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  • 已被新标准代替
  • 1975-01-01 颁布
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【正版授权】 IEC 60147-2G:1975 EN-FR Supplement G - Essential ratings and characteristics of semiconductor devices and general principles of measuring methods -Part 2: General principles of measur_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 60147-2G:1975 EN-FR
  • 标准名称：附录G-半导体器件的必需性能和特性及测量方法的通用原则-第2部分：测量方法的通用原则-第4章：场效应晶体管
  • 英文名称：Supplement G - Essential ratings and characteristics of semiconductor devices and general principles of measuring methods -Part 2: General principles of measuring methods - Chapter 4: Field-effect transistors
  • 标准状态：被代替
  • 发布日期：1975-01-01

文档简介

第4章主要介绍了场效应晶体管（Field-EffectTransistors，简称FET）的测量方法和基本特性。

1.FET的分类和特性：本章首先介绍了不同类型的FET，包括结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。每种类型的FET都有其特定的应用和特性。

2.测量方法：本章详细介绍了如何进行FET的测量，包括测试设备的选择、测试步骤、测试数据的分析和解读等。

3.测试环境：本章强调了测试环境的重要性，包括温度、湿度、电源波动等因素对测试结果的影响。

4.阈值电压和跨导：本章详细解释了FET的阈值电压和跨导的概念，以及它们如何影响FET的电气特性。

5.频率响应：本章讨论了FET在高频环境下的表现，包括其增益、阻抗和相位响应等。

6.直流和交流参数测量：本章详细介绍了如何测量FET的直流和交流参数，包括直流电阻、交流增益、噪声等。

以上是IEC60147-2G:1975EN-FRSupplementG-Essentialratingsandcharacteristicsofsemiconductordevicesandgeneralprinciplesofmeasuringmethods-Part2:Generalprinciplesofmeasuringmethods-Chapter4:Field-effecttransistors的主要

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