• 现行
  • 正在执行有效
  • 2018-01-15 颁布
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【正版授权】 IEC 60749-26:2018 EN-FR Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM)_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 60749-26:2018 EN-FR
  • 标准名称：半导体器件-机械和气候测试方法-第26部分：静电放电(ESD)灵敏度测试-人体模型(HBM)
  • 英文名称：Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM)
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2018-01-15

文档简介

静电放电（ESD）敏感度测试是半导体器件测试的一个重要部分，它用于评估半导体器件在受到静电放电时的反应。IEC60749-26:2018EN-FRSemiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part26详细描述了静电放电敏感度测试的原理、步骤和标准要求。

具体来说，测试通常使用人体模型（HBM）进行，这是一种模拟人体静电放电的模型。测试过程中，半导体器件被置于一个模拟人体环境的电场中，并施加一个模拟静电放电的电压脉冲。根据半导体器件的反应，如是否产生瞬态电流、电压变化等，可以评估其对于静电放电的敏感度。

测试步骤包括准备测试环境、设置模拟环境参数、将半导体器件置于模拟环境中、施加电压脉冲、测量反应数据、记录测试结果等。这些步骤都按照标准要求进行，以确保测试的准确性和一致性。

在评估半导体器件的ESD敏感度时，需要考虑器件类型、制造工艺、工作温度等因素的影响。根据测试结果，可以得出半导体器件对于不同等级的静电放电的敏感性，这对于产品设计、生产和质量控制至关重要。如果ESD敏感度过高，可能会影响器件的正常工作或造成损坏。

IEC60749-26:2018EN-FRSemiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part26:Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting-Humanbodymodel(HBM)标准规定了静电放电敏感

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