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1碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFETs）高温高湿反偏试验方法本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFETs）高温高湿反偏试验方法，包GB/T4586-1994半导体器件分立器件第8部分场效应GB/T4937.23-2023半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命T/CASAS002-2021宽禁带半导体T/CASAS006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范GB/T4586-1994、T/CASAS006-2020、T3.1栅-源电压gate-sourcevo3.2漏-源电压drain-source3.3IGSS漏极-源极短路时，栅极-源极电压VGS达到最大的条件下对应的最大值。3.4IDSS3.5栅-源阈值电压gate-sourcethresholdvo3.6漏-源通态电阻drain-sourceon-statere在规定的栅极电压、温度且忽略内部耗散条件下的最3.73.8漏-源击穿电压breakdown3.9Ta3.10Tc3.11Ts3.12Tj3.13虚拟结温virtualjunctiontemperature,通常来说，功率半导体的结温是没有办法直接测量到的，但是可以通过电学性能间接测量（例如MOSFET通过体二极管的正向电压测量）。因此，TvSiCMOSFET器件高于高温高湿反偏试验装置应能够提供合适的SiCMOSFET偏置电压a)功率偏置单元（电源）。功率偏置单元（电3SiCMOSFET功率半导体分立功率器件或功率模块结构的薄弱点。非气密封装的功率器件随着时间薄弱点会受到不同程度的影响。污染物也可以通过湿度封装工艺和材料的热膨胀系数（CTE）也会对钝化完整性产生重大影5.2测试b)最初测试：在测试开始之前，进行器件的电特性参数测试及记录，包括但不限于IDSSf)冷却：在去掉偏置前，处于高温应力下的器件应冷却至55℃或更低温度。对于规g)最终测试：在测试完成之后，进行器件的电特性参数测试及记录，值漏极-源极电压VDS栅极-源极电压VGSa如果不能保证在VGS=0V时完全关断，则必须采用数据表中推荐的最小静态VGS.min。IDSS等器件的电特性参数在初始值的基础上，加上包括DUT在内的测量装置的噪声水平（在室温a)样品名称及数量；b)加热期间的试验偏置条件；h)其他必要的项目。5A.1SiCMOSFET器件高压高求偏置电压VDS：偏置电压VGS：…IDSSIGSSrDS(on)VGS(th)V(BR)DSSIDSSIGSSrDS(on)VGS(th)V(BR)DSS1□2□3□…□[3]T/CASAS006-2020碳化硅金属氧化物[11]

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