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文档简介

场效应管主讲人：田媛场效应管双级型元器件电流控制元器件；

工作时多数载流子和少数载流子都同时参与运行。三极管简称fet，电压控制元器件；

工作时只有一种载流子参与导电。场效应管单级型元器件场效应管优点输入电阻高功耗比较小温度特性曲线好制造工艺简单分类绝缘栅场效应管结刑场效应管N沟道增强型MOS管结构衬底bp衬底源极s栅极g漏极dN+NsbgdUgs=0V，管子截止；Ugs>0V，形成耗尽层；进一步增加Ugs，形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流Id。栅源电压Ugs的控制作用工作原理N沟道增强型MOS管N+bgdN+sVDDp衬底二氧化硅N+bgdN+sVDDp衬底二氧化硅VGGid漏源电压Uds对漏极电流Id的控制作用工作原理Uds=0，Id=0；Uds↑，Id↑，沟道靠漏区变窄；Uds增加到使Ugd=Ut时，沟道靠漏区夹断，称为预夹断；Uds再增加，Id基本不变。N沟道增强型MOS管引入定义开启电压(Ut)刚刚产生沟道所需的栅源电压Ugs。基本特性Ugs越大，沟道越宽，相同的漏源电压Uds作用下，漏极电流Id越大。Ugs<Ut，管子截止；N沟道增强型MOS管Ugs>Ut，管子导通；N沟道增强型MOS管特性曲线输出特性曲线iD(mA)uDS(V)

饱和区击穿区截止区可变电阻区N沟道增强型MOS管特性曲线转移特性曲线UtiD(mA)uDS(V)

iD(mA)uGS(V)10V26423412341引入参数跨导gm其大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用；在转移特性曲线上，gm为的曲线的斜率；在输出特性曲线上也可求出gm。iD(mA)uDS(V)iD(mA)uGS(V)10V2462341∆uGS∆uGS∆iD2341Ugs<0，沟道变窄，Id减小。主要特点Ugs=0，有沟道，加入Uds，就有Id；Ugs>0，沟道增宽，Id进一步增加；N沟道耗尽型MOS管衬底bp衬底源极s栅极g漏极dN+Nsbgd引入定义夹断电压(Up)沟道刚刚消失所需的栅源电压Ugs。特性曲线N沟道耗尽型MOS管iD(mA)uDS(V)iD(mA)uGS(V)10V

23412341120-1-2UP转移特性曲线输出特性曲

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