SJ∕T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范

Detailspecificationfortype3CG120highfrequencylowpowerPNPsilicontransistor中华人民共和国工业和信息化部I——本标准依据GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》。 (新版见5.7,旧版见sCG120型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由Vcp=-10V改为Vcp=VcBO,cEa(新版见5.7,旧版见3CG120型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由表)测试条件由LEB=-15V为—2删掉了交流参数Kp和M(见旧版3CG120型PNP硅外本标准由全国导体器件添准化技术委员会归口。本标准主要起草人：侯秀萍、下岩。本标准于1979年首次发布，素次为第一次订1SJ/T1477—2016半导体分立器件3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》,GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》半导体分立器件3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范外形符合GB/T7581-1987《半导体分立器件外形尺寸》D简略说明高频放大环境额定的双极型晶体管半导体材料：徒封装：金属封装(空腔应用：在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。中A3-02B型的要求。Φ工程数据Ptot=500nF:25c27C。b≤7pF尺寸数值最小最大A——jKLL24规范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本标准。GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7581—1987半导体分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范5极限值(绝对最大额定值)极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。章号符号单位最小值最大值4.1环境温度Tamb-55℃4.2贮存温度Tstg-55℃4.3最大集电极-基极直流电压3CG120A3CG120B3CG120CVcno——-20-35-50V4.4最大集电极-发射极直流电压3CG120A3CG120B3CG120CVEo一-15-30-45V4.5最大发射极-基极直流电压VBoV4.6最大直流集电极电流mA4.7T=25℃,不加散热片时的最大额定功率PotmW4.8最高结温℃3SJ/T1477—2016表2电特性章号特性和条件除非另有规定，Ta=25℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)符号单位试验分组最小值最大值正向电流传输比VE=-10V,I=30mA色标：橙绿蓝紫灰A2b、C2b特征频率V=-10v,I=3Q^r=100MHzMHzA4、C2a集电极-基极截亡电流Va=VcmA2b集电极-发射极截止电A2b高温下的集电极-基极酸上发射极一基极开路，T=150℃,发射极一感极截止电流集电极基极开路，v=-2A2b基极发射极饱和电压VA2b集电极-发射极饱和电压VCE(sat)VA2b共基极输出电容Va=-10V,I=0,12C77.1器件上的标志器件上的标志包括以下几部分：——产品型号和分档标志，如3CG120A;——hE分档色标；——检验批的识别代号。4SJ/T1477—20167.2包装盒上的标志——制造厂联系方式。8订货资料——hE分档色标；——质量评定类别标志Ⅱ,如3CG120AIⅡ;——本标准编号；9试验条件和检验要求试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560—1999。5SJ/T1477—2016检验或试验符号引用标准除非另有规定，Tmb=25℃±5℃(见GB/T4589.1-2006的4.1)极限值单位LTPD最小值最大值A1分组外部目检GB/T4589.1—20064.3.1.1标志清晰，表面无机械损伤、破损5A2a分组不能工作器件集电极-基极截止电流正向电流传输比GB/T4587—1994,IV,1,2.1GB/T4587—1994,发射极-基极开路，Va=VcaVe=-10V,I=30mA短路：Ico≥10μA开路：hE≤5A2b分组集电极-基极截止电流集电极-发射极截止电流发射极-基极截止电流正向电流传输比基极-发射极饱和电压集电极-发射极饱和电压GB/T4587—1994,IV,1,2.1GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,IV,1,2.2GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,GB/T4587—1994橙橙黄绿蓝紫发射极-基极开路，Ve=Vcao发射极-基极开路，Ve=Vcmo集电极-基极开路，=-2VVa=-10V,I=30mAI=5mA,I=50mAI=5mA,I=50mA——120180270-1.0-0.5—VV5A4分组特征频率fGB/T4587—1994,IV,1,13.2Ve=-10V,I=30mA,f=100MHz—MHz注：全部试验都是非破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。6检验或试验符号引用标准除非另有规定，Tm=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值单位LTPDB1分组尺寸GB/T4589.1—20064.3.2A、φD见第1章外形图B3分组引出端强度(D)弯曲GB/T4937—1995IⅡ,1.2方法1,受试引出端数：3,外加弯曲力：2.5N发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动，均认为器件失效B4分组可焊性GB/T4937995焊槽法润湿良好B5分组快速温度变化密封最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比GB/49371995Ⅲ,QB/T4937-1995CB/T4587—1994,GBYT4587-—104T=-55C7=175℃;5个循环发射极极开X=Va0I=30mA检紫灰0B8分组电耐久性(168h)最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比GB/T4587—1994V,1GB/T4587—1994,IV,1,2.1GB/T4587—1994,工作寿命；-168h,V=0.6UPa=500m发射极-基极开路，Va=VcaoV=-10V,I=30mA——注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃,(见GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值单位C1分组尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸见第1章外形图C2a分组特征频率共基极输出电容GB/T4587—1994,IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1Ve=-10V,I=30mA,f=100MHzVa=-10V,I=0,f=1MHz7MHzC2b分组正向电流传输比高温下的集电极-基极截止电流GB/T4587—1994,GB/T4587—1994,IV,1,2.1同A2b分组正向电流传输比发射极-基极开路，Va=-10V—C3分组引出端强度(D)拉力GB/T4937—1995IⅡ,1.1发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动均认为器件失效C4分组耐焊接热(D)最后测试GB/T4937—1995IⅡ,2.2方法1A。周期=180d同B5分组最后测试C6分组恒定加速度最后测试GB/T4937—199520000g同B5分组最后测试C7分组稳态湿热(D)最后测试GB/T4937—1995Ⅲ,585℃,相对湿度85%,Va=额定电压的85%,时间168h同B8分组最后测试C8分组电耐久性(1000h)最后测试GB/T4587—1994V,1Pat=500mW同B8分组最后测试C9分组高温贮存(D)最后测试GB/T4937—1995Ⅲ,2Tt=175℃,t=1000h同B8分组最后测试CRRL分组提供C2a、C2b、C3、C4、C6、C7和C9的记数检查结果及C8前后