求5测量方法5.1测量原理图辐射强度的测量原理图见图1。2PD包括光阑D面积为人)的光度探测系统d被测器件与光阑D₁之向的距离。注：调整被测器件使其机械轴通过测系统孔径的中心对于脉冲测，流源所提供的电流脉冲应符合规定的幅度、宽度和重复频率。b探测器上升时间对于脉冲宽度应测够小，系统应基一个值测量仪器，光度探测系统的灵徽度在被测器件发射的光谱波长范围内应校准到CE(国际照明委员会)称准光度观州者光谱曲线；测试辐射参数时应采用无光谱选择性的光深测器座按距离d和光阑D,用标准器校正测试系统。测量距离d应按CE7:1997推荐的标准条件A和B设置，具体如下：a)标准条件A:《为316mn,立体角为0.001sr,平面角(全角)为2°;b)标准条件B:d为100mm,立体角为0.01sr,平面角(全角)为6.5°。图1辐射强度测量原理图5.2测量步骤辐射强度的测量按下列步骤进行：a)按图1连接测量系统，并进行仪器预热；b)调节电流源，给被测器件施加规定的正向电流I,用光度探测系统测量被测器件的辐射强度值。注：该方法适用于三种状态下对器件辐射强度测量。状态1:将光学试验台的光轴对准器件的机械轴。状态2:将光学试验台的光轴对准器件的光轴。状态3:依据与器件外壳结构相对应的基准进行定位，以便获得重复机械定位。5.3规定条件有关标准采用本

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