大学物理（2-2）智慧树知到期末考试答案章节答案2024年中国石油大学（华东）

大学物理（2-2）智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年中国石油大学（华东）载流线圈在磁场中受的磁力矩与载流线圈磁矩大小成正比.

答案:对利用安培环路定理可以计算任意载流导体的磁场分布.

答案:错静电场与电荷是不可分割的整体.

答案:对静电场中，若在电场区域内电场线是平行的，则该区域内电场强度和电势都相等.

答案:错二能级系统可以作为产生激光的工作物质.

答案:错不仅载流线圈有磁矩，电子、质子等微观粒子也同样具有磁矩.

答案:对原子系统处于正常状态时，每个电子趋向占有最低的能级.

答案:对质子（电荷为e，质量为m）和α粒子（电荷为2e，质量为4m）垂直磁场方向进入同一匀强磁场中，若两粒子的初速度相同，设质子和α粒子受到洛仑兹力作用而产生的加速度大小分别为a1和a2，则a1：a2=1：2.

答案:错在通有电流的亥姆霍兹线圈的轴线上放一小平面载流线圈，则该载流线圈将发生转动，最后的平衡位置是该载流线圈的电流和亥姆霍兹线圈的电流平行.

答案:对

答案:两个相距不太远的平面圆线圈，怎样可使其互感系数近似为零？设其中一线圈的轴线恰通过另一线圈的圆心

答案:两线圈的轴线互相垂直放置在没有其它电荷存在的情况下，一个点电荷q1受另一点电荷q2的作用力为f12，当放入第三个电荷Q后，以下说法正确的是：

答案:f12的大小和方向都不会改变，但q1受的总电场力发生了变化关于磁场中的高斯定理的叙述中，下列说法正确的是

答案:在任意磁场中穿过闭合曲面的磁通量均为零激发本征半导体中传导电子的几种方法有(1)热激发，(2)光激发，(3)用三价元素掺杂，(4)用五价元素掺杂．对于纯锗和纯硅这类本征半导体，在上述方法中能激发其传导电子的只有

答案:(1)(2)和(4)自发辐射来源于原子在不同能级之间的随机跃迁发射，因为发射的光不是相干光.

答案:对对于多个无限长平行载流直导线的磁场问题，由于总的磁场强度不具备对称性，求解过程中不可用安培环路定理.

答案:错感应电场和静电场一样，都是保守场.

答案:错若入射光的频率均大于一给定金属的红限，则当入射光频率不变而强度增大一倍时，该金属的饱和光电流也增大一倍．

答案:对静电场的保守性体现在电场强度的环流等于零.

答案:对一个电子在磁场中作圆周运动时，洛仑兹力不作功；当它作螺旋线运动时，洛仑兹力也不作功.

答案:对制作低频变压器铁芯时，总是把铁芯做成片状，片与片之间涂导电材料.

答案:错两个电容不同的电容器，串联后接在电源上，则电容小的电容器上的电势差反而大.

答案:对在电势不变的空间，场强处处为零.

答案:对用3价元素掺杂纯净的硅半导体，可以得到p型号半导体.

答案:对两根长度相同载有电流I的细导线分别均匀密绕在半径为R和r的长直圆筒上形成两个螺线管，两螺线管单位长度上的匝数相等。设R=2r，则两螺线管中的磁感强度大小BR和Br应满足：

答案:2BR=Br

答案:一个平行板电容器，充电后与电源断开，当用绝缘手柄将电容器两极板间距离拉大，则两极板间的电势差U12、电场强度的大小E、电场能量W将发生如下变化：

答案:U12增大，E不变，W增大冬天，我们看不到室内取暖用的暖气片发光是因为

答案:暖气片辐射的光以红外线为主直接证实了电子自旋存在的最早的实验之一是

答案:斯特恩-盖拉赫实验一导体圆线圈在均匀磁场中运动，能使其中产生感应电流的一种情况是

答案:线圈绕自身直径轴转动，轴与磁场方向垂直

答案:在铜条上a、b两点产生一小电势差，且Ua>Ub选无穷远处为电势零点，半径为R的导体球带电后，其电势为U0，则球外离球心距离为r处的电场强度的大小为

答案:

答案:从A到D，电场力做功一样大p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于

答案:禁带中，但接近满带顶一电偶极子放在均匀电场中，当电偶极矩的方向与场强方向不一致时，其所受的合力F和合力矩M为：

答案:设有一个带正电的导体球壳。当球壳内充满电介质、球壳外是真空时，球壳外一点的场强大小和电势用E1，U1表示；而球壳内、外均为真空时，壳外一点的场强大小和电势用E2，U2表示，则两种情况下壳外同一点处的场强大小和电势大小的关系为

答案:E1=E2，U1=U2

答案:场强弱的地方电势一定低、电势高的地方场强一定强.

答案:错感应电场是无源有旋场.

答案:对n型半导体的导电能力大于本征半导体和p型半导体.

答案:错载流导线在磁场中所受到的安培力的方向与磁感应强度方向不一定垂直.

答案:错球形电容器充电后，电场中各点的能量密度均相等.

答案:错根据互感的定义，互感M不仅两个线圈的形状、大小、匝数、相对位置以及周围磁介质的磁导率有关，而且与线圈所通电流强度以及电流强度随时间的变化率有关.

答案:错在导体表面曲率半径大的地方面电荷密度大，所以电场强度就大.

答案:错线圈处于均匀磁场中，均匀磁场与线圈平面垂直。该线圈保持周长不变，当它由圆形变为椭圆形过程中，线圈中不产生感应电动势．

答案:错若将放在电场中某点的试探电荷q改为-q，则该点的电场强度大小不变，方向与原来相反。

答案:错用5价元素掺杂纯净的硅半导体，可以得到n型号半导体.

答案:对平行板电容器中充满某种介电质后，电容器的电容会减小.

答案:错线圈的自感系数只与线圈的形状、大小以及周围介质的磁导率有关，而与线圈通的电流大小无关.

答案:对一个带电粒子在空间的运动轨迹是螺旋线，则该空间除了磁场外，可能还有电场.

答案:对已知某点的电场强度，就可以确定该点的电势.

答案:错

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答案:硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为2.42eV，要使这种晶体产生本征光电导，入射到晶体上的光的波长不能大于

答案:514nm在点电荷激发的电场中，如以点电荷为中心作一个球面，关于球面上的电场，以下说法正确的是

答案:球面上的电场强度E处处不等

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答案:铁磁质，顺磁质，抗磁质在下列关于光电效应的表述中，正确的是

答案:若入射光的频率大于给定金属的红限频率，则当入射频率不变而强度增大一倍时，该金属的饱和光电流也增大一倍

答案:

答案:高斯定理成立，但不能用它求出闭合面上各点的场强一根无限长平行直导线载有电流I，一矩形线圈位于导线平面内沿垂直于载流导线方向以恒定速率运动（如图所示），则

答案:线圈中感应电流为顺时针方向

答案:B≠0，因为虽然B1=B3=0，但B2≠0真空中有两个点电荷M、N，相互间作用力为F，当另一点电荷Q移近这两个点电荷时，M、N两点电荷之间的作用力

答案:大小和方向都不变静电场中某点电势的数值等

答案:单位正电荷置于该点时具有的电势能

答案:与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是

答案:禁带宽度较窄下列各组量子数中，哪一组可以描述原子中电子的状态？

答案:（3，1，-1，1/2）位移电流产生的磁场不服从安培环路定理.

答案:错电容器串联使用，是为了增大其耐压性能，电容器并联使用，是为了增大其容电本领.

答案:对在等势面上，电场强度的值不一定相等.

答案:对概率波的统计解释是：在某一时刻，在空间某一地点，粒子出现的概率正比于该时刻、该地点的波函数的平方.

答案:对根据氢原子的量子力学理论，电子出现在某处的概率正比于电子在该处的波函数.

答案:错铁磁质的相对磁导率远远小于1.

答案:错电位移矢量沿一个闭合曲面的积分等于零，曲面内一定没有自由电荷.

答案:错位移电流和传导电流一样，会在其周围激发磁场.

答案:对如果一个电子在通过空间某一区域时不偏转，则这个区域一定没有磁场.

答案:错法拉第电磁感应定律适用于任意闭合回路.

答案:对光电效应和康普顿效应都包含有电子与光子的相互作用过程．正确的理解是两种效应都相当于电子与光子的弹性碰撞过程．

答案:错根据麦克斯韦方程，变化的电场可以产生涡旋磁场，变化的磁场可以产生涡旋电场.

答案:对两个平行放置的同轴圆环形导体，若通以电流后，它们彼此排斥，则两环中电流流动的方向平行.

答案:错能带结构中的价带是由价电子能级分裂而形成的.

答案:对电动势用正、负来表示方向，它是矢量.

答案:错磁场的高斯定理，说明磁场是发散式的场

答案:错正电荷在电势高的地方，电势能也一定高.

答案:对二个电子以相同的速度v平行运动，在实验室中观察，由于它们之间相对静止，所以它们之间除了万有引力之外，只有电力，没有磁力.

答案:错考察电容器的指标有两个，一个是它的电容大小，一个是它的耐压性能.

答案:对有人说：只要知道电场中的一个等势面，就可以确定它周围的电场.

答案:错A、B两个电子都垂直于磁场方向射入一均匀磁场而作圆周运动。A电子的速率是B电子速率的两倍。设RA，RB分别为A电子与B电子的轨道半径；TA，TB分别为它们各自的周期。则

答案:RA∶RB=2，TA∶TB=1

答案:不变一个圆形线环，它的一半放在方形区域的匀强磁场中，另一半位于磁场之外，如图所示．磁场的方向垂直指向纸内．欲使圆线环中产生逆时针方向的感应电流，应使

答案:线环向左平移

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答案:EA＜EB＜EC，UA＞UB＞UC在无限长的载流直导线附近放置一个矩形闭合线圈，开始时线圈与导线在同一平面内，且线圈中两条边与导线平行，当线圈以相同的速率作如图所示的三种不同方向的平动时，则线圈中的感应电流

答案:以情况Ⅱ中为最大一带电粒子平行磁感线射入匀强磁场，则它作________________运动；一带电粒子垂直磁感线射入匀强磁场，则它作________________运动；一带电粒子与磁感线成任意交角射入匀强磁场，则它作______________运动

答案:匀速直线；匀速率圆周；等距螺旋线

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答案:麦克斯韦位移电流假说的中心思想是

答案:变化电场将激发涡旋磁场

答案:BO>BQ>BP

答案:曲面S的电场强度通量不变，曲面上各点场强变化在静磁场中，下面能用安培环路定理计算磁感应强度是

答案:无限长载流直导线

答案:Oc

答案:Φ不变，B增大如图所示，一金属棒在均匀磁场中以速度匀速运动，下面哪一个图示正确表示了金属棒表面的电荷分布

答案:图b如图所示，M、N为水平面内两根平行金属导轨，ab与cd为垂直于导轨并可在其上自由滑动的两根直裸导线．外磁场垂直水平面向上．当外力使ab向右平移时，则cd将

答案:向右移动

答案:按照原子的量子理论，原子可以通过自发辐射和受激辐射的方式发光，它们所产生的光的特点是

答案:两个原子自发辐射的同频率的光是不相干的，原子受激辐射的光与入射光是相干的本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好．

答案:错世界上第一台激光器是红宝石激光器.

答案:对在激光器中利用光学谐振腔

答案:可同时提高激光束的方向性和单色性如果(1)锗用锑(五价元素)掺杂，(2)硅用铝(三价元素)掺杂，则分别获得的半导体属于下述类型

答案:(1)为n型半导体，(2)为p型半导体激光是基于受激辐射的基本原理而发光的.

答案:对p型半导体的导电机构完全决定于半导体中空穴载流子的运动.

答案:错激光全息照相技术主要是利用激光的哪一种优良特性

答案:相干性好n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能．

答案:对微观粒子满足不确定关系是由于粒子具有波粒二象性．

答案:对由氢原子理论知，当大量氢原子处于n=3的激发态时，原子跃迁将发出

答案:三种波长的光钾金属表面被蓝光照射时有光子逸出，若增大蓝光光强，则

答案:单位时间内逸出的光电子数增加光子具有波粒二象性，电子只具有粒子性．

答案:错康普顿效应结果表明，经典力学的动量守恒定律需要修正．

答案:错如果两种不同质量的粒子，其德布罗意波长相同，则这两种粒子的

答案:动量相同若入射光的频率均大于一给定金属的红限，则该金属分别受到不同频率的光照射时，释出的光电子的最大初动能也不同．

答案:对在量子力学中，电子的运动没有轨道的概念，取而代之的是空间概率分布的概念．

答案:对对于位移电流，有下述四种说法，正确的是

答案:位移电流就是变化的电场尺寸相同的铁环与铜环所包围的面积中，通以相同变化率的磁通量，当不计环的自感时，环中

答案:感应电动势相同，感应电流不同将形状完全相同的铜环和木环静止放置，并使通过两环面的磁通量随时间的变化率相等，则不计自感时

答案:两环中感应电动势相等两个彼此无关的闭合回路，其中之一的磁通量发生了7.5Wb的改变，另一发生了7.2Wb的改变，前者的感应电动势一定大于后者.

答案:错在国际单位制中，磁通量单位用高斯.

答案:错产生动生电动势的非静电场力是洛伦兹力，所以洛伦兹力对运动电荷不做功的说法是错误的．

答案:错电介质的相对相对电容率总是大于1，磁介质的磁导率也总是大于1.

答案:错顺磁物质的磁导率

答案:比真空的磁导率略大洛仑兹力和安培力分别是运动电荷和载流导线在磁场中受力的规律，尽管它们都是磁力，但本质是不同的

答案:错闭合曲线当中没有包含电流，说明闭合曲线中的磁感应强度处处为零

答案:错一个带电粒子在电磁场中不可能作匀速直线运动，而只能是直线加速运动或曲线运动

答案:错一运动电荷q，质量为m，进入均匀磁场中

答案:其动能不变，动量改变

答案:为零闭合回路上各点磁感应强度都为零，回路内一定没有电流.

答案:错一电荷为q的粒子在均匀磁场中运动，下列说法正确的是

答案:在速度不变的前提下，若电荷q变为-q，则粒子受力反向，数值不变导体中某点的电流密度矢量，其方向沿该点电场强度的方向，即沿该点电流的方向.

答案:对位移电流由变化电场形成，它能