SJ-T 11850-2022 半导体分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

NPN硅小功率开关晶体管详细规范1半导体分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型1范围本文件规定了3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。2规范性引用文件仅该日期对应的版本适于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(偷括所有的修改单)适用于本GB/T2423.23)-2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封GB/T458<1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1-2006半导体器件一第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937—)995半导体器件机械和气候试验方法GB/T493714-2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固度)GBt4937.15-2018半导体器件一机械和气候试验方法第15部分：通孔安装器件的耐焊接热GBT4087.21—2018半导体器件机械和气候试验方法第21部分：焊性GB/7684-1987半导体分立器件外形尺寸GB/Te560+1999半导体器件分立器件分规范本文件没有要定的术语和定义。4要求质量评定类别符合GB/T4589.12006和GBT12560-1999的规定。质量评定类别为Ⅱ类。4.2.2外形尺寸3DK2219A外形符合GB/T7581—1987中A3—02B型的规定。外形图见图1,外形尺寸见表1。2最小AjKLL3DK2222A外形符合GB/T7581—1987中A3—01B型的规定。外形图见图2,外形尺寸见表2.称922KL34DEALLeb℃℃V V6V500(3DK2222A、3DK2222AUB)8℃325(3DK2222A、3DK2222AUB)1正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比VV一1V—V一25VcE=50V一正向电流传输比小信号共发射极短路正向电滚有5一导通时间关断时间8VE=10v.Ic=0.p电测试应符合GB/T4587—1994及本文件的规器件上的标志包括以下几部分： 5质量评定程序5.1抽样抽样方案按GBT12560-1999和本文件的规定。试验条件和检验要求按表6～表9的规定。6表6A组——逐批引用标准(见GB/T4589.1—2006的4.1)5正向电流传输比短路：IcBO₁≥100μA集电极-基极截止电流发射极-基极短路1B=0,VcE=50V1一15正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比压hFEhFE₄一—1一一一一V5导通时间关断时间注：全部试验都是非破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7引用标准除非另有规4589.1—2006的4.1)测A、φD、φD1、φb₂、L测A、D、E、L(3DK2222AUB)见图1、图2、图3引出端强度(D)试验条件B(3DK2219A、受试引出端数：3附录C(3DK2222AUB)正向电流传输比-65℃~200℃;15个循环试验Qk,方法1正向电流传输比试验Qk,方法1电耐久性流正向电流传输比压附录B V同B8分组最后测试一注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。·△hrE₄/hrEan=(hrE织a-hFE47ma)/hFE4初周8引用标准(见GB/T4589.1—2006的4.1)最小值值见表1、表2、表3见图1、图2、图3VcE=20V,Ic=20mA,fF108RVcb=30V,Ice16.7mA引出端强度(D)拉力 发现断覆(密封弯月正向电流传输比试验Qk,方法1同B5分组最后测试稳态湿热(D)85℃±2℃,相对湿度85%±5%,时间168h同B8分组最后测试电耐久性附录B同B8分组最后测试 9引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)最小值值高温贮存(D)同B8分组最后测试一一提供C2a、C2b、C3、C4、C6、C7和C9的记数检查结果及C8前后的测试数注1:标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6注2:CRRL为放行批证明记录。表9D组(仅供鉴定)引用标准除非另有规定，T₂=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)温度循环(D)-65℃~200℃;500次试验Qk,方法1同B5分组最后测试Ic额定值的验证(D)注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。(规范性)A.2电路图A.3电路说明A.4测试程序在环境温度r=25C下，基极电流调至80mA,加大电源电压(Vcc),使集电极电流达到800mA。达到热平衡后、断电源，按照表6中A2b、A3分组规定的IcEs、Vces,进行测试两个参数满足表6