SJ∕T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温_第1页
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文档简介

中华人民共和国工业和信息化部发布ISJ/T2658.14—2016SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》的预计结构如下：——第6部分：辐射功率——第9部分：人辐射强度——第10部分：调制带圆——第11部分：响应时间本部分为SJ/T2658的第14部分。本部分依据GBXT11÷2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的规定编写。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈赵英。1SJ/T2658.14—2016半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)结温的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T11394—2009半导体发光二极管测试方法3一般要求测量结温总的要求应符合SJ/T2658.1。4测量方法4.1测量原理结温的测量原理见图1。本方法通过对被测器件施加不同电流，测量结电压增量和结温增量的关系，从而确定结温。G₂——电流源；My——电压测量装置。图1结温测量原理图2SJ/T2658.14—2016结温的测量按下列步骤进行：a)按图1连接测量系统，并将开关置于位置1,给被测器件施加测量电流I,测量并记录此时的结电压Fi;b)将开关快速置于位置2,用加热电流I快速替代I,要求电流I在持续时间内稳定，观察此时的正向电压;注：I值应大于I。c)待Y稳定后，将开关快速置于位置1,即用测量电流I快速替代Ia,测量结电压V。d)按SJ/T11394—2009中的方法5002测量K系数； △Tj=K×△V ...............(3)T测量开始前器能结混的初度℃。测量过程中的电流电压波

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