• 现行
  • 正在执行有效
  • 2010-04-22 颁布
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【正版授权】 IEC 62418:2010 EN-FR Semiconductor devices - Metallization stress void test_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 62418:2010 EN-FR
  • 标准名称：半导体器件-金属化应力空洞测试
  • 英文名称：Semiconductor devices - Metallization stress void test
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2010-04-22

文档简介

一、定义和概述

1.标准中的“半导体器件”是指各种电子设备中使用的半导体元件，包括集成电路、二极管、晶体管等。

2.“金属化”是指半导体器件的表面涂覆金属层的过程，用于导电和连接不同材料之间的界面。

3.“应力空洞试验”是一种用于评估金属化层承受特定应力条件的能力的试验方法。

二、试验方法和要求

1.试验样品：试验样品应为半导体器件的金属化层，通常为金属化层的一部分或整个芯片。

2.试验环境：试验应在恒温恒湿的环境中进行，以确保金属化层承受应力时不受环境因素的影响。

3.应力条件：应力条件包括温度、湿度、压力等，应根据标准规定的方法进行设置和测量。

4.空洞检测：试验后，应使用适当的检测方法检查金属化层是否有空洞或裂纹的产生。

5.结果评估：根据检测结果，评估金属化层在所施加的应力条件下是否能够保持稳定和导电性能。

三、测试报告

1.测试报告应包括样品的详细信息、试验方法和环境、施加的应力条件、检测方法和结果等。

2.测试报告还应包括对金属化层性能的评估和建议改进措施。

四、应用范围和限制

1.该标准适用于各种类型的半导体器件金属化层的应力空洞试验，包括但不限于集成电路、二极管、晶体管等。

2.对于不同类型和规格的半导体器件，应根据标准规定的方法和要求进行试验。

3.试验应在符合相关规定的条件下进行，以确保结果的准确性和可靠性。

IEC62418:2010EN-FRSemiconductordevices-Metallizationstressvoidtest标准规定了半导体器件金属化层在特定条件下承受应力的试验方法和要求，旨在评估金属化层的稳定性和导电性能。

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