电子元器件进厂检验制度

电子元器件进厂检验制度对于进购的电子元器件，依据20‰的比例进展抽检,各种具体的元器件按如下规章进展检验：一、电阻的检测1、固定电阻器的检测将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度，应依据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示20％～80％弧度范围内，以使测量更准确。依据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电局部；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。2水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及留意事项与检测一般固定电阻完全一样。3熔断电阻器的检测。在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可依据阅历作出推断：假设觉察熔断电阻器外表发黑或烧焦，可断定是或稍大于其额定熔断值。对于外表无任何痕迹的熔断电阻器好坏的推断，可借助万用表R×1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。假设测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，假设测得的阻值与标称值相差甚远，说明电阻变值，也不宜再使用。在修理实践中觉察，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以留意。4、电位器的检测检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否敏捷，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的适宜电阻挡位，然后可按下述方法进展检测。用万用表的欧姆挡测“差很多，则说明该电位器已损坏。223将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，这时电阻值越小越好。再顺时针渐渐旋转轴柄，电阻值应渐渐增大，表头中的指针应平稳移动。当轴柄旋至极端位置“3”时，阻值应接近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象，说明活动触点有接触不良的故障。5正温度系数热敏电阻(PTC)的检测检测时，用万用表R×1挡，具体可分两步操作：常温检测(室内温度接近25℃)将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相比照，二者相差在±2Ω内即为正常。实际阻值假设与标称阻值相差过大，则说明其性能不良或已损坏。加温检测PTC热敏电阻对其加热，同时用万用表监测其电阻值是否随温度的上升而增大，如是，说明热敏电阻正常，假设阻值无变化，说明其性PTC6、负温度系数热敏电阻(NTC)的检测测量标称电阻值Rt用万用表测量NTCNTC热敏电阻的标称阻值选择适宜RtNTCA、Rt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的，所以用万用表测量Rt时，亦应在环境温度接近25℃时进展，以保证测试的可信度。B、测量功率不得超过规定值，以免电流热效应引起测量误差。C、留意正确操作。测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生影响。估测温度系数αt先在室温t1下测得电阻值Rt1，再用电烙铁作热源，靠近热敏电阻Rt，测出电阻值RT2，同时用温度计测RTt27、压敏电阻的检测用万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大。假设所测电阻很小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。8、光敏电阻的检测用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针根本保持不动，阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。假设此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再连续使用。将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摇摆，阻值明显减小。此值越小说明光敏电阻性能越好。假设此值很大甚至无穷大，说明光敏电阻内部开路损坏，也不能再连续使用。将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其连续受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摇摆。假设万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摇摆，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。二、电容器的检测方法与阅历1、固定电容器的检测10pF因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进展测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿R×10k针向右摇摆)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。检测10PF～0.01μF固定电容器是否有充电现象，进而推断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的放射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观看。应留意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被A、B对于0.01μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可依据指针向右摇摆的幅度大小估量出电容器的容量。2、电解电容器的检测由于电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用适宜的量程。依据经验，一般状况下，1～47μFR×1k47μF的电容可用R×100电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着渐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用阅历说明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，假设正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消逝或内部断路；假设所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。使用万用表电阻挡，承受给电解电容进展正、反向充电的方法，依据指针向右摇摆幅度的大小，可估测出电解电容的容量。2、可变电容器的检测用手轻轻旋动转轴，应感觉格外平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再连续使用的。将万用表置于R×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，假设指针有时指向零，说明动片定片之间存在漏电现象。三、各类二极管的检测方法1、一般二极管的检测包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管〕是由一个PN构造成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。〔1〕极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大〔为反向电阻〕，一次测量出的阻值较小〔为正向电阻〕。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。(2)单负导电性能的检测及好坏的推断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ3005kΩ左右，反向电阻值为∞〔无穷大〕。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。假设测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。假设测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。〔3〕反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压〔耐压值〕可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V〔BR〕”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。〔置于适宜的直流电压档1所示，摇动兆欧表手柄〔应由慢渐渐加快〕，待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。2、稳压二极管的检测正、负电极的判别印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与一般二极管一样，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进展测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。假设测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值。假设稳压二极管的稳压值高于15V，则应20V也可用低于1000V值〔万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定，待万用表的指示电压指示稳定时，此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。23、双向触发二极管的检测正、反向电阻值的测量用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷0，则说明该二极管已击穿损坏。测量转折电压测量双向触发二极管的转折电压有三种方法。第一种方法是：将兆欧表的正极〔E〕和负极〔L〕分别接双向触发二极管的两端，用兆欧表供给击穿电压，压值的偏差〔一般为3~6V。此偏差值越小，说明此二极管的性能越好。U1，U2。假设U1与U2的电压值一样，但与U的电压值不同，则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。假设U1与U2的电压值相差较大时，则说明该双向触发二极管的导通性不对称。假设U1、U2电压值均与市电U一样时，则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。假设U1U2的电压值均为0V，则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。第三种方法是：用0~50V连续可调直流电源，将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档〔将其置于1mA档〕后与双向触发二极管的另一端相接。渐渐增加电源电压，当电流表指针有较明显摇摆时〔几十微安以上，则说明此双向触发二极管已导通，此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。33、发光二极管的检测正、负极的判别将发光二极管放在一个光源下，观看两个金属片的大小，通常金属片大的一端为负极，金属片小的一端为正极。性能好坏的推断用万用表R×10k〔黑表笔接正极时约为10~20kΩ250kΩ~∞〔无穷大。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发微光。假设用万用表R1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会觉察其正、反向电阻值均接近∞〔无穷大1.6V〔R×1k1.5V〕的原因。用万用表的×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电〔黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器负极明该发光二极管完好。也可用3V直流电源，在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极〔见图4，正常的发光二极管应发光。或将1节1.5V电池串接在万用表的黑表笔〔将万用表置于×10或×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的1.5V电池串联笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。4、红外发光二极管的检测正、负极性的判别也可从管身外形和引脚的长短来推断。通常，靠近管身侧向小平面的电极为负极，另一端引脚为正极。长引脚为正极，短引脚为负极。性能好坏的测量用万用表R×10k档测量红外发光管有正、反向电阻。正常时，正向电阻值约为15~40kΩ〔此值越小越好反向电阻大于500kΩ〔用R×10k200kΩ。假设测得正、反向电阻值均接近零，则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。假设测得正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。假设测得的反500kΩ，则说明该二极管已漏电损坏。6、红外光敏二极管的检测将万用表置于R×1k档，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值〔黑表笔所接引脚为正极〕为3~10kΩ左右，反向电阻值为500kΩ以上。假设测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时，用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口〔见图正常的红外光敏二极管，在按动遥控器上按键时，其反向电阻值会由500kΩ以上减小至50~100kΩ之间。阻值下降越多，说明红外光敏二极管的灵敏度越高。7、其他光敏二极管的检测〔1〕电阻测量法R×1k正常时，正向电阻值在10~20kΩ之间，反向电阻值为∞〔无穷大。假设测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则是该光敏二极管漏电或开路损坏。正、反向电阻值均应变小，阻值变化越大，说明该光敏二极管的灵敏度越高。〔2〕电压测量法将万用表置于1V直流电压档，黑表笔接光敏二极管的负极，红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的0.2~0.4V〔其电压与光照强度成正比。〔3〕电流测量法将万用表置于50μA或500μA电流档，红表笔接正极，黑表笔接负极，正常的光敏二极管在白炽灯光下，随着光照强度的增加，其电流从几微安增大至几百微安。8、激光二极管的检测阻值测量法拆下激光二极管，用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为20~40kΩ之间，反向电阻值为∞〔无穷大。假设测得正向电阻值已超过50kΩ，则说明激光二极管的性能90kΩ，则说明该二极管已严峻老化，不能再使用了。电流测量法用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降，再依据欧姆定律估算出流过该管的电流值，当电流超过100mA〔见图6假设电流剧增而失控，则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。9、变容二极管的检测〔1〕正、负极的判别有的变容二极管的一端涂有黑色标记，这一端即是负极，而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环，红色环的一端为正极，黄色环的一端为负极。也可以用数字万用表的二极管档，通过测量变容二极管的正、反向电压降来推断出其正、负极性。正常的0.58~0.65V；测量其反向电压降时，表的读数显示为溢出符号“〔2〕性能好坏的推断用指针式万用表的R×10k档测量变容二极管的正、反向电阻值。正常的变容二极管，其正、反向电阻值均为∞〔无穷大。假设被测变容二极管的正、反向电阻值均有肯定阻值或均为0，则是该二极管漏电或击穿损坏。10、双基极二极管的检测〔1〕电极的判别将万用表置于R×1k两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ，这两个电极即是基极B1和基极B2，另一个电极即是放射极E。再将黑表笔接放射极E，用红表笔依次去接触另外两个电极，一般会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次B2，B1。〔2〕性能好坏的推断双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来推断。用万用表R×1k档，将黑表笔接放射极E，红表笔依次接两个基极B1和B2E，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大。双基极二极管两个基极〔B1B2〕2~10kΩ范围内，假设测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时，则说明该二极管已损坏。11、桥堆的检测全桥的检测“~”符号〔”为沟通电压输入端，很简洁确定出各电极。检测时，可通过分别测量“+”极与两个“~~”之间各整流二极管的正、反向电阻值〔与一般二极管的测量方法一样〕是否正常，即可推断该全桥是否已损坏。假设测得全桥内鞭只二极管的正、反向0半桥的检测半桥是由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可推断出该半桥是否正常。12、高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管〔硅粒〕串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反200kΩ，反向电阻值为无穷大。假设测得其正、反向均有肯定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。13、变阻二极管的检测用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值〔黑表笔接正极时〕4.5~6kΩ，反向电阻值为无穷大。假设测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。14、肖特基二极管的检测二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值〔黑表笔接正极〕为2.5~3.5Ω，投向电阻值为无穷大。假设测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。四、晶体管的检测1、晶体管材料与极性的判别从晶体管的型号命名上识别其材料与极性国产晶体管型号命名的其次局部用英文字母A~D”代表锗材料PNP”代表锗材料NPN”代表硅材料PNP”代表硅材料NPN型管。日本产晶体管型号命名的第三局部用字母A~D〔不代表极性为PNP”为NPN”为低频管。欧洲产晶体管型号命名的第一局部用字母“A”和“B”表示晶体管的材料〔不表示NPN或PNP型极性。”表示硅材料。从封装外形上识别晶体管的引脚在使用权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚排列位置也不同。通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容，可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。用万用表判别晶体管的极性与材料对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来推断出该晶体管的极性、引脚及材料。R×100ΩR×1k反向电阻值。在测量中会觉察：当黑表笔〔或红表笔〕接晶体管的某一引脚时，用红表笔〔或黑表笔〕去分别接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。此时，所测晶体管与黑表笔〔或红表笔〕连接的引脚便是基极B，而别外两个引脚为集电极C和放射极E。假设基极接的是红表笔，则该管为PNP管；假设基极接的是黑表笔，则该管国NPN管。B，而另外两个引脚为放射极E和集电极C。BB与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。通常，正向电阻值较大的电极为放射EC。PNP型晶体管，可以将红表笔接基极B，用黑表笔分别接触另外两个引脚，会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次测量中，黑表笔所接的引脚为集电极C；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的引脚为放射极E。NPN型晶体管，可将黑表笔接基极B。用红表笔去分别接触另外两个引脚。在阻值较小的一次测量中，红表CE。通过测量晶体管PN结的正、反向电阻值，还可推断出晶体管的材料〔区分出是硅管还是锗管〕及好坏。一般锗管PN结〔B、E极之间或B、C极之间〕200~500Ω，反向电阻值大于100kΩ；硅管PN结的正向电阻值为3~15kΩ，反向电阻值大于500kΩ。假设测得晶体管某个PN0或均为无穷大，则可推断该管已击穿或开路损坏。2晶体管性能的检测反向击穿电流的检测一般晶体管的反向击穿电流〔也称反向漏电流或穿透电流〕，可通过测量晶体管放射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档，NPN型管的集电极C接黑表笔，放射极E接红表笔；PNP管的CE正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω〔用R×100档测，电阻值大于2kΩ〕，锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ〔用R×10档测〕100kΩ〔用R×10k〕，500kΩ以上。假设测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小，则说明该晶体管的漏电流较大；假设测得C、E极之间的电阻值接近0，则说明其C、E极间已击穿损坏。假设晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小很多，则说明该管的热稳定性不良。也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时，先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下ICEO键，从表中读出反向击穿电流值即可。放大力量的检测晶体管的放大力量可以用万用表的hFE档测量。测量时，应先将万用表置于ADJ档进展调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中〔承受TO-3封装的大功率晶体管，可将其33〕，万用表即会指示出该管的放大倍数。假设万用表无hFE档，则也可使用万用表的R×1kPNP表笔接晶体管的放射极E，红表笔接晶体管的集电极C〔BC极之间上并接1〔硅管为100kΩ锗管为20kΩ〕，然后观看万用表的阻值变化状况。假设万用表指针摇摆幅度较大，则说明晶体管的放大力量较强。假设万用表指针不变或摇摆幅较小，则说明晶体管无放大力量或放大力量较差。测量NPN管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的集电极C，红表笔接晶体管的放射极E，在集电结上并接1只电阻，然后观看万用表的阻值变化状况。万用表指针摇摆幅度越大，说明晶体管的放大力量越强。也可以用晶体管直流参数测试表的hFE/测试功能来测量放大力量。测量时，先将测试表的hFE/ICEO档置于hFE–100档或hFE–300hFEhFE值即可。反向击穿电压的检测晶体管的反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的V〔BR〕测试功能来测量。测量时，先选择被测晶体V〔BR〕键，再从表中读出反向击穿电压值。对于反向击穿电压低于50V7中所示的电路进展测试。将待测晶体管VT的集电极C、放射E与测试电路的AB〔PNP管的E极接A，C极接B；NPN管的E有接B，C极接A〕LEDA、B3、特别晶体管的检测带阻尼行输出管的检测用万用表R×1档，测量放射结〔基极B与放射极E之间〕的正、反向电阻值。正常的行输出管，其放射结20~50Ω。用万用表R×1k档，测量行输出管集电结〔基极B与集电极C之间〕的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值〔黑表笔接基极B，红表笔接集电极C〕为3~10kΩ，反向电阻值为无穷大。假设测得正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。用万用表R×1k档，测量行输出管C、E极内部阻尼二极管的正、反向电阻值，正常时正向电阻值较小〔6~7kΩ〕，反向电阻值为无穷大，假设测得C、E极之间的正反向电阻值均很小，则是行输出管C、E极之间短路或阻C、E带阻尼行输出管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表测量，其方法与一般晶体管一样。带阻尼行输出管的放大力量〔沟通电流放大系数β值〕不能用万用表的hFE档直接测量，由于其内部有阻尼二极管和保护电阻器。测量时可在行输出管的集电极C与基极B1只30kΩ的电位器，然后再将行输hFEβ值。〔2〕带阻晶体管的检测因带阻晶体管内部含有1只或2只电阻器，故检测的方法与一般晶体管略有不同。检测之前应先了解管内电阻器的阻值。测量时，将万用表置于R×1k档，测量带阻晶体管集电极C与放射极E之间的电阻值〔测NPN表笔接C极，红表笔接E极；测PNP管时，应将红表笔接C极，黑表笔接E极〕，在测量的同时，假设将带阻晶体管的基极B与集电极C之间短路后，则应有小于50kΩ的电阻值。否则，可确定为晶体管不良。也可以用测量带阻晶体管BE极、CB极及CE极之间正、反向电阻值的方法〔应考虑到内含电阻器对各极间正、反向电阻值的影响〕来估测晶体管是否损坏。一般达林顿管的检测B与放射极E之间包含多个放射R×1kR×10k测量达林顿管各电极之间的正、反向电阻值。正常时，集电极C与基极B之间的正向电阻值〔测NPN管时，黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接集电极C〕值与一般硅晶体管集电结的正向电阻值相近，为3~10kΩ之间，反向电阻值为无穷大。而放射极E与基极B之间的的正向电阻值〔测NPN管时，黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接放射极E〕是集电极C与基极B之间的正、反向电阻值的2~3倍，反向电阻值为无穷大。集电极C与放射极E之间的正、反向电阻值均应接近无穷大。假设测得达林顿管的C、E极间的正、反向电阻值或BE极、BC极之间的正、反向电阻值均接近0，则说明该管已击穿损坏。假设测得达林顿管的BE极或BC极之间的、反向电阻值为无穷大，则说明该管已开路损坏。大功率达林顿管的检测这些元器件对测量数据的影响。用万用表R×1k或R×10k档，测量达林顿管集电结〔集电极C与基极B之间〕的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值〔NPN管的基极接黑表笔时〕应较小，为1~10kΩ，反向电阻值应接近无穷大。假设测得集电结的正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明该管已击穿短路或开路损坏。用万用表R×100档，测量达林顿管放射极E与基极B之间的正、反向电阻值，正常值均为几百欧姆至几千欧姆〔具体数据依据B、E极之间两只电阻器的阻值不同而有所差异。例如，BU932R、MJ10025等型号大功率达林顿管B、E极之间的正、反向电阻值均为600Ω左右〕，0或无穷大，则说明被测管已损坏。用万用表R×1k或R×10k档，测量达林顿管放射极E与集电极C之间的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值〔测NPN管时，黑表笔接放射极E，红表笔接集电极C；测PNP管时，黑表笔接集电极C，红表笔接放射极E〕应为5~15kΩ〔BU932R为7kΩ〕，反向电阻值应为无穷大，否则是该管的C、E极〔或二极管〕击穿或开路损坏。光敏三极管的检测光敏三极管只有集电极C和放射极E两个引脚，基极B为受窗口。通常，较长〔或靠近管键的一端〕的引脚E极，较短的引脚的CC检测时，先测量光敏三极管的暗电阻：将光敏三极管的受光窗口用黑纸或黑布遮住，再将万用表置于R×1k档。红表笔和黑表笔分别接光敏三极管的两个引脚。正常时，正、反向电阻均为无穷大。假设测出肯定阻值或阻值0，则说明该光敏三极管已漏电或已击穿短路。测量光敏三极管的亮电阻：在暗电阻测量状态下，假设将遮挡受光窗口的黑纸或黑布移开，将受光窗口靠近15~30kΩ的电阻值。则说明光敏三极管已开路损坏或灵敏度偏低。4、场效应晶体管的检测结型场效应晶体管的检测A、判别电极与管型用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个黑表笔接的是栅极G，另外两个电极分别是源S和漏极D。在两个阻值均为高阻值的一次测量中，被测管为PN也可以任意测量结型场效应晶体管任意两个电极之间的正、反向电阻值。假设测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等，且为几千欧姆，则这两个电极分别为漏极D和源极S，另一个电极为栅极G。结型场效应晶体管的源极和漏极在构造上具有对称性，可以互换使用。假设测得场效应晶体管某两极之间的正、反向电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿或已开路损坏。B、检测其放大力量用万用表R×100档，红表笔接场效应管的源极S，黑表笔接其漏极D，测出漏、源极之间的电阻值RSD

后，再用手捏信栅极G，万用表指针会向左或右摇摆〔多数场效应管的RSD

会增大，表针向左摆RSD

也可用图8所示的测试电路来检测结型场效应晶体管的放大力量〔以N沟道场效应晶体管为例。将万用表置于10V直流电压档，表红笔接漏极D，黑表笔接源极S。调整电位器RP，看万用表指示的电压值是否变化。在调整RP过程中，万用表指示的电压值变化越大，则说明该管的放大力量越强。假设在调整RP时，万用表的指针变化不大，则说明该管的放大力量很小或已失去放大力量。双栅场效应晶体管的检测A、电极的判别大多数双栅场效应晶体管的管脚位置排列挨次是一样的，即从场效应晶体管的底部〔管体的反面〕看，按逆时针方向依次为漏极D、源极S、栅极G1DS，即可找出两个栅极。

和栅极G，如图9所示。因此，只要用万用表测出漏2R×100间的正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆〔其余各引脚之间的电阻值均为无穷大，这两个电极便是漏极D源极S，另两个电极为栅极G1

和栅极G。2B、估测放大力量R×100S，DDS电阻值RSD

的同时，用手指捏住两个栅极，参加人体感应信号。假设参加人体感应信号后，RSD

的阻值由大变小，则说明该管有肯定有放大力量。万用表指针向右摆越大，说明其放大力量越强。C用万用表R×10档或R×100S和漏极D正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆。且黑表笔接漏极D、红表笔接源极S时测得的电阻值较黑表笔接源极S、红表笔接D时测得的电阻值要略大一些。假设测得D、S极之间的电阻值为0或为无穷大，则说明该管已击穿损坏或已开路损坏。用万用表R×10k档，测量其余各引脚〔D、S之间除外〕的电阻值。正常时，栅极G

GG

D、G

S、1 2 1 1GD、G2

与S之间的电阻值均应为无穷大。假设测得阻值不正常，则说明该管性能变差或已损坏。VMOSA、判别各电极与管型用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D，而另一引脚为栅极G。再用万用表R×10k档测量两引脚〔漏极D与源极S〕之间的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为2kΩ500kΩ。在测量反向电阻值时，红表笔所接引脚不动，黑表笔脱离所接引脚后，先与栅G假设万用表读数由原来较大阻值变为0，则此红表笔所接的即是源极S，黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅GN假设万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚，假设此时万用表读数由原来阻值较大变为0，则此时黑表笔接的为源极S，红表笔接的是漏极D。用表红笔触发栅极G说PB、判别其好坏用万用表R×1k档或R×10k除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间〔G与D、G与S〕的正、反向电阻值均应为无穷大。假设测得0Ω，则说明该管已击穿损坏。另外，还可以用触发栅极〔PN〕的方法来推断场应管是否损坏。假设触发有效〔触发栅极G后，D、S极之间的正、反向电阻均变为好。C、估测其放大力量N沟道VMOS场效应晶体管，可用万用表〔R×1k档〕的黑表笔接源极S，红表笔接漏极D，此