【正版授权】 IEC 63068-4:2022 EN Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for

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标准号：IEC 63068-4:2022 EN
标准名称：半导体器件-功率器件碳化硅单晶片非破坏性缺陷识别准则-第4部分：使用光学检测和荧光光度相结合的方法来识别和评估缺陷的程序
英文名称：Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence
标准状态：现行
发布日期：2022-07-27

一、概述

IEC63068-4标准是针对硅碳化硅功率器件用同质外延片缺陷的无损识别标准。该标准规定了使用光学检测和荧光光度法相结合的方法来识别和评估缺陷的程序。

二、光学检测方法

光学检测是一种常用的表面缺陷检测方法，通过观察和分析光线在物体表面的反射、折射、散射等现象，可以检测出表面缺陷。在硅碳化硅功率器件的外延片检测中，光学检测可以发现一些肉眼难以看到的微小缺陷。

三、荧光光度法

荧光光度法是一种通过测量发光物质在激发光照射下发射光的强度的方法。在硅碳化硅功率器件的外延片检测中，荧光光度法可以用于检测材料内部的缺陷。通过将光线照射到样品上，可以激发样品中的缺陷部位发射出光，从而更准确地识别出缺陷的位置和性质。

四、结合方法

光学检测和荧光光度法各有优点，但也存在一定的局限性。因此，IEC63068-4标准提出了将两种方法相结合的方法，以提高缺陷识别的准确性和可靠性。通过将两种方法相结合，可以更全面地了解缺陷的性质和位置，从而更准确地评估外延片的品质和性能。

五、程序步骤

使用光学检测和荧光光度法相结合的方法进行缺陷识别和评估的程序步骤如下：

1.准备样品：对硅碳化硅功率器件的外延片进行必要的准备工作，如清洁、固定等。

2.光学检测：使用光学仪器进行表面检测，发现并记录缺陷的位置和性质。

3.荧光光度测量：将光线照射到样品上，并记录发光信号的强度和特征。

4.缺陷分析：结合光学检测和荧光光度测量的结果，分析缺陷的来源和性质，确定其影响程度。

5.评估和报告：根据分析结果，对外延片的品质和性能进行评估，并编写报告。

IEC63068-4标准规定了使用光学检测和荧光光度法相结合的方法来识别和评估硅碳化硅功率器件外延片缺陷的程序。通过结合两种方法

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