(高清版)GBT 39842-2021 集成电路（IC）卡封装框架

ICS31.200国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会IGB/T39842—2021本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本标准起草单位：山东新恒汇电子科技有限公司。1GB/T39842—20211范围本标准规定了集成电路(IC)卡封装框架(以下简称IC卡封装框架)的技术要求、检验方法、检验规本标准适用于IC卡封装框架，包括接触式IC卡封装框架和非接触式IC卡封装框架。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有修改单)适用于本文件。GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B:高温GB/T2423.17电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ka:盐雾GB/T2423.50环境试验第2部分：试验方法试验Cy:恒定湿热主要用于元件的加速试验GB/T2423.51—2020环境试验第2部分：试验方法试验Ke:流动混合气体腐蚀试验GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T3922纺织品色牢度试验耐汗渍色牢度GB/T13557印制电路用挠性覆铜箔材料试验方法GB/T16545—2015金属和合金的腐蚀腐蚀试样上腐蚀产物的清除GB/T16649.2识别卡带触点的集成电路卡第2部分：触点的尺寸和位置GB/T16921—2005金属覆盖层覆盖层厚度测量X射线光谱法GB/T17554.1识别卡测试方法第1部分：一般特性测试GB/T25933—2010高纯金GB/T25934—2010(所有部分)高纯金化学分析方法GB/T32642—2016平板显示器基板玻璃表面粗糙度的测量方法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。IC卡封装框架ICcardpackagingframework由绝缘材料与带图形的导电材料叠压而成，是保护芯片的载体，也是芯片与外部设备进行信息交换的接口。注：从数据传输方式上可分为单界面接触式IC卡封装框架、双界面接触式IC卡封装框架和非接触式IC卡封装3.2单界面接触式IC卡封装框架singlesideICcardpackagingframework只能以接触的方式，实现与外部设备信息交换的IC卡封装框架。2接触块contactpin位于双界面IC卡封装框架压焊面上的导电体图形，用于压焊金线的金属点。GB/T39842—20213.14压焊块bondingblock位于双界面IC卡封装框架压焊面上的导电体图形，用于连接卡基天线的金属块。图16Pin单/双界面IC卡封装框架接触面图28Pin单/双界面IC卡封装框架接触面图36Pin单界面IC卡封装框架压焊面300O腔孔□O□□0◆压焊孔。6OO。。●●。00O0000焊接块OOO00000Q0O0O00OQ0O0图56Pin双界面IC卡封装框架压焊面5之1口?心心之1口?心心:通通焊接块□□压焊孔0。匪期典用排用OO4.1集成电路(IC)卡封装框架结构6GB/T39842—2021表面处理层绝缘材料层表面处理层压焊孔图8单界面接触式IC封装框架截面图4.1.2双界面接触式IC封装框架截面图见图9。表面处理层导电金属层绝缘材料层表面处理层压焊点压焊孔图9双界面接触式IC封装框架截面图4.1.3非接触式IC封装框架截面图见图10。焊接块绝缘材料层图10非接触式IC封装框架截面图4.2外形尺寸及公差接触块最小尺寸及位置应符合GB/T16649.2中触点尺寸和位置的规定。外形尺寸及公差见表1。外形尺寸标注示意图见图11、图12、图13。7GB/T39842—2021表1外形尺寸及公差参数单位标称值符号公差IC卡封装框架总厚度mm士0.02IC卡封装框架宽度mmW士0.075X向齿孔中心距离mm4.75Y向齿孔中心距离mm31.83士0.02齿孔径mm士0.05X向腔孔中心距离mmY向腔孔中心距离mm士0.02齿孔中心到框架边距离mm士0.075腔孔到参考点距离mm士0.02压焊孔、腔径mm士0.02mmL士0.2接触块到参考点距离mmmmY₁士0.075导线间距mmb₂士0.05mm<0.25b₁士0.03不良品标记孔径mmA士0.1不良品标记孔到参考点距离mmX₂士0.1mmY₂士0.1图11外形尺寸18GB/T39842—2021图12外形尺寸24.3镀层镀层厚度应符合表2的规定。图13外形尺寸3代号接触面P闪镀(Flash)TMLSDGW其他4.3.2金属层表面粗糙度金属层表面粗糙度应符合表3的规定。表3金属层表面粗糙度参数指标接触面金属层粗糙度压焊面金属层粗糙度9镀金层纯度应符合GB/T25933—2010的规定。4.4金属层剥离强度金属层与绝缘层的剥离强度应不小于1N/mm。单个IC卡封装框架表面平整度应不大于50μm。4.5.235mm宽度IC卡封装框架翘曲35mm宽度IC卡封装框架翘曲应不大于1mm。压焊孔、腔孔溢胶最大值E应不大于100μm,见图14。压焊孔、腔孔毛刺最大值M应不大于100μm,见图15。图14溢胶示意图GB/T39842—2021图15毛刺示意图耐温性应符合表4的规定。GB/T39842—2021表4耐温性试验条件合格判据高温锡焊温度288℃±5℃,持续时间10s导电金属与绝缘材料不分层温度稳定性温度260℃±5℃,持续时间3min导电金属与绝缘材料不分层恒定湿热温度85℃,相对湿度85%,持续时间504h导电金属与绝缘材料不分层高压蒸煮温度121℃±2℃,绝对气压0.2MPa,相对湿度100%,持续时间24h导电金属与绝缘材料不分层24h后金属层剥离强度大于0.2N/mm人工汗液的配制方法应符合GB/T3922的规定。耐化学性应符合表5的规定。合格判据5%氯化钠溶液浸泡1min外观无明显变化5%乙酸溶液浸泡1min外观无明显变化5%碳酸钠溶液浸泡1min外观无明显变化60%乙醇溶液浸泡1min外观无明显变化10%蔗糖溶液浸泡1min外观无明显变化FuelB(ISO1817)浸泡1min外观无明显变化50%的乙烯乙二醇浸泡1min外观无明显变化人造汗液碱溶液浸泡24h外观无明显变化人工汗液酸溶液浸泡24h外观无明显变化盐雾应符合表6的规定。表6盐雾表面厚度代号合格判据盐雾试验(24h)全部水洗后，表面电阻<500mΩ盐雾试验(48h)P、T酸洗后，腐蚀点≤100个/cm²盐雾试验(96h)M、L、S、D、G、W、其他酸洗后，腐蚀点≤100个/cm²流动混合气体浓度应符合GB/T2423.51—2020中表1方法1的规定。流动混合气体腐蚀96h,酸洗后腐蚀点≤100个/cm²。5检验方法5.1外观检验方法5.1.1检验环境检验人员在检验IC卡封装框架外观时，应在10万级的洁净室中，穿无尘衣、戴无尘帽、戴口罩、戴手指套，不能直接用手去触摸IC卡封装框架表面，避免因裸手接触造成IC卡封装框架污染。5.1.2目测方法IC卡封装框架检验时，应使用专用的、配有电机和光源的框架检验工作台，工作台应干净，平整。检验时应在光源下，距IC卡封装框架30cm～40cm,眼睛与集成电路(IC)卡封装框架表面保持装框架桌子5.1.3外观测量方法外观测量方法按表7的规定。表7外观测量方法检验项目检验要求章条号检验方法外形尺寸及公差4.2使用满足测量精度的量具或工具进行测量镀层厚度4.3.1按GB/T16921—2005测量金属层剥离强度4.4按GB/T13557测量金属层表面粗糙度4.3.2按GB/T32642—2016测量镀金层纯度4.3.3按GB/T25934—2010测量5.2可靠性检验方法可靠性检验方法按表8的规定。表8可靠性检验方法检验项目检验要求章条号检验方法耐温性按附录A进行高压蒸煮测试按GB/T2423.2进行温度稳定性测试按GB/T2423.50进行恒定湿热测试按附录B进行高温锡焊测试GB/T39842—2021检验项目检验要求章条号检验方法耐化学性4.6.2按GB/T17554.1测试盐雾4.6.3按GB/T2423.17、GB/T16545—2015测试流动混合气体腐蚀4.6.4按GB/T2423.51—2020、GB/T16545—2015测试6检验规则6.1检验分类检验分为：a)出厂检验；b)型式检验。6.2出厂检验一个检验批应由相同类型，在相同的条件下，采用相同原材料和工艺生产，并在同一时间内提交检验的产品组成。应按GB/T2828.1规定的一般检查水平Ⅱ和一次正常抽样方案，从提交的检验批中按表9规定随机抽取试样。表9抽样分组检验项目检验要求章条号出厂检验型式检验抽样方案A组外观要求B组外形尺寸及公差AQL=0.65镀层厚度4.3.1金属层剥离强度金属层表面粗糙度4.3.2镀金层纯度4.3.3耐温性4.6.1耐化学性4.6.2盐雾4.6.3流动混合气体腐蚀4.6.4应按表9规定进行检验。GB/T39842—2021A组检验100%进行，剔除不合格品；B组检验从通过A组检验的检验批中，按表9规定抽样进行。一个或多个试样有一项或多项检验未通过表9规定的检验，则判定为不合格。若检验批中不合格品数大于表9中AQL值所对应的允许不合格判定数时，则加倍抽样，对不合格a)新产品生产试制定型鉴定；c)产品停产3个月及其以上，恢复生产时；d)出厂检验结果与上次检验存在较大差异时。按表9规定。应按表9规定进行检验。50个试样先进行A组检验，经A组检验合格后，再进行B组检验。B组的检验项目应按有关产品规范中的规定进行。一个或多个试样有一项或多项检验未通过表9规定的检验，则型式试验不合格。IC卡封装框架以卷状的形式，中间加隔离膜进行包装后，再用塑料袋包装进行抽真空。每两卷为每盘IC卡封装框架均需带有标签。标签上须标明以下内容：a)制造单位名称(或商标);b)客户产品编号；c)厂内产品编号；d)合格数和缺陷数；e)接头数；f)批号；GB/T39842—2021g)表面处理日期；h)合格章。8贮存IC卡封装框架原包装密封储存且符合以下贮存条件，保质期12个月(从表面处理日期开始):b)相对湿度：50%±10%。9运输IC卡封装框架在运输装卸过程中，外包装不应破损，注意轻拿轻放，不能投掷、重压，避免日晒雨淋。GB/T39842—2021(规范性附录)高压蒸煮试验A.1目的A.2设备A.2.1高压蒸汽试验箱，工作区域绝对气压达到0.2MPa(2barA.3试验条件试验条件如下：c)试验湿度：相对湿度100%;A.4试验程序A.4.1初始检测对试样进行外观检查(必要时做金相分析),确保导电金属与绝缘材料不分层。A.4.2试验方法将试样在正常气候条件下恢复24h。A.4.4最终检测对试样进行外观(必要时做金相分析)和金属层剥离强度检测。GB/T39842—2021(规范性附录)高温锡焊试验评价导电金属层与绝缘材料层的抗高温焊接的能力。B.2设备B.2.1具有可控恒温器的电热焊锡槽，容积要能足以保证试样浸入以后，与槽壁槽底的距离不得小于10mm,焊锡槽里的成分如下：a)锡：59%～60%;c)铜：1%最大；B.2.3