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文档简介

外场影响下的激子

为类似与自由激子,但是由于混晶散射,相驰豫时间很短.

外场影响下的激子磁场1.磁场强度划分①两个能量单位电场:激子的里德堡常数

表示激子的电离能.

●高能端发光谱与扩展态→局域态跃迁有关:扩展态激子在运动过程中被非辐射中心俘获,即发射声子被局域.该局域激子进一步辐射发光,或进一步达到更低的局域态.局域激子能量越低,局域态密度越小,局域激子驰豫几率降低.●高温情况下,即

大部分局域激子可以热激发到扩展态.扩展态激子的行发光谱扩展态激子激发局域态激子激发CdS磁场:激子的朗道能级

回旋能量为

其中

是激子约化质量.朗道能级跃迁满足

激子能量其中

为磁场不存在下能带极值.

平行磁场波矢.为态密度

类似一维态密度.为

时态密度.

②三个范围●弱磁场:即

磁场视为微扰.●强磁场:即

首先考虑朗道能级,然后考虑库仑能量.

●中等强度磁场:~

2.能级变化①抗磁移动●基态激子

角动量为0,因此固有磁矩为0.但是在磁场作用下,由于电子和空穴受到洛伦兹力的作用,激子产生角动量,且正比于

方向反平行

生感应磁矩.相应也产●相应磁矩在磁场中附加能量其中

所以抗磁移动

随着

增加而增加.CdS中A激子,

②塞曼能移●在

情况下,激子中电子和空穴具有自旋磁矩,该磁矩在磁场中产生附加能量其中“+”对于三重态激子,“-”对于单态

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