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文档简介

认识半导体二极管认识半导体二极管发光二极管整流二极管检波二极管开关二极管稳压二极管结构：PN结+引线+管壳=二极管(Diode)符号：分类：二极管的结构及分类阳(正)极ak阴(负)极1、按材料分硅二极管锗二极管2、按用途分普通二极管整流二极管稳压二极管开关二极管PN阳极阴极3、按结构工艺分点接触型面接触型平面型分类：二极管的结构及分类3、按结构工艺分点接触型面接触型平面型点接触型面接触型平面型二极管的伏安特性00.40.8–0.04–0.02硅管的伏安特性604020–25–50ID

/mAUD/V锗管的伏安特性ID

/mAUD

/V0.20.4–25–5051015–0.01–0.020正向特性反向特性二极管的伏安特性OuD/ViD/mAUon死区电压(开启电压)ID

=0Uon=0.5V0.1V(硅管)(锗管)u

UonID急剧上升0

u

Uon

UF=(0.6

0.8)V硅管0.7V(0.1

0.3)V锗管0.2V反向特性ISU(BR)反向击穿U(BR)

u

0ID=IS<0.1

A(硅)

几十

A(锗)u<

U(BR)反向电流急剧增大(反向击穿)正向压降反向击穿电压正向特性温度对二极管的影响T

升高时，Uon以

(2

2.5)mV/

C下降，温度每升高10

C，IS约增大1倍。二极管的伏安特性604020–0.0200.4–25–50ID

/mAUD/V20C90C（1）最大整流电流IF：二极管长期运行允许通过的最大正向平均电流。（2）反向工作电压URM：允许加在二极管上的反向电压最大值。（3）反向饱和电流IS：在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。反向饱和电流越小，管子单向导电性能越

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